SIC
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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
AUXYBFP3306 Infineon Technologies Auxybfp3306 -
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 ECAD 7658 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto - - - Auxybfp - - - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 25 - - - - - - - -
BSM25GB120DN2 Infineon Technologies BSM25GB120DN2 34.7300
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 ECAD 23 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 200 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 9 Meia Ponte - 1200 v 38 a 3V @ 15V, 25A 800 µA Não 1,65 NF @ 25 V
IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB042N10N3GATMA1 3.0600
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 ECAD 82 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB042 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 100a (TC) 6V, 10V 4.2mohm @ 50a, 10V 3,5V a 150µA 117 nc @ 10 V ± 20V 8410 pf @ 50 V - 214W (TC)
IRFS59N10DTRRP Infineon Technologies IRFS59N10DTRRP -
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 ECAD 2440 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 59a (TC) 10V 25mohm @ 35.4a, 10V 5,5V A 250µA 114 NC @ 10 V ± 30V 2450 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
BSM400GA120DN2SE325HOSA1 Infineon Technologies BSM400GA120DN2SE325HOSA1 -
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 ECAD 8952 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto BSM400 - Obsoleto 1
AUIRFS8408 Infineon Technologies AUIRFS8408 -
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 ECAD 4168 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRFS8408 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 40 v 195a (TC) 10V 1.6mohm @ 100a, 10V 3,9V a 250µA 324 nc @ 10 V ± 20V 10820 pf @ 25 V - 294W (TC)
IPI47N10SL26AKSA1 Infineon Technologies IPI47N10SL26AKSA1 1.4573
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 ECAD 3586 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI47N10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 100 v 47a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 33a, 10V 2V @ 2Ma 135 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 175W (TC)
IRF7413QTRPBF Infineon Technologies IRF7413QTRPBF -
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 ECAD 8449 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 v 13A (TA) 11mohm @ 7.3a, 10V 3V A 250µA 79 NC @ 10 V 1800 pf @ 25 V -
AUIRGP66524D0 Infineon Technologies AUIRGP66524D0 -
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 ECAD 4191 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 AUIRGP66524 Padrão 214 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 400V, 24A, 10OHM, 15V 176 ns - 600 v 60 a 72 a 1.9V @ 15V, 24A 915µJ (ON), 280µJ (Off) 80 nc 30ns/75ns
FF11MR12W1M1B70BPSA1 Infineon Technologies FF11MR12W1M1B70BPSA1 185.0800
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 ECAD 15 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FF11MR12 Carboneto de Silício (sic) 20MW (TC) Ag-Easy1b download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 24 2 canal n (Meia Ponte) 1200V (1,2kV) 100a (TJ) 11.3mohm @ 100a, 15V 5.55V @ 40MA 248NC @ 15V 7360pf @ 800V -
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies AIMW120R045M1XKSA1 26.9300
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 ECAD 242 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Coolsic ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 AIMW120 Sicfet (Carboneto de Silício) PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 v 52a (TC) 59mohm @ 20a, 15V 5.7V @ 10Ma 57 nc @ 15 V +20V, -7V 2130 pf @ 800 V - 228W (TC)
BC 817-16 E6327 Infineon Technologies BC 817-16 E6327 -
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 ECAD 1357 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 817 330 MW PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 500 MA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 170MHz
IPI65R660CFDXKSA1 Infineon Technologies IPI65R660CFDXKSA1 -
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 ECAD 3823 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI65R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 650 v 6a (TC) 10V 660mohm @ 2.1a, 10V 4.5V @ 200µA 22 NC @ 10 V ± 20V 615 pf @ 100 V - 62.5W (TC)
FZ1800R17HP4_B29 Infineon Technologies FZ1800R17HP4_B29 1.0000
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 ECAD 87 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 11500 w Padrão AG-IHMB190 download Ear99 8542.39.0001 1 Switch Único Parada de Campo da Trinceira 1700 v 1800 a 2.25V @ 15V, 1.8Ka 5 MA Não 145 NF @ 25 V
FP50R12KT3BOSA1 Infineon Technologies FP50R12KT3BOSA1 181.1200
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 ECAD 10 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FP50R12 280 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor Trifásico - 1200 v 75 a 2.15V @ 15V, 50A 5 MA Sim 3,5 NF @ 25 V
P2000DE45X168HPSA1 Infineon Technologies P2000DE45X168HPSA1 10.0000
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 ECAD 5405 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo P2000DE45 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 8541.29.0095 1
IRGP50B60PDPBF-INF Infineon Technologies IRGP50B60PDPBF-INF 1.0000
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 ECAD 8061 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 370 w TO-247AC download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 390V, 33A, 3,3OHM, 15V 50 ns NPT 600 v 75 a 150 a 2.6V @ 15V, 33a 360µJ (ON), 380µJ (Off) 240 NC 34ns/130ns
BCR562E6327 Infineon Technologies BCR562E6327 -
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 ECAD 2755 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR562 330 MW PG-SOT23-3-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 500 MA 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 2.5mA, 50mA 60 @ 50MA, 5V 150 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
IKFW40N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Ikfw40n65dh5xksa1 5.2345
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 ECAD 6491 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 106 w PG-HSIP247-3-2 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 400V, 40A, 14OHM, 15V 64 ns Parada de Campo da Trinceira 650 v 53 a 120 a 2.25V @ 15V, 40A 1,17MJ (ON), 500µJ (Desligado) 70 NC 18ns/105ns
BSM75GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies BSM75GD120DN2BOSA1 253.7550
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 ECAD 9649 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo BSM75GD120 520 w Padrão Módlo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor Trifásico - 1200 v 103 a 3V @ 15V, 75A 1,5 mA Não 5.1 NF @ 25 V
FZ2400R12HP4NPSA1 Infineon Technologies FZ2400R12HP4NPSA1 745.7300
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo Padrão AG-IHMB130-2-1 download Ear99 8541.29.0095 1 Switch Único Trincheira 1200 v 3460 a 2.05V @ 15V, 2.4ka 5 MA Não 150 NF @ 25 V
FP15R12W1T7PB11BPSA1 Infineon Technologies FP15R12W1T7PB11BPSA1 53.2700
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 ECAD 24 0,00000000 Tecnologias Infineon EASYPIM ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FP15R12 20 mw Retificador de Ponte Trifásica Ag-Easy1b download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1200 v 15 a - 3 µA Sim 2,82 NF @ 25 V
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 Infineon Technologies DF80R07W1H5FPB11BPSA1 59.2000
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 ECAD 30 0,00000000 Tecnologias Infineon Easypack ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo DF80R07 20 mw Padrão Ag-Easy1b-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 2 Independente Parada de Campo da Trinceira 650 v 40 a 1.72V @ 15V, 20A 12 µA Sim 2 NF @ 25 V
IRF7380QTRPBF Infineon Technologies IRF7380QTRPBF -
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 ECAD 8285 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF7380 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-so download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 2 canal n (Duplo) 80V 3.6a 73mohm @ 2.2a, 10V 4V A 250µA 23NC @ 10V 660pf @ 25V Portão de Nível Lógico
IPTG054N15NM5ATMA1 Infineon Technologies IPTG054N15NM5ATMA1 6.5100
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 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-POWERSMD, ASA DE GAIVOTA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HSOG-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 448-IPTG054N15NM5ATMA1CT Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 150 v 17.5a (ta), 143a (tc) 8V, 10V 5.4mohm @ 50a, 10V 4.6V @ 191µA 73 NC @ 10 V ± 20V 5700 pf @ 75 V - 3.8W (TA), 250W (TC)
IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies IPB015N08N5ATMA1 7.2200
RFQ
 ECAD 2014 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) IPB015 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-7 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 80 v 180A (TC) 6V, 10V 1.5mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 279µA 222 NC @ 10 V ± 20V 16900 pf @ 40 V - 375W (TC)
IRF8788PBF Infineon Technologies IRF8788pbf -
RFQ
 ECAD 5807 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001566558 Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 30 v 24a (ta) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 24a, 10v 2.35V @ 100µA 66 nc @ 4,5 V ± 20V 5720 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRF7471PBF Infineon Technologies IRF7471pbf -
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 ECAD 1335 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF7471 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001563538 Ear99 8541.29.0095 4.085 N-canal 40 v 10a (ta) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 3V A 250µA 32 NC a 4,5 V ± 20V 2820 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
BG5120KE6327HTSA1 Infineon Technologies BG5120KE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 5952 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 8 v Montagem NA Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 800MHz MOSFET PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 20mA 10 MA - 23dB 1.1dB 5 v
FF225R17ME4PBPSA1 Infineon Technologies FF225R17ME4PBPSA1 234.8150
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 ECAD 8761 0,00000000 Tecnologias Infineon Econodual ™ 3 Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FF225R17 20 mw Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 6 Meia Ponte Parada de Campo da Trinceira 1700 v 450 a 2.3V @ 15V, 225a 3 MA Sim 18.5 NF @ 25 V
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