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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Tensão - Quebra (V (BR) GSS) Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Resistência - rds (on) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Dreno atual (id) - max
FZ1200R12HP4HOSA2 Infineon Technologies FZ1200R12HP4HOSA2 637.5500
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 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon IHM-B Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FZ1200 7150 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2 Switch Único Trincheira 1200 v 1790 a 2.05V @ 15V, 1200A 5 MA Não 74 NF @ 25 V
IPB05N03LAT Infineon Technologies IPB05N03LAT -
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 ECAD 9251 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB05N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 25 v 80a (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 55a, 10V 2V @ 50µA 25 NC @ 5 V ± 20V 3110 pf @ 15 V - 94W (TC)
IQFH39N04NM6ATMA1 Infineon Technologies IQFH39N04NM6ATMA1 3.6300
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 ECAD 1425 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo - ROHS3 Compatível 448-IQFH39N04NM6ATMA1TR 3.000
BSM15GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies BSM15GD120DN2BOSA1 82.8670
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 ECAD 1306 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo BSM15GD120 145 w Padrão Módlo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor Trifásico - 1200 v 25 a 3V @ 15V, 15A 500 µA Não 100 pf @ 25 V
BC818-40WE6327 Infineon Technologies BC818-40WE6327 0,0200
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 ECAD 24 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-70, SOT-323 500 MW PG-SOT323-3-1 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 15.000 25 v 500 MA 100na (ICBO) 700mv @ 50Ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 170MHz
AUXTMGPS4070D1 Infineon Technologies AUXTMGPS4070D1 -
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 ECAD 3650 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - Autxmgps - - Alcançar Não Afetado 448-AUXTMGPS4070D1 Ear99 8541.29.0095 1 - - - - -
BCR35PNH6433XTMA1 Infineon Technologies BCR35PNH6433XTMA1 0,0975
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 ECAD 8475 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra Montagem NA Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR35 250mw PG-SOT363-PO download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 10.000 50V 100mA - 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 150MHz 10kohms 47kohms
IJW120R100T1FKSA1 Infineon Technologies IJW120R100T1FKSA1 -
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 ECAD 2626 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 190 w PG-A247-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 N-canal 1200 v 1550pf @ 19.5V (VGS) 1200 v 1,5 µA A 1200 V 100 mohms 26 a
BG3123RH6327XTSA1 Infineon Technologies BG3123RH6327XTSA1 -
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 ECAD 8524 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 8 v Montagem NA Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BG3123 800MHz MOSFET PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 25mA, 20mA 14 MA - 25dB 1.8dB 5 v
BCX70JE6433 Infineon Technologies BCX70JE6433 0,0400
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 ECAD 10 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 8.013 45 v 100 ma 20na (ICBO) Npn 550mv a 1,25mA, 50mA 250 @ 2MA, 5V 250MHz
IRGR4607DTRPBF Infineon Technologies IRGR4607DTRPBF -
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 ECAD 2771 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão 58 w PG-A252-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 400V, 1.5A, 100OHM, 15V 48 ns - 600 v 11 a 12 a 2.05V @ 15V, 4A 140µJ (ON), 62µJ (Off) 9 NC 27ns/120ns
BSP373NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP373NH6327XTSA1 0,9600
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 ECAD 11 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA BSP373 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 1.8a (ta) 10V 240mohm @ 1.8a, 10V 4V A 218µA 9,3 nc @ 10 V ± 20V 265 pf @ 25 V - 1.8W (TA)
BSL211SPL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL211SPL6327HTSA1 -
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 ECAD 3366 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-TSOP6-6 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 4.7a (ta) 2.5V, 4.5V 67mohm @ 4.7a, 4.5V 1.2V @ 25µA 12,4 nc a 4,5 V ± 12V 654 pf @ 15 V - 2W (TA)
IRFB4228PBF Infineon Technologies IRFB4228PBF 4.4500
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 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRFB4228 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 100 N-canal 150 v 83a (TC) 10V 15mohm @ 33a, 10V 5V A 250µA 107 NC @ 10 V ± 30V 4530 PF @ 25 V - 330W (TC)
AUIRFS8403TRL Infineon Technologies AUIRFS8403TRL -
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 ECAD 7046 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 40 v 123A (TC) 10V 3.3mohm @ 70a, 10V 3.9V @ 100µA 93 NC @ 10 V ± 20V 3183 pf @ 25 V - 99W (TC)
BCP5516H6327XTSA1 Infineon Technologies BCP5516H6327XTSA1 0,2968
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 ECAD 6485 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA BCP55 2 w PG-SOT223-4-10 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 1 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 100MHz
SPP100N03S2-03 Infineon Technologies SPP100N03S2-03 -
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 ECAD 1865 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp100n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 30 v 100a (TC) 10V 3.3mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 150 nc @ 10 V ± 20V 7020 pf @ 25 V - 300W (TC)
SPP11N60S5HKSA1 Infineon Technologies Spp11n60s5hksa1 -
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 ECAD 3648 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp11n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 650 v 11a (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10v 5.5V @ 500µA 54 NC @ 10 V ± 20V 1460 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRLH5036TRPBF Infineon Technologies IRLH5036TRPBF -
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 ECAD 5135 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 v 20A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 50a, 10V 2,5V a 150µA 90 nc @ 10 V ± 16V 5360 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 160W (TC)
SPP11N65C3 Infineon Technologies Spp11n65c3 -
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 ECAD 6767 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1
IRFSL3307ZPBF Infineon Technologies IRFSL3307ZPBF -
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 ECAD 9912 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 120A (TC) 10V 5.8mohm @ 75a, 10V 4V A 150µA 110 nc @ 10 V ± 20V 4750 PF @ 50 V - 230W (TC)
FS770R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies FS770R08A6P2LBBPSA1 511.1183
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 ECAD 2751 0,00000000 Tecnologias Infineon Hybridpack ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FS770R08 654 w Padrão Ag-hybridd-1 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 6 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 750 v 450 a 1.35V @ 15V, 450A 1 MA Sim 80 nf @ 50 V
IMZA120R007M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1 90.3000
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 ECAD 2668 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-4 Sicfet (Carboneto de Silício) PG-PARA247-4-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 v 225a (TC) 15V, 18V 9.9mohm @ 108a, 18V 5.2V @ 47MA 220 NC @ 18 V +20V, -5V 9170 NF @ 25 V - 750W (TC)
IPB70N04S406 Infineon Technologies IPB70N04S406 -
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 ECAD 1202 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 40 v 70A (TC) 10V 6.2mohm @ 70a, 10V 4V @ 26µA 32 NC @ 10 V ± 20V 2550 pf @ 25 V - 58W (TC)
BC857SE6433HTMA1 Infineon Technologies BC857SE6433HTMA1 -
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 ECAD 4552 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC857 250mw PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 10.000 45V 100mA 15na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 650mv @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 250MHz
FS200R10W3S7B11BPSA1 Infineon Technologies FS200R10W3S7B11BPSA1 140.5200
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 ECAD 5328 0,00000000 Tecnologias Infineon Easypack ™, Trenchstop ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FS200 20 mw Padrão Ag-Easy3b download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 8 Inversor de Ponte Conclua Parada de Campo da Trinceira 950 v 130 a 1.98V @ 15V, 150A 53 µA Sim 13 NF @ 25 V
PTFA180701FV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA180701FV4R250XTMA1 -
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 ECAD 6580 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 v Montagem NA Superfície 2-flatpack, Lidera de Barraca, Flangeada PTFA180701 1,84 GHz LDMOS H-37265-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 250 10µA 550 Ma 60W 16.5dB - 28 v
IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies Irfz48nstrlpbf 1.9200
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 ECAD 7 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRFZ48 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 64a (TC) 10V 14mohm @ 32a, 10V 4V A 250µA 81 nc @ 10 V ± 20V 1970 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 130W (TC)
BSF030NE2LQXUMA1 Infineon Technologies BSF030NE2LQXuma1 -
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 ECAD 2768 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 3-wdson BSF030 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) MG-WDSON-2, CANPAK M ™ download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 25 v 24a (ta), 75a (tc) 4.5V, 10V 3mohm @ 30a, 10V 2V A 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 12 V - 2.2W (TA), 28W (TC)
IRFR13N20DTRR Infineon Technologies IRFR13N20DTRR -
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 ECAD 6165 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 200 v 13a (TC) 10V 235mohm @ 8a, 10V 5,5V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 30V 830 pf @ 25 V - 110W (TC)
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