SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
IRF3709ZCLPBF Infineon Technologies IRF3709ZCLPBF -
RFQ
ECAD 3522 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRF3709ZCLPBF Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 30 v 87a (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10V 2,25V a 250µA 26 NC a 4,5 V ± 20V 2130 PF @ 15 V - 79W (TC)
SGP15N60XKSA1 Infineon Technologies SGP15N60XKSA1 -
RFQ
ECAD 3718 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 SGP15N Padrão 139 w PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 400V, 15A, 21OHM, 15V NPT 600 v 31 a 62 a 2.4V @ 15V, 15A 570µJ 76 NC 32ns/234ns
BCR141TE6327 Infineon Technologies BCR141TE6327 0,0200
RFQ
ECAD 21 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR141 250 MW PG-SOT23-3-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 15.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 130 MHz 22 Kohms 22 Kohms
IRF9Z24NPBF Infineon Technologies IRF9Z24NPBF 0,8700
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRF9Z24 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 55 v 12a (TC) 10V 175mohm @ 7.2a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 45W (TC)
IPD60R2K0C6BTMA1 Infineon Technologies IPD60R2K0C6BTMA1 -
RFQ
ECAD 8023 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C6 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 2.4a (TC) 10V 2OHM @ 760MA, 10V 3,5V a 60µA 6,7 nc @ 10 V ± 20V 140 pf @ 100 V - 22.3W (TC)
AUXTMGPS4070D1 Infineon Technologies AUXTMGPS4070D1 -
RFQ
ECAD 3650 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - Autxmgps - - Alcançar Não Afetado 448-AUXTMGPS4070D1 Ear99 8541.29.0095 1 - - - - -
BCR 116T E6327 Infineon Technologies BCR 116T E6327 -
RFQ
ECAD 7031 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 BCR 116 250 MW PG-SC-75 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies FF17MR12W1M1HB70BPSA1 148.3900
RFQ
ECAD 24 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™ Bandeja Ativo - Montagem do chassi Módlo FF17MR12 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) - Ag-Easy1b - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 24 - 1200V (1,2kV) - - - - - -
IRFL4315PBF Infineon Technologies IRFL4315pbf -
RFQ
ECAD 1101 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001554908 Ear99 8541.29.0095 80 N-canal 150 v 2.6a (ta) 10V 185mohm @ 1.6a, 10V 5V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 30V 420 pf @ 25 V - 2.8W (TA)
IRF7555TR Infineon Technologies IRF7555TR -
RFQ
ECAD 4199 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem na Superfície 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) IRF7555 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.25W Micro8 ™ download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Duplo) 20V 4.3a 55mohm @ 4.3a, 4.5V 1.2V a 250µA 15NC @ 5V 1066pf @ 10V Portão de Nível Lógico
FP50R12KT3BOSA1 Infineon Technologies FP50R12KT3BOSA1 181.1200
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FP50R12 280 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor Trifásico - 1200 v 75 a 2.15V @ 15V, 50A 5 MA Sim 3,5 NF @ 25 V
IPD50N03S2-07 Infineon Technologies IPD50N03S2-07 -
RFQ
ECAD 2722 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD50 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3-1 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 50a (TC) 10V 7.3mohm @ 50a, 10V 4V @ 85µA 68 nc @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 136W (TC)
BF888H6327XTSA1 Infineon Technologies BF888H6327XTSA1 0,2385
RFQ
ECAD 8925 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-82A, SOT-343 BF888 160mW PG-SOT343-4-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 27dB 4V 30Ma Npn 250 @ 25A, 3V 47 GHz 0,5dB ~ 0,85dB A 1,8 GHz ~ 6GHz
IRGSL6B60KPBF Infineon Technologies IRGSL6B60KPBF -
RFQ
ECAD 5487 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA Irgsl6 Padrão 90 w To-262 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 400V, 5A, 100OHM, 15V NPT 600 v 13 a 26 a 2.2V @ 15V, 5A 110µJ (ON), 135µJ (Off) 18.2 NC 25ns/215ns
IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies IGB50N65S5ATMA1 3.9100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ 5 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IGB50 Padrão 270 w PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 400V, 50A, 8.2OHM, 15V Parada de Campo da Trinceira 650 v 80 a 200 a 1.7V @ 15V, 50A 1,23MJ (ON), 740µJ (Desligado) 120 NC 20ns/139ns
BSD816SNL6327HTSA1 Infineon Technologies BSD816SNL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 2703 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 1.4a (ta) 1.8V, 2,5V 160mohm @ 1.4a, 2.5V 950mv @ 3.7µA 0,6 nc @ 2,5 V ± 8V 180 pf @ 10 V - 500mW (TA)
IPW65R080CFDAFKSA1 Infineon Technologies IPW65R080CFDAFKSA1 12.7400
RFQ
ECAD 950 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Coolmos ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IPW65R080 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 650 v 43.3a (TC) 10V 80mohm @ 17.6a, 10V 4.5V @ 1.76MA 161 NC @ 10 V ± 20V 4440 PF @ 100 V - 391W (TC)
BCX6816E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX6816E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 6184 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA BCX68 3 w PG-SOT89 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 20 v 1 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500mA, 1V 100MHz
IRF7526D1TR Infineon Technologies IRF7526D1TR -
RFQ
ECAD 1153 0,00000000 Tecnologias Infineon Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro8 ™ download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 30 v 2a (ta) 4.5V, 10V 200mohm @ 1.2a, 10V 1V a 250µA 11 NC @ 10 V ± 20V 180 pf @ 25 V Diodo Schottky (Isolado) 1.25W (TA)
DD600S17K3B2NOSA1 Infineon Technologies DD600S17K3B2NOSA1 922.2700
RFQ
ECAD 20 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo Padrão - download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 2 Independente - 1700 v - Não
IPP051N15N5XKSA1 Infineon Technologies IPP051N15N5XKSA1 6.2800
RFQ
ECAD 4245 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 5 Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 448-IPP051N15N5XKSA1 500 N-canal 150 v 120A (TC) 8V, 10V 5.1mohm @ 60a, 10V 4.6V A 264µA 100 nc @ 10 V ± 20V 7800 pf @ 75 V - 300W (TC)
SPD08P06P Infineon Technologies SPD08P06P -
RFQ
ECAD 3599 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SPD08P MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 60 v 8.83a (TA) 300mohm @ 6.2a, 10V 4V A 250µA 13 NC @ 10 V 420 pf @ 25 V - 42W (TC)
IRG4RC10KPBF Infineon Technologies IRG4RC10KPBF -
RFQ
ECAD 8737 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão 38 w D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 480V, 5A, 100OHM, 15V - 600 v 9 a 18 a 2.62V @ 15V, 5A 160µJ (ON), 100µJ (OFF) 19 NC 11ns/51ns
IRFR2905ZTR Infineon Technologies IRFR2905ZTR -
RFQ
ECAD 1129 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001566952 Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 55 v 42a (TC) 10V 14.5mohm @ 36a, 10V 4V A 250µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1380 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRF3205ZLPBF Infineon Technologies IRF3205ZLPBF 1.6900
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IRF3205 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 6.5mohm @ 66a, 10V 4V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V 3450 pf @ 25 V - 170W (TC)
IRLU8743PBF Infineon Technologies IRLU8743PBF 1.7000
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IRLU8743 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) IPAK (TO-251AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 30 v 160A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 25a, 10V 2.35V @ 100µA 59 NC a 4,5 V ± 20V 4880 PF @ 15 V - 135W (TC)
BCV47E6327HTSA1 Infineon Technologies BCV47E6327HTSA1 0,4700
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV47 360 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 500 MA 100na (ICBO) NPN - Darlington 1V @ 100µA, 100mA 10000 @ 100mA, 5V 170MHz
IPI25N06S3L-22 Infineon Technologies IPI25N06S3L-22 -
RFQ
ECAD 8773 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI25N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 55 v 25a (TC) 5V, 10V 21.6mohm @ 17a, 10V 2.2V @ 20µA 47 nc @ 10 V ± 16V 2260 pf @ 25 V - 50W (TC)
BCP5216H6327XTSA1 Infineon Technologies BCP5216H6327XTSA1 0,2968
RFQ
ECAD 8844 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA BCP52 2 w PG-SOT223-4-10 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 125MHz
FS450R17OE4PBOSA1 Infineon Technologies FS450R17OE4PBOSA1 1.0000
RFQ
ECAD 2404 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopack ™+ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FS450R17 20 mw Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4 PONTE CONCLUTA Parada de Campo da Trinceira 1700 v 900 a 2.3V @ 15V, 450A 3 MA Sim 36 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque