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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
IPU95R3K7P7AKMA1 Infineon Technologies IPU95R3K7P7AKMA1 1.2100
RFQ
 ECAD 917 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ P7 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IPU95R3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A251-3 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 950 v 2a (TC) 10V 3.7ohm @ 800mA, 10V 3.5V @ 40µA 6 nc @ 10 V ± 20V 196 pf @ 400 V - 22W (TC)
FP10R12YT3B4BOMA1 Infineon Technologies FP10R12YT3B4BOMA1 75.1800
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 ECAD 5917 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Não é para desenhos para Novos FP10R12 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 0000.00.0000 20
BCR22PNH6433XTMA1 Infineon Technologies BCR22PNH6433XTMA1 0,0975
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 ECAD 1081 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra Montagem na Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR22 250mw PG-SOT363-PO download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 10.000 50V 100mA - 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 130MHz 22kohms 22kohms
BCW67BE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW67BE6327HTSA1 0,0662
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 ECAD 7930 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW67 330 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 32 v 800 mA 20na (ICBO) Pnp 700mv @ 50Ma, 500mA 160 @ 100MA, 1V 200MHz
IPP100N06S3L-04 Infineon Technologies IPP100N06S3L-04 -
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 ECAD 5531 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP100N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 55 v 100a (TC) 5V, 10V 3.8mohm @ 80a, 10V 2.2V @ 150µA 362 nc @ 10 V ± 16V 17270 pf @ 25 V - 214W (TC)
IRFR9024NTRLPBF Infineon Technologies IRFR9024NTRLPBF 1.1000
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 ECAD 13 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRFR9024 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 55 v 11a (TC) 10V 175mohm @ 6.6a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
BCX42E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX42E6327HTSA1 0,3900
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 ECAD 17 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX42 330 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 125 v 800 mA 10µA Pnp 900mv @ 30Ma, 300mA 40 @ 200Ma, 1V 150MHz
FS75R12KT4BPSA2 Infineon Technologies FS75R12KT4BPSA2 153.0900
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 ECAD 9747 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopack ™ 2 Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FS75R12 20 mw Padrão Ag-Econo2b download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 15 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1200 v 75 a 2.15V @ 15V, 75A 1 MA Sim 4.3 NF @ 25 V
64-4060PBF Infineon Technologies 64-4060pbf -
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 ECAD 3087 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo - 64-4060 - - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Ikw75n65el5xksa1 9.2400
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 ECAD 1735 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ 5 Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IKW75N65 Padrão 536 w PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 4OHM, 15V 114 ns - 650 v 80 a 300 a 1.35V @ 15V, 75A 1,61MJ (ON), 3,2MJ (Desligado) 436 NC 40ns/275ns
FS200T12A1T4BOSA1 Infineon Technologies FS200T12A1T4BOSA1 -
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 ECAD 7984 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto - - - FS200T12 - - - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000840730 Obsoleto 0000.00.0000 1 - - -
BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP324H6327XTSA1 0,9100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA BSP324 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 400 v 170mA (TA) 4.5V, 10V 25ohm a 170mA, 10V 2.3V a 94µA 5,9 nc @ 10 V ± 20V 154 pf @ 25 V - 1.8W (TA)
IRGP4750DPBF Infineon Technologies IRGP4750DPBF -
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 ECAD 6432 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 273 w TO-247AC download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 25 400V, 35A, 10OHM, 15V 150 ns - 650 v 70 a 105 a 2V @ 15V, 35a 1,3MJ (ON), 500µJ (desligado) 105 NC 50ns/105ns
FF600R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies FF600R17KF6CB2NOSA1 -
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 ECAD 1801 0,00000000 Tecnologias Infineon IHM-B Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 4800 w Padrão - download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2 2 Independente - 1700 v 3.1V @ 15V, 600A 5 MA Não 40 NF @ 25 V
BSM25GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies BSM25GD120DN2BOSA1 144.1820
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 ECAD 9997 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Não é para desenhos para Novos 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo BSM25GD120 200 w Padrão Módlo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 PONTE CONCLUTA - 1200 v 35 a 3V @ 15V, 25A 800 µA Não 1,65 NF @ 25 V
IRF3703PBF Infineon Technologies IRF3703PBF 4.1700
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 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRF3703 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 30 v 210a (TC) 7V, 10V 2.8mohm @ 76a, 10V 4V A 250µA 209 NC @ 10 V ± 20V 8250 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 230W (TC)
ICA32V20X1SA1 Infineon Technologies ICA32V20X1SA1 -
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 ECAD 6827 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Obsoleto download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001113920 Obsoleto 0000.00.0000 1
BCX6916E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX6916E6327HTSA1 -
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 ECAD 8143 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA BCX69 3 w PG-SOT89 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 20 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500mA, 1V 100MHz
FS100R12N2T4PBPSA1 Infineon Technologies FS100R12N2T4PBPSA1 222.8620
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 ECAD 5066 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopack ™ 2 Bandeja Ativo - - - FS100R12 - - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001622498 Ear99 8541.29.0095 10 - - -
IPI65R660CFDXKSA1 Infineon Technologies IPI65R660CFDXKSA1 -
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 ECAD 3823 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI65R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 650 v 6a (TC) 10V 660mohm @ 2.1a, 10V 4.5V @ 200µA 22 NC @ 10 V ± 20V 615 pf @ 100 V - 62.5W (TC)
IKW20N60TFKSA1 Infineon Technologies Ikw20n60tfksa1 4.6400
RFQ
 ECAD 164 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop® Tubo Ativo - Através do buraco To-247-3 IKW20N60 Padrão 166 w PG-PARA247-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 12OHM, 15V 41 ns Parada de Campo da Trinceira 600 v 40 a 60 a 2.05V @ 15V, 20A 770µJ 120 NC 18ns/199ns
IPA50R380CE Infineon Technologies IPA50R380CE -
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 ECAD 4249 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA50R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A220-FP download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 9.9a (TC) 13V 380mohm @ 3.2a, 13V 3,5V a 260µA 24,8 nc @ 10 V ± 20V 584 PF @ 100 V - 29.2W (TC)
IPA028N08N3G Infineon Technologies IPA028N08N3G 3.8000
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 ECAD 5 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 3 Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-111 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 80 v 89a (TC) 6V, 10V 2.8mohm @ 89a, 10V 3,5V A 270µA 206 nc @ 10 V ± 20V 14200 pf @ 40 V - 42W (TC)
IRL3302PBF Infineon Technologies IRL3302pbf -
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 ECAD 8123 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 20 v 39a (TC) 4.5V, 7V 20mohm @ 23a, 7V 700mv @ 250µA (min) 31 NC a 4,5 V ± 10V 1300 pf @ 15 V - 57W (TC)
IRF2204SPBF Infineon Technologies IRF2204SPBF -
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 ECAD 1732 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRF2204 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 40 v 170A (TC) 10V 3.6mohm @ 130a, 10V 4V A 250µA 200 nc @ 10 V ± 20V 5890 pf @ 25 V - 200W (TC)
FS50R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies FS50R12W2T4BOMA1 70.2800
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Tecnologias Infineon Easypack ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FS50R12 335 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 15 Inversor de Ponte Conclua Parada de Campo da Trinceira 1200 v 83 a 2.15V @ 15V, 50A 1 MA Sim 2.8 NF @ 25 V
IRG4BC30FD-S Infineon Technologies IRG4BC30FD-S -
RFQ
 ECAD 5962 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 100 w D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRG4BC30FD-S Ear99 8541.29.0095 50 480V, 17a, 23ohm, 15v 42 ns - 600 v 31 a 120 a 1.8V @ 15V, 17a 630µJ (ON), 1,39MJ (OFF) 51 NC 42ns/230ns
FZ1200R17HP4HOSA2 Infineon Technologies FZ1200R17HP4HOSA2 673.7900
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 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon IHM-B Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FZ1200 7800 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2 Switch Único Trincheira 1700 v 1200 a 2.25V @ 15V, 1200A 5 MA Não 97 NF @ 25 V
IRF520NLPBF Infineon Technologies IRF520NLPBF -
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 ECAD 2323 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRF520NLPBF Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 9.7a (TC) 10V 200mohm @ 5.7a, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 20V 330 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 48W (TC)
BSM300GA170DLCHOSA1 Infineon Technologies BSM300GA170DLCHOSA1 -
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 ECAD 3059 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo BSM300 2520 w Padrão Módlo - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Solteiro - 1700 v 600 a 3.2V @ 15V, 300A 600 µA Não 20 NF @ 25 V
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