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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
IRFS5620PBF Infineon Technologies IRFS5620pbf -
RFQ
 ECAD 2922 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001565120 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 200 v 24a (TC) 10V 77.5mohm @ 15a, 10v 5V @ 100µA 38 nc @ 10 V ± 20V 1710 pf @ 50 V - 144W (TC)
FF225R12MS4BOSA1 Infineon Technologies FF225R12MS4BOSA1 235.2000
RFQ
 ECAD 4576 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FF225R12 1450 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 2 Independente - 1200 v 275 a 3.7V @ 15V, 225a 5 MA Sim 15 NF @ 25 V
AIHD10N60RATMA1 Infineon Technologies AIHD10N60RATMA1 -
RFQ
 ECAD 4575 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 AIHD10 Padrão 150 w PG-PARA252-3-313 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001346846 Ear99 8541.29.0095 2.500 400V, 10A, 23OHM, 15V Parada de Campo da Trinceira 600 v 20 a 30 a 2.1V @ 15V, 10A 210µJ (ON), 380µJ (Desligado) 64 NC 14ns/192ns
SPB03N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPB03N60C3ATMA1 -
RFQ
 ECAD 6791 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Spb03n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 650 v 3.2a (TC) 10V 1.4OHM @ 2A, 10V 3,9V A 135µA 17 NC @ 10 V ± 20V 400 pf @ 25 V - 38W (TC)
BCR192WE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR192WE6327HTSA1 -
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 ECAD 5723 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BCR192 250 MW PG-SOT323 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
IRFS4321-7PPBF Infineon Technologies IRFS4321-7PPBF -
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 ECAