SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
IRG4RC10STRL Infineon Technologies IRG4RC10STRL -
RFQ
ECAD 9444 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRG4RC10S Padrão 38 w D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 480V, 8A, 100OHM, 15V - 600 v 14 a 18 a 1.8V @ 15V, 8a 140µJ (ON), 2,58MJ (Desligado) 15 NC 25ns/630ns
IPDQ65R060CFD7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R060CFD7AXTMA1 5.9223
RFQ
ECAD 7256 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Módulo 22-powerBsop MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HDDDSOP-22-1 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 750 N-canal 650 v 45a (TC) 10V 60mohm @ 16.4a, 10V 4,5V a 820µA 65 nc @ 10 V ± 20V 3288 PF @ 400 V - 272W (TC)
BSS159NH6906XTSA1 Infineon Technologies BSS159NH6906XTSA1 0,7800
RFQ
ECAD 35 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS159 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 230mA (TA) 0V, 10V 3.5OHM @ 160MA, 10V 2.4V @ 26µA 2,9 nc @ 5 V ± 20V 44 pf @ 25 V Modo de Esgotamento 360MW (TA)
IRF7607 Infineon Technologies IRF7607 -
RFQ
ECAD 3385 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro8 ™ download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 20 v 6.5a (ta) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6.5a, 4.5V 1.2V a 250µA 22 NC @ 5 V ± 12V 1310 pf @ 15 V - 1.8W (TA)
PTFA211801E V4 Infineon Technologies PTFA211801E V4 -
RFQ
ECAD 2716 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto 65 v Montagem do chassi H-36260-2 PTFA211801 2,14 GHz LDMOS H-36260-2 download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 35 10µA 1.2 a 35W 15.5dB - 28 v
BCR133WE6327 Infineon Technologies BCR133WE6327 -
RFQ
ECAD 7553 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo BCR133 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000
IPP65R150CFDXKSA2 Infineon Technologies IPP65R150CFDXKSA2 4.6900
RFQ
ECAD 6540 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CFD2 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP65R150 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 22.4a (TC) 10V 150mohm @ 9.3a, 10V 4.5V A 900µA 86 nc @ 10 V ± 20V 2340 pf @ 100 V - 195.3W (TC)
IRG8CH10K10F Infineon Technologies IRG8CH10K10F -
RFQ
ECAD 1362 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície Morrer IRG8CH Padrão Morrer download Não Aplicável Alcançar Não Afetado SP001537442 Obsoleto 0000.00.0000 1 600V, 5A, 47OHM, 15V - 1200 v 2V @ 15V, 5A - 30 NC 20ns/160ns
AIMZA75R090M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R090M1HXKSA1 7.9761
RFQ
ECAD 2034 0,00000000 Tecnologias Infineon * Tubo Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 448-AIMZA75R090M1HXKSA1 240
BSS126 E6327 Infineon Technologies BSS126 E6327 -
RFQ
ECAD 1597 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 600 v 21Ma (ta) 0V, 10V 500OHM @ 16MA, 10V 1.6V @ 8µA 2.1 NC @ 5 V ± 20V 28 pf @ 25 V Modo de Esgotamento 500mW (TA)
IRLR3714PBF Infineon Technologies IRLR3714PBF -
RFQ
ECAD 5691 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001578840 Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 20 v 36a (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10V 3V A 250µA 9,7 nc a 4,5 V ± 20V 670 pf @ 10 V - 47W (TC)
IPA60R125C6E8191XKSA1 Infineon Technologies IPA60R125C6E8191XKSA1 -
RFQ
ECAD 2694 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto IPA60R download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001214406 Ear99 8541.29.0095 500 -
IPP70N04S307AKSA1 Infineon Technologies IPP70N04S307AKSA1 -
RFQ
ECAD 6411 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP70N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 40 v 80a (TC) 10V 6.5mohm @ 70A, 10V 4V @ 50µA 40 nc @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 79W (TC)
IRF9540NSTRLPBF Infineon Technologies IRF9540NSTRLPBF 2.4900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRF9540 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 Canal P. 100 v 23a (TC) 10V 117mohm @ 14a, 10v 4V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V 1450 PF @ 25 V - 3.1W (TA), 110W (TC)
BFR750L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies BFR750L3RHE6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 5917 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 BFR750 360mw PG-TSLP-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 15.000 21dB 4.7V 90mA Npn 160 @ 60MA, 3V 37 GHz 0,6dB ~ 1,1dB a 1,8 GHz ~ 6GHz
