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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
IPW80R290C3AFKSA1 Infineon Technologies IPW80R290C3AFKSA1 -
RFQ
 ECAD 3365 0,00000000 Tecnologias Infineon * Tubo Obsoleto IPW80R download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240
IRF7313PBF Infineon Technologies IRF7313PBF -
RFQ
 ECAD 8223 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF731 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001566122 Ear99 8541.29.0095 95 2 canal n (Duplo) 30V 6.5a 29mohm @ 5.8a, 10V 1V a 250µA 33NC @ 10V 650pf @ 25V -
IRGP4269DPBF Infineon Technologies IRGP4269DPBF -
RFQ
 ECAD 8626 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001546196 Ear99 8541.29.0095 240
IKY50N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Iky50n120ch7xksa1 12.0300
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 ECAD 230 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-4 IKY50N120 Padrão 398 w PG-PARA247-4-U10 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 - 86 ns Parada de Campo da Trinceira 1200 v 75 a 200 a 2.15V @ 15V, 50A 1,09MJ (ON), 1,33MJ (Desligado) 372 NC 35ns/331ns
IGW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies IGW75N60H3FKSA1 8.0400
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 ECAD 240 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop® Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IGW75N60 Padrão 428 w PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 5.2OHM, 15V Parada de Campo da Trinceira 600 v 140 a 225 a 2.3V @ 15V, 75A 3mj (ON), 1,7MJ (Desligado) 470 NC 31ns/265ns
FF150R12KE3B8BDLA1 Infineon Technologies FF150R12KE3B8BDLA1 82.6800
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 ECAD 40 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 1250 w Padrão Ag-62mm download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 Meia Ponte - 1200 v 225 a 3.7V @ 15V, 150a 5 MA Não 11 NF @ 25 V
IPI50R299CPXKSA1 Infineon Technologies IPI50R299CPXKSA1 -
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 ECAD 5899 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI50R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 500 v 12a (TC) 10V 299mohm @ 6.6a, 10V 3.5V @ 440µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1190 pf @ 100 V - 104W (TC)
IRFI530N Infineon Technologies IRFI530N -
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 ECAD 1750 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A220-FP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRFI530N Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 12a (TC) 10V 110mohm @ 6.6a, 10V 4V A 250µA 44 NC @ 10 V ± 20V 640 pf @ 25 V - 41W (TC)
IRF7331PBF Infineon Technologies IRF7331pbf -
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 ECAD 1272 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF733 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001577400 Ear99 8541.29.0095 95 2 canal n (Duplo) 20V 7a 30mohm @ 7a, 4.5V 1.2V a 250µA 20NC @ 4.5V 1340pf @ 16V Portão de Nível Lógico
FZ1600R17KE3NOSA1 Infineon Technologies FZ1600R17KE3NOSA1 1.0000
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 ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Não é para desenhos para Novos -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FZ1600 8950 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2 Inversor Trifásico NPT 1700 v 2300 a 2.45V @ 15V, 600A 5 MA Sim 145 NF @ 25 V
IRFHM830TRPBF Infineon Technologies IRFHM830TRPBF 0,9300
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 ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn IRFHM830 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 v 21a (ta), 40a (tc) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 2.35V @ 50µA 31 NC @ 10 V ± 20V 2155 pf @ 25 V - 2.7W (TA), 37W (TC)
IRG4BC20FD-SPBF Infineon Technologies IRG4BC20FD-SPBF -
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 ECAD 2778 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 60 w D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRG4BC20FD-SPBF Ear99 8541.29.0095 50 480V, 9A, 50OHM, 15V 37 ns - 600 v 16 a 64 a 2V @ 15V, 9A 250µJ (ON), 640µJ (Desligado) 27 NC 43ns/240ns
IRL3715STRRPBF Infineon Technologies IRL3715STRPBF -
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 ECAD 9892 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 20 v 54a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 26a, 10V 3V A 250µA 17 NC @ 4,5 V ± 20V 1060 pf @ 10 V - 3.8W (TA), 71W (TC)
AUIRFN8458TR Infineon Technologies AUIRFN8458TR 2.5300
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 ECAD 8841 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn AUIRFN8458 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 34W (TC) PQFN (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 2 canal n (Duplo) 40V 43a (TC) 10mohm @ 26a, 10V 3.9V @ 25µA 33NC @ 10V 1060pf @ 25V -
IRL520NSTRL Infineon Technologies IRL520nstrl -
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 ECAD 8309 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 10a (TC) 4V, 10V 180mohm @ 6a, 10V 2V A 250µA 20 NC @ 5 V ± 16V 440 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 48W (TC)
FS6R06VE3B2BOMA1 Infineon Technologies FS6R06VE3B2BOMA1 -
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 ECAD 8156 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FS6R06 40,5 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 40 PONTE CONCLUTA - 600 v 11 a 2V @ 15V, 6a 1 MA Sim 330 pf @ 25 V
IRFI4024H-117P Infineon Technologies IRFI4024H-117P -
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 ECAD 7629 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-5 IRFI4024 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 14w To-220-5 Pak cheio download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 2 canal n (Duplo) 55V 11a 60mohm @ 7.7a, 10V 4V @ 25µA 13NC @ 10V 320pf @ 50V -
IRF6620TR1 Infineon Technologies IRF6620TR1 -
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 ECAD 2602 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFET ™ isométrico MX MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFET ™ MX download Rohs Não Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado SP001530074 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 20 v 27a (ta), 150a (tc) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 27a, 10v 2,45V a 250µA 42 NC a 4,5 V ± 20V 4130 PF @ 10 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
AUIRFR3607 Infineon Technologies AUIRFR3607 -
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 ECAD 7479 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 AUIRFR3607 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001521766 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 v 56a (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10V 4V @ 100µA 84 nc @ 10 V ± 20V 3070 pf @ 50 V - 140W (TC)
IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies IPB65R045C7ATMA2 14.6900
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 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB65R045 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 650 v 46a (TC) 10V 45mohm @ 24.9a, 10V 4V A 1,25mA 93 NC @ 10 V ± 20V 4340 PF @ 400 V - 227W (TC)
BSO094N03S Infineon Technologies BSO094N03S -
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 ECAD 6920 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-DSO-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 10a (ta) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 13a, 10v 2V @ 30µA 18 NC @ 5 V ± 20V 2300 pf @ 15 V - 1.56W (TA)
IRF7402TR Infineon Technologies IRF7402TR -
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 ECAD 7683 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 20 v 6.8a (ta) 2.7V, 4.5V 35mohm @ 4.1a, 4.5V 700mv @ 250µA (min) 22 NC a 4,5 V ± 12V 650 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRL1404ZSPBF Infineon Technologies IRL1404ZSPBF -
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 ECAD 8509 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 40 v 75a (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 75a, 10V 2.7V @ 250µA 110 nc @ 5 V ± 16V 5080 pf @ 25 V - 230W (TC)
IRLR024ZTRPBF Infineon Technologies IRLR024ZTRPBF -
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 ECAD 5633 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 55 v 16a (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 9.6a, 10V 3V A 250µA 9,9 nc @ 5 V ± 16V 380 pf @ 25 V - 35W (TC)
BCP5216H6327XTSA1 Infineon Technologies BCP5216H6327XTSA1 0,2968
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 ECAD 8844 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA BCP52 2 w PG-SOT223-4-10 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 125MHz
IRF7205PBF Infineon Technologies IRF7205pbf -
RFQ
 ECAD 5123 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 95 Canal P. 30 v 4.6a (ta) 4.5V, 10V 70mohm @ 4.6a, 10V 3V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 20V 870 pf @ 10 V - 2.5W (TC)
IRFR18N15DTR Infineon Technologies IRFR18N15DTR -
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 ECAD 4188 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 150 v 18a (TC) 10V 125mohm @ 11a, 10V 5,5V A 250µA 43 nc @ 10 V ± 30V 900 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRF540NSPBF Infineon Technologies IRF540NSPBF -
RFQ
 ECAD 5013 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 33a (TC) 10V 44mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 71 nc @ 10 V ± 20V 1960 pf @ 25 V - 130W (TC)
PTAC260302SCV1S250XTMA1 Infineon Technologies PTAC260302SCV1S250XTMA1 -
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 ECAD 7626 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - - - - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001093910 Obsoleto 0000.00.0000 250 - - - - -
IPU64CN10N G Infineon Technologies IPU64CN10N G. -
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 ECAD 3505 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IPU64C MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A251-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 100 v 17a (TC) 10V 64mohm @ 17a, 10V 4V @ 20µA 9 nc @ 10 V ± 20V 569 pf @ 50 V - 44W (TC)
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