SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
FS50R07N2E4BOSA1 Infineon Technologies FS50R07N2E4BOSA1 -
RFQ
ECAD 4183 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopack ™ 2 Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FS50R07 190 w Padrão Módlo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor de Ponte Conclua - 650 v 70 a 1,95V @ 15V, 50A 1 MA Sim 3.1 NF @ 25 V
IPP45N06S409AKSA1 Infineon Technologies IPP45N06S409AKSA1 -
RFQ
ECAD 5697 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Ipp45n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 60 v 45a (TC) 10V 9.4mohm @ 45a, 10V 4V @ 34µA 47 nc @ 10 V ± 20V 3785 pf @ 25 V - 71W (TC)
IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB019N08N3GATMA1 6.3700
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) IPB019 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-7 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 80 v 180A (TC) 6V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10V 3,5V A 270µA 206 nc @ 10 V ± 20V 14200 pf @ 40 V - 300W (TC)
BSP51H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP51H6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 8542 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA BSP51 1,5 w PG-SOT223-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 1 a 10µA NPN - Darlington 1.8V @ 1MA, 1A 2000 @ 500MA, 10V 200MHz
IRF7341GTRPBF Infineon Technologies IRF7341GTRPBF 2.2500
RFQ
ECAD 20 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF734 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.4W 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 2 canal n (Duplo) 55V 5.1a 50mohm @ 5.1a, 10V 1V @ 250µA (min) 44NC @ 10V 780pf @ 25V -
AIMZA75R020M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R020M1HXKSA1 17.0765
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ECAD 7974 0,00000000 Tecnologias Infineon * Tubo Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 448-AIMZA75R020M1HXKSA1 240
IRG4BC20F Infineon Technologies IRG4BC20F -
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ECAD 4982 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 60 w TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRG4BC20F Ear99 8541.29.0095 50 480V, 9A, 50OHM, 15V - 600 v 16 a 64 a 2V @ 15V, 9A 70µJ (ON), 600µJ (Off) 27 NC 24ns/190ns
DDB6U75N16W1RBOMA1 Infineon Technologies Ddb6u75n16w1rboma1 74.8000
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ECAD 22 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo Ddb6u75 335 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 24 Inversor Trifásico - 1200 v 69 a 2.15V @ 15V, 50A 1 MA Sim 2.8 NF @ 25 V
IGC70T120T8RQ Infineon Technologies IGC70T120T8RQ -
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ECAD 9045 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Descontinuado no sic Montagem na Superfície Morrer IGC70 Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 - Parada de Campo da Trinceira 1200 v 225 a 2.42V @ 15V, 75A - -
64-9150PBF Infineon Technologies 64-9150pbf -
RFQ
ECAD 6659 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 0000.00.0000 1.000 -
IRFH8202TRPBF Infineon Technologies IRFH8202TRPBF 1.8200
RFQ
ECAD 5114 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn IRFH8202 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 25 v 47A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.05mohm @ 50a, 10V 2,35V a 150µA 110 nc @ 10 V ± 20V 7174 pf @ 13 V - 3.6W (TA), 160W (TC)
IRF3709ZS Infineon Technologies IRF3709ZS -
RFQ
ECAD 4125 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRF3709ZS Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 30 v 87a (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10V 2,25V a 250µA 26 NC a 4,5 V ± 20V 2130 PF @ 15 V - 79W (TC)
IRL3714ZSTRRPBF Infineon Technologies IRL3714ZSTRRPBF -
RFQ
ECAD 6827 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 20 v 36a (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 2,55V a 250µA 7,2 nc @ 4,5 V ± 20V 550 pf @ 10 V - 35W (TC)
BSC350N20NSFDATMA1 Infineon Technologies BSC350N20NSFDATMA1 3.5900
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSC350 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 200 v 35a (TC) 10V 35mohm @ 35a, 10V 4V A 90µA 30 NC a 10 V ± 20V 2410 pf @ 100 V - 150W (TC)
IRF5806 Infineon Technologies IRF5806 -
RFQ
ECAD 8768 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro6 ™ (TSOP-6) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 100 Canal P. 20 v 4a (ta) 2.5V, 4.5V 86mohm @ 4a, 4.5V 1.2V a 250µA 11,4 nc a 4,5 V ± 20V 594 pf @ 15 V - 2W (TA)
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 Infineon Technologies DF80R07W1H5FPB11BPSA1 59.2000
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Tecnologias Infineon Easypack ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo DF80R07 20 mw Padrão Ag-Easy1b-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 2 Independente Parada de Campo da Trinceira 650 v 40 a 1.72V @ 15V, 20A 12 µA Sim 2 NF @ 25 V
FZ800R33KF2CNOSA2 Infineon Technologies FZ800R33KF2CNOSA2 -
RFQ
ECAD 8667 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FZ800 9600 w Padrão - download Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Meia Ponte - 3300 v 1 a 4.25V @ 15V, 800A 5 MA Não 100 nf @ 25 V
BSP299 E6327 Infineon Technologies BSP299 E6327 -
RFQ
ECAD 3004 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223-4-21 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 500 v 400mA (TA) 10V 4ohm @ 400ma, 10V 4V @ 1MA ± 20V 400 pf @ 25 V - 1.8W (TA)
IQD063N15NM5ATMA1 Infineon Technologies IQD063N15NM5ATMA1 2.2578
RFQ
ECAD 6779 0,00000000 Tecnologias Infineon * Tape & Reel (TR) Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 448-IQD063N15NM5ATMA1TR 5.000
IPB60R600P6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R600P6ATMA1 -
RFQ
ECAD 4354 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ P6 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001313874 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 4.5V @ 200µA 12 nc @ 10 V ± 20V 557 pf @ 100 V - 63W (TC)
IPD26N06S2L35ATMA2 Infineon Technologies IPD26N06S2L35ATMA2 1.1400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD26N06 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 v 30a (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 13a, 10V 2V @ 26µA 24 nc @ 10 V ± 20V 621 pf @ 25 V - 68W (TC)
BSD314SPEL6327HTSA1 Infineon Technologies BSD314SPEL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 6790 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 30 v 1.5a (ta) 4.5V, 10V 140mohm @ 1.5a, 10V 2V @ 6.3µA 2,9 nc @ 10 V ± 20V 294 pf @ 15 V - 500mW (TA)
IRF7460PBF Infineon Technologies IRF7460pbf -
RFQ
ECAD 9109 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001559898 Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 20 v 12a (ta) 4.5V, 10V 10mohm @ 12a, 10V 3V A 250µA 19 NC @ 4,5 V ± 20V 2050 PF @ 10 V - 2.5W (TA)
IPP80P04P4L04AKSA1 Infineon Technologies IPP80P04P4L04AKSA1 -
RFQ
ECAD 3662 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP80P MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000840200 Ear99 8541.29.0095 500 Canal P. 40 v 80a (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10V 2.2V A 250µA 176 NC @ 10 V +5V, -16V 3800 pf @ 25 V - 125W (TC)
IKW75N60TXK Infineon Technologies Ikw75n60txk 1.0000
RFQ
ECAD 7047 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo download Ear99 8542.39.0001 1
IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies IPD80R2K0P7ATMA1 1.1100
RFQ
ECAD 79 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ P7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD80R2 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 v 3a (TC) 10V 2OHM @ 940MA, 10V 3.5V @ 50µA 9 nc @ 10 V ± 20V 175 pf @ 500 V - 24W (TC)
IPB039N10N3GE8197ATMA1 Infineon Technologies IPB039N10N3GE8197ATMA1 0,8800
RFQ
ECAD 7149 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 3 Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-7-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 3 N-canal 100 v 160A (TC) 6V, 10V 3.9mohm @ 100a, 10V 3,5V a 160µA 117 nc @ 10 V ± 20V 8410 pf @ 50 V - 214W (TC)
IRF7756TRPBF Infineon Technologies IRF7756TRPBF -
RFQ
ECAD 3741 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) IRF775 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1w 8-TSSOP download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Duplo) 12V 4.3a 40mohm @ 4.3a, 4.5V 900MV A 250µA 18NC @ 4.5V 1400pf @ 10V Portão de Nível Lógico
IRF3709SPBF Infineon Technologies IRF3709SPBF -
RFQ
ECAD 6297 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 3V A 250µA 41 nc @ 5 V ± 20V 2672 pf @ 16 V - 3.1W (TA), 120W (TC)
IPB048N06LGATMA1 Infineon Technologies IPB048N06LGATMA1 -
RFQ
ECAD 3985 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB048N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 60 v 100a (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 100a, 10V 2V @ 270µA 225 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 30 V - 300W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque