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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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![]() | FS50R07N2E4BOSA1 | - | ![]() | 4183 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Econopack ™ 2 | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | FS50R07 | 190 w | Padrão | Módlo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor de Ponte Conclua | - | 650 v | 70 a | 1,95V @ 15V, 50A | 1 MA | Sim | 3.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP45N06S409AKSA1 | - | ![]() | 5697 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Ipp45n | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 v | 45a (TC) | 10V | 9.4mohm @ 45a, 10V | 4V @ 34µA | 47 nc @ 10 V | ± 20V | 3785 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPB019N08N3GATMA1 | 6.3700 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | IPB019 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-7 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 80 v | 180A (TC) | 6V, 10V | 1.9mohm @ 100a, 10V | 3,5V A 270µA | 206 nc @ 10 V | ± 20V | 14200 pf @ 40 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSP51H6327XTSA1 | - | ![]() | 8542 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | BSP51 | 1,5 w | PG-SOT223-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 10µA | NPN - Darlington | 1.8V @ 1MA, 1A | 2000 @ 500MA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7341GTRPBF | 2.2500 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF734 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.4W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 55V | 5.1a | 50mohm @ 5.1a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 44NC @ 10V | 780pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AIMZA75R020M1HXKSA1 | 17.0765 | ![]() | 7974 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Tubo | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 448-AIMZA75R020M1HXKSA1 | 240 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC20F | - | ![]() | 4982 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Padrão | 60 w | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRG4BC20F | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 9A, 50OHM, 15V | - | 600 v | 16 a | 64 a | 2V @ 15V, 9A | 70µJ (ON), 600µJ (Off) | 27 NC | 24ns/190ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | Ddb6u75n16w1rboma1 | 74.8000 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | Ddb6u75 | 335 w | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Inversor Trifásico | - | 1200 v | 69 a | 2.15V @ 15V, 50A | 1 MA | Sim | 2.8 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IGC70T120T8RQ | - | ![]() | 9045 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | Morrer | IGC70 | Padrão | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 225 a | 2.42V @ 15V, 75A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64-9150pbf | - | ![]() | 6659 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH8202TRPBF | 1.8200 | ![]() | 5114 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET®, STROTLIRFET ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | IRFH8202 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 25 v | 47A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.05mohm @ 50a, 10V | 2,35V a 150µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 7174 pf @ 13 V | - | 3.6W (TA), 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3709ZS | - | ![]() | 4125 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF3709ZS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 v | 87a (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 21a, 10V | 2,25V a 250µA | 26 NC a 4,5 V | ± 20V | 2130 PF @ 15 V | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3714ZSTRRPBF | - | ![]() | 6827 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 v | 36a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10V | 2,55V a 250µA | 7,2 nc @ 4,5 V | ± 20V | 550 pf @ 10 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC350N20NSFDATMA1 | 3.5900 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSC350 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 200 v | 35a (TC) | 10V | 35mohm @ 35a, 10V | 4V A 90µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 2410 pf @ 100 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF5806 | - | ![]() | 8768 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Micro6 ™ (TSOP-6) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal P. | 20 v | 4a (ta) | 2.5V, 4.5V | 86mohm @ 4a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 11,4 nc a 4,5 V | ± 20V | 594 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | DF80R07W1H5FPB11BPSA1 | 59.2000 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Easypack ™ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | DF80R07 | 20 mw | Padrão | Ag-Easy1b-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 2 Independente | Parada de Campo da Trinceira | 650 v | 40 a | 1.72V @ 15V, 20A | 12 µA | Sim | 2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ800R33KF2CNOSA2 | - | ![]() | 8667 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | FZ800 | 9600 w | Padrão | - | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | - | 3300 v | 1 a | 4.25V @ 15V, 800A | 5 MA | Não | 100 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP299 E6327 | - | ![]() | 3004 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT223-4-21 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 400mA (TA) | 10V | 4ohm @ 400ma, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 400 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IQD063N15NM5ATMA1 | 2.2578 | ![]() | 6779 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 448-IQD063N15NM5ATMA1TR | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB60R600P6ATMA1 | - | ![]() | 4354 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ P6 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB60R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001313874 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 4.5V @ 200µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 557 pf @ 100 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | IPD26N06S2L35ATMA2 | 1.1400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD26N06 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA252-3-11 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 55 v | 30a (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 13a, 10V | 2V @ 26µA | 24 nc @ 10 V | ± 20V | 621 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSD314SPEL6327HTSA1 | - | ![]() | 6790 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT363-PO | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 1.5a (ta) | 4.5V, 10V | 140mohm @ 1.5a, 10V | 2V @ 6.3µA | 2,9 nc @ 10 V | ± 20V | 294 pf @ 15 V | - | 500mW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7460pbf | - | ![]() | 9109 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001559898 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 20 v | 12a (ta) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 12a, 10V | 3V A 250µA | 19 NC @ 4,5 V | ± 20V | 2050 PF @ 10 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80P04P4L04AKSA1 | - | ![]() | 3662 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP80P | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000840200 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P. | 40 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 4.7mohm @ 80a, 10V | 2.2V A 250µA | 176 NC @ 10 V | +5V, -16V | 3800 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Ikw75n60txk | 1.0000 | ![]() | 7047 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD80R2K0P7ATMA1 | 1.1100 | ![]() | 79 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ P7 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD80R2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 v | 3a (TC) | 10V | 2OHM @ 940MA, 10V | 3.5V @ 50µA | 9 nc @ 10 V | ± 20V | 175 pf @ 500 V | - | 24W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPB039N10N3GE8197ATMA1 | 0,8800 | ![]() | 7149 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ 3 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-7-3 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | N-canal | 100 v | 160A (TC) | 6V, 10V | 3.9mohm @ 100a, 10V | 3,5V a 160µA | 117 nc @ 10 V | ± 20V | 8410 pf @ 50 V | - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||||||
IRF7756TRPBF | - | ![]() | 3741 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | IRF775 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | 8-TSSOP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Duplo) | 12V | 4.3a | 40mohm @ 4.3a, 4.5V | 900MV A 250µA | 18NC @ 4.5V | 1400pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3709SPBF | - | ![]() | 6297 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10V | 3V A 250µA | 41 nc @ 5 V | ± 20V | 2672 pf @ 16 V | - | 3.1W (TA), 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IPB048N06LGATMA1 | - | ![]() | 3985 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB048N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 100a (TC) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 100a, 10V | 2V @ 270µA | 225 NC @ 10 V | ± 20V | 7600 pf @ 30 V | - | 300W (TC) |
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