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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
IPD65R420CFDBTMA1 Infineon Technologies IPD65R420CFDBTMA1 -
RFQ
 ECAD 3815 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD65R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 v 8.7a (TC) 10V 420mohm @ 3.4a, 10V 4.5V @ 340µA 32 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 100 V - 83.3W (TC)
IPT65R060CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPT65R060CFD7XTMA1 4.0572
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 ECAD 8833 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo - Montagem na Superfície 8-POWERSFN - PG-HSOF-8-3 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 - 650 v - - - - - - -
IRF9393PBF Infineon Technologies IRF9393PBF -
RFQ
 ECAD 3520 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001560154 Ear99 8541.29.0095 95 Canal P. 30 v 9.2a (TA) 10V, 20V 13.3mohm @ 9.2a, 20V 2.4V @ 25µA 38 nc @ 10 V ± 25V 1110 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
BSS84PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS84PH6327XTSA1 -
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 ECAD 7265 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 60 v 170mA (TA) 4.5V, 10V 8ohm @ 170mA, 10V 2V @ 20µA 1,5 nc @ 10 V ± 20V 19 pf @ 25 V - 360MW (TA)
BFR340FH6327XTSA1 Infineon Technologies BFR340FH6327XTSA1 0,4100
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 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-723 BFR340 75mw PG-TSFP-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 13dB ~ 28dB 9V 20mA Npn 90 @ 5MA, 3V 14GHz 0,9dB ~ 1,2dB @ 100MHz ~ 2,4GHz
IPZ65R095C7XKSA1 Infineon Technologies IPZ65R095C7XKSA1 8.3600
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 ECAD 240 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C7 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-4 IPZ65R095 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA247-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 N-canal 650 v 24a (TC) 10V 95mohm @ 11.8a, 10V 4V @ 590µA 45 nc @ 10 V ± 20V 2140 pf @ 400 V - 128W (TC)
IPW65R660CFDFKSA1 Infineon Technologies IPW65R660CFDFKSA1 -
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 ECAD 4566 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IPW65R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA247-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 N-canal 700 v 6a (TC) 10V 660mohm @ 2.1a, 10V 4.5V @ 200µA 22 NC @ 10 V ± 20V 615 pf @ 100 V - 62.5W (TC)
IRF3706STRLPBF Infineon Technologies IRF3706STRLPBF -
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 ECAD 9909 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001561768 Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 20 v 77a (TC) 2.8V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10V 2V A 250µA 35 nc @ 4,5 V ± 12V 2410 pf @ 10 V - 88W (TC)
SPD02N80C3BTMA1 Infineon Technologies SPD02N80C3BTMA1 -
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 ECAD 9027 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SPD02N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 v 2a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.2a, 10V 3.9V A 120µA 16 nc @ 10 V ± 20V 290 pf @ 100 V - 42W (TC)
SPD07N60S5 Infineon Technologies SPD07N60S5 -
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 ECAD 7083 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SPD07N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 5,5V A 350µA 35 nc @ 10 V ± 20V 970 pf @ 25 V - 83W (TC)
IPD5N03LAG Infineon Technologies IPD5N03LAG -
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 ECAD 8354 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Ipd5n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 v 50a (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 50a, 10V 2V @ 35µA 22 NC @ 5 V ± 20V 2653 pf @ 15 V - -
IPB065N06L G Infineon Technologies IPB065N06L g -
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 ECAD 2155 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB065N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 60 v 80a (TC) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 80a, 10V 2V @ 180µA 157 nc @ 10 V ± 20V 5100 pf @ 30 V - 250W (TC)
IPW65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW65R110CFD7XKSA1 6.9100
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 ECAD 3693 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CFD7 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IPW65R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 650 v 22a (TC) 10V 110mohm @ 9.7a, 10V 4.5V @ 480µA 41 nc @ 10 V ± 20V 1942 pf @ 400 v - 114W (TC)
BSL802SNL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL802SNL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 4169 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 BSL802 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-TSOP6-6 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 7.5a (ta) 1.8V, 2,5V 22mohm @ 7.5a, 2.5V 750mv @ 30µA 4,7 nc @ 2,5 V ± 8V 1347 pf @ 10 V - 2W (TA)
IRFHM8342TRPBF Infineon Technologies IRFHM8342TRPBF -
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 ECAD 8624 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 v 10a (ta) 4.5V, 10V 16mohm @ 17a, 10V 2.35V @ 25µA 7,5 nc @ 4,5 V ± 20V 560 pf @ 25 V - 2.6W (TA), 20W (TC)
SGW20N60HS Infineon Technologies SGW20N60HS 1.9600
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 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 SGW20N Padrão 178 w PG-PARA247-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 400V, 20A, 16OHM, 15V NPT 600 v 36 a 80 a 3.15V @ 15V, 20A 690µJ 100 nc 18ns/207ns
IPZ40N04S5L3R6ATMA1 Infineon Technologies IPZ40N04S5L3R6ATMA1 0,4255
RFQ
 ECAD 4204 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC -Q101, Optima ™ -5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn IPZ40N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tsdson-8-33 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 87a (TJ) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 20a, 10V 2V @ 21µA 32,8 nc @ 10 V ± 16V 1966 pf @ 25 V - 58W (TC)
94-3660PBF Infineon Technologies 94-3660pbf -
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 ECAD 2611 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) 94-3660 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 100 v 4.5a (ta) 60mohm @ 2.7a, 10V 5,5V A 250µA 50 nc @ 10 V 930 PF @ 25 V -
IPI60R380C6XKSA1 Infineon Technologies IPI60R380C6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 2461 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI60R380 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 600 v 10.6a (TC) 10V 380mohm @ 3.8a, 10V 3,5V A 320µA 32 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 100 V - 83W (TC)
F3L75R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies F3L75R12W1H3B27BOMA1 67.1700
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo F3L75R12 275 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 24 Inversor Trifásico - 1200 v 45 a 1.7V @ 15V, 30A 1 MA Sim 4.4 NF @ 25 V
BSM75GP60BOSA1 Infineon Technologies BSM75GP60BOSA1 -
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 ECAD 4039 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo BSM75G 310 w Retificador de Ponte Trifásica Módlo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor Trifásico - 600 v 100 a 2.45V @ 15V, 75A 500 µA Sim 3.3 NF @ 25 V
FD300R12KS4B5HOSA1 Infineon Technologies FD300R12KS4B5HOSA1 209.2650
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 ECAD 9054 0,00000000 Tecnologias Infineon C Bandeja Não é para desenhos para Novos -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FD300R12 1950 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Helicóptero único - 1200 v 370 a 3.75V @ 15V, 300A 5 MA Não 20 NF @ 25 V
IPP60R280E6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R280E6XKSA1 -
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 ECAD 4404 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP60R280 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 600 v 13.8a (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10V 3,5V a 430µA 43 nc @ 10 V ± 20V 950 pf @ 100 V - 104W (TC)
IPB031NE7N3 G Infineon Technologies IPB031NE7N3 g 1.0000
RFQ
 ECAD 4297 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 3 Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 75 v 100a (TC) 10V 3.1mohm @ 100a, 10V 3,8V a 155µA 117 nc @ 10 V ± 20V 8130 pf @ 37,5 V - 214W (TC)
SIPC26N80C3 Infineon Technologies SIPC26N80C3 -
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 ECAD 2350 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Obsoleto download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000013984 Ear99 8541.29.0040 1
IPW65R190E6 Infineon Technologies IPW65R190E6 1.8800
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 ECAD 539 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA247-3-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 650 v 20.2a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 3,5V a 730µA 73 NC @ 10 V ± 20V 1620 PF @ 100 V - 151W (TC)
IRFSL3107PBF Infineon Technologies IRFSL3107PBF -
RFQ
 ECAD 4815 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IRFSL3107 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 75 v 195a (TC) 10V 3mohm @ 140a, 10V 4V A 250µA 240 nc @ 10 V ± 20V 9370 PF @ 50 V - 370W (TC)
SIPC26N80C3X1SA3 Infineon Technologies SIPC26N80C3X1SA3 -
RFQ
 ECAD 6156 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic - ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado 5.000
IPB080N06N G Infineon Technologies Ipb080n06n g 1.1600
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 ECAD 14 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB080N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 60 v 80a (TC) 10V 7.7mohm @ 80a, 10V 4V A 150µA 93 NC @ 10 V ± 20V 3500 pf @ 30 V - 214W (TC)
BCX71KE6327 Infineon Technologies BCX71KE6327 -
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 ECAD 8949 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 100 ma 20na (ICBO) Pnp 550mv a 1,25mA, 50mA 380 @ 2MA, 5V 250MHz
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