BSM50GX120DN2BOSA1 Infineon Technologies BSM50GX120DN2BOSA1 162.1200
RFQ
ECAD 8104 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Última Vez compra BSM50G - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10
DD1200S12H4HOSA1 Infineon Technologies DD1200S12H4HOSA1 852.4250
RFQ
ECAD 5727 0,00000000 Tecnologias Infineon IHM-B Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo DD1200 1200000 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2 2 Independente - 1200 v 1200 a 2.35V @ 15V, 1200A Não
IRF9540NPBF Infineon Technologies IRF9540NPBF 1.6300
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRF9540 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 100 v 23a (TC) 10V 117mohm @ 11a, 10V 4V A 250µA 97 nc @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 140W (TC)
IPB65R190CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPB65R190CFD7AATMA1 4.3100
RFQ
ECAD 5315 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB65R190 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 650 v 14a (TC) 190mohm @ 6.4a, 10V 4.5V @ 320µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1291 pf @ 400 V - 77W (TC)
IHW30N135R3 Infineon Technologies IHW30N135R3 2.5500
RFQ
ECAD 1532 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 349 w PG-A247-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 88 600V, 30A, 10OHM, 15V Parada de Campo da Trinceira 1350 v 60 a 90 a 1.85V @ 15V, 30A 1,93MJ (Desligado) 263 NC -/337ns
IPA50R190CE Infineon Technologies IPA50R190CE -
RFQ
ECAD 4418 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA50R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A220-FP download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 500 v 18.5a (TC) 13V 190mohm @ 6.2a, 13V 3,5V a 510µA 47,2 nc @ 10 V ± 20V 1137 pf @ 100 V - 32W (TC)
IRLSL3034PBF Infineon Technologies IRLSL3034PBF -
RFQ
ECAD 9246 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001558586 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 40 v 195a (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 195a, 10V 2,5V a 250µA 162 NC @ 4,5 V ± 20V 10315 pf @ 25 V - 375W (TC)
IRF135S203 Infineon Technologies IRF135S203 3.0000
RFQ
ECAD 524 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRF135 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 135 v 129a (TC) 10V 8.4mohm @ 77a, 10V 4V A 250µA 270 nc @ 10 V ± 20V 9700 pf @ 50 V - 441W (TC)
SPD07N60C3BTMA1 Infineon Technologies SPD07N60C3BTMA1 -
RFQ
ECAD 6640 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SPD07N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 v 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V A 350µA 27 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 83W (TC)
AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies AIKW50N65DH5XKSA1 11.1100
RFQ
ECAD 7873 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5 Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 AIKW50 Padrão 270 w PG-PARA247-3-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12OHM, 15V Trincheira 650 v 150 a 2.1V @ 15V, 50A 490µJ (ON), 140µJ (Off) 1018 NC 21ns/156ns
IRG7CH81K10EF-R Infineon Technologies IRG7CH81K10EF-R -
RFQ
ECAD 7575 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície Morrer IRG7CH Padrão Morrer download Não Aplicável Alcançar Não Afetado SP001537294 Obsoleto 0000.00.0000 1 600V, 150A, 1OHM, 15V - 1200 v 2.3V @ 15V, 150a - 745 NC 70ns/330ns
IRG7S313UTRLPBF Infineon Technologies IRG7S313UTRLPBF -
RFQ
ECAD 6415 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRG7S313U Padrão 78 w D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 196V, 12a, 10ohm Trincheira 330 v 40 a 2.14V @ 15V, 60a - 33 NC 1ns/65ns
BF517E6327 Infineon Technologies BF517E6327 -
RFQ
ECAD 4080 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 280mW PG-SOT23-3-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 13dB 15V 25Ma Npn 40 @ 2MA, 1V 2,5 GHz 3,5dB @ 800MHz
FD1200R17KE3KB2NOSA1 Infineon Technologies FD1200R17KE3KB2NOSA1 -
RFQ
ECAD 1695 0,00000000 Tecnologias Infineon IHM-B Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 6600 w Padrão Módlo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2 Helicóptero único - 1700 v 1700 a 2.45V @ 15V, 1.2ka 5 MA Não 110 NF @ 25 V
FS13MR12W2M1HC55BPSA1 Infineon Technologies FS13MR12W2M1HC55BPSA1 307.2100
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 15
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque