SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE
IPA60R145CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R145CFD7XKSA1 4.2900
RFQ
ECAD 9440 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo - - - IPA60R - - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 - 9a (TC) - - - - - -
IRFR3711ZCTRPBF Infineon Technologies IRFR3711ZCTRPBF -
RFQ
ECAD 3435 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 20 v 93A (TC) 5.7mohm @ 15a, 10V 2,45V a 250µA 27 NC a 4,5 V 2160 pf @ 10 V -
IPW60R040CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R040CFD7XKSA1 11.9000
RFQ
ECAD 143 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IPW60R040 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 600 v 50a (TC) 10V 40mohm @ 24.9a, 10V 4.5V @ 1.25MA 109 NC @ 10 V ± 20V 4354 PF @ 400 V - 227W (TC)
BSO110N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO110N03MSGXuma1 0.4009
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) BSO110 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-DSO-8 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 10a (ta) 4.5V, 10V 11mohm @ 12.1a, 10V 2V A 250µA 20 NC A 10 V ± 20V 1500 pf @ 15 V - 1.56W (TA)
IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies IPP082N10NF2SAKMA1 1.7200
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ECAD 133 0,00000000 Tecnologias Infineon Strongirfet ™ 2 Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP082N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 15a (ta), 77a (tc) 6V, 10V 8.2mohm @ 50a, 10V 3.8V @ 46µA 42 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 50 V - 3.8W (TA), 100W (TC)
BF 5030R E6327 Infineon Technologies BF 5030R E6327 -
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ECAD 3326 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 8 v Montagem NA Superfície SOT-143R BF 5030 800MHz MOSFET PG-SOT-143R-3D download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 25Ma 10 MA - 24dB 1.3dB 3 v
DF450R17N2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies DF450R17N2E4PB11BPSA1 197.5220
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ECAD 2017 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Última Vez compra - - - DF450 - - - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 0000.00.0000 10 - - -
BUZ102SL Infineon Technologies Buz102sl -
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ECAD 5703 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 55 v 47a (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 33a, 10V 2V @ 90µA 90 nc @ 10 V ± 14V 1730 PF @ 25 V - 120W (TC)
IGC08T65U12QX7SA1 Infineon Technologies IGC08T65U12QX7SA1 -
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ECAD 9953 0,00000000 Tecnologias Infineon * Tubo Obsoleto - ROHS3 Compatível 2 (1 Ano) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 45
IPD06P004NSAUMA1 Infineon Technologies IPD06P004NSAuma1 -
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ECAD 1157 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD06P MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-313 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001863518 Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 60 v 16.4a (TC) 10V 90mohm @ 16.4a, 10V 4V @ 710µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 30 V - 63W (TC)
SPD50N03S2L06T Infineon Technologies SPD50N03S2L06T 0,9900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Spd50n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 50a (TC) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 50a, 10V 2V @ 85µA 68 nc @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 25 V - 136W (TC)
IRLR4343TRPBF Infineon Technologies IRLR4343TRPBF -
RFQ
ECAD 6762 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 55 v 26a (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.7a, 10V 1V a 250µA 42 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 50 V - 79W (TC)
IPP037N06L3GHKSA1 Infineon Technologies IPP037N06L3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 1774 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 3 Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP037 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000398072 Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 60 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 90a, 10V 2.2V @ 93µA 79 NC @ 4,5 V ± 20V 13000 pf @ 30 V - 167W (TC)
BUZ31L H Infineon Technologies Buz31L h -
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ECAD 9804 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 200 v 13.5a (TC) 5V 200mohm @ 7a, 5v 2V @ 1MA ± 20V 1600 pf @ 25 V - 95W (TC)
IKD15N60RFAATMA1 Infineon Technologies IKD15N60RFAATMA1 1.4998
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ECAD 6682 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Trenchstop ™ Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IKD15N60 Padrão 240 w PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001205248 Ear99 8541.29.0095 2.500 400V, 15A, 15OHM, 15V 74 ns Trincheira 600 v 30 a 45 a 2.5V @ 15V, 15A 270µJ (ON), 250µJ (Off) 90 NC 13ns/160ns
SIPC10N60CFDX1SA1 Infineon Technologies SIPC10N60CFDX1SA1 -
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ECAD 1848 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Descontinuado no sic - ROHS3 Compatível 2 (1 Ano) Alcançar Não Afetado SP000264434 0000.00.0000 1 -
FD400R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies FD400R33KF2CNOSA1 -
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ECAD 9642 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FD400R33 4800 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2 Helicóptero único - 3300 v 660 a 4.25V @ 15V, 400A 5 MA Não 50 NF @ 25 V
BSP88E6327 Infineon Technologies BSP88E6327 -
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ECAD 7910 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223-4 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 240 v 350mA (TA) 2.8V, 4.5V 6ohm a 350mA, 10V 1.4V a 108µA 6,8 nc @ 10 V ± 20V 95 pf @ 25 V - 1.7W (TA)
BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC109N10NS3GATMA1 1.5900
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ECAD 43 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn BSC109 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 100 v 63a (TC) 6V, 10V 10.9mohm @ 46a, 10V 3,5V a 45µA 35 nc @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 50 V - 78W (TC)
IRG4PC50U Infineon Technologies IRG4PC50U -
RFQ
ECAD 3734 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 200 w TO-247AC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 25 480V, 27a, 5ohm, 15v - 600 v 55 a 220 a 2V @ 15V, 27a 120µJ (ON), 540µJ (Off) 180 NC 32ns/170ns
IRFR5305PBF Infineon Technologies IRFR5305PBF -
RFQ
ECAD 5269 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 Canal P. 55 v 31a (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 63 nc @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 110W (TC)
SPD30N06S2L-13 Infineon Technologies SPD30N06S2L-13 -
RFQ
ECAD 3269 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Spd30n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 v 30a (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 30a, 10V 2V @ 80µA 69 NC @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 25 V - 136W (TC)
IRF8707GTRPBF Infineon Technologies IRF8707GTRPBF -
RFQ
ECAD 8387 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 v 11a (ta) 4.5V, 10V 11.9mohm @ 11a, 10v 2.35V @ 25µA 9,3 nc a 4,5 V ± 20V 760 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FS200R12KT4RPBPSA1 Infineon Technologies FS200R12KT4RPBPSA1 -
RFQ
ECAD 8368 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto FS200R12 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 0000.00.0000 6
IRGP20B60PDPBF Infineon Technologies IRGP20B60PDPBF -
RFQ
ECAD 2088 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRGP20 Padrão 220 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 390V, 13A, 10OHM, 15V 42 ns NPT 600 v 40 a 80 a 2.8V @ 15V, 20A 95µJ (ON), 100µJ (Off) 68 NC 20ns/115ns
IRFI4110GPBF Infineon Technologies IRFI4110GPBF 4.0000
RFQ
ECAD 32 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IRFI4110 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220ab pak cheio download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 72a (TC) 10V 4.5mohm @ 43a, 10V 4V A 250µA 290 nc @ 10 V ± 20V 9540 PF @ 50 V - 61W (TC)
IPTG018N10NM5ATMA1 Infineon Technologies IPTG018N10NM5ATMA1 6.1800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-POWERSMD, ASA DE GAIVOTA IPTG018N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HSOG-8-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 100 v 32A (TA), 273A TC) 6V, 10V 1.8mohm @ 150a, 10V 3,8V a 202µA 152 NC @ 10 V ± 20V 11000 pf @ 50 V - 3.8W (TA), 273W (TC)
SPW24N60CFDFKSA1 Infineon Technologies Spw24n60cfdfksa1 5.6670
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ECAD 2847 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 SPW24N60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA247-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 N-canal 650 v 21.7a (TC) 10V 185mohm @ 15.4a, 10V 5V @ 1.2Ma 143 NC @ 10 V ± 20V 3160 pf @ 25 V - 240W (TC)
IPBE65R145CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPBE65R145CFD7AATMA1 3.4789
RFQ
ECAD 7132 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA Ipbe65r MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-7-11 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 650 v 17a (TC) 10V 145mohm @ 8.5a, 10V 4.5V A 420µA 36 nc @ 10 V ± 20V 1694 PF @ 400 V - 98W (TC)
IAUC26N10S5L245ATMA1 Infineon Technologies IAUC26N10S5L245ATMA1 0,5973
RFQ
ECAD 1870 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-TDSON-8-33 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 100 v 26a (TJ) 4.5V, 10V 24.5mohm @ 13a, 10v 2.2V @ 13µA 12 nc @ 10 V ± 20V 762 pf @ 50 V - 40W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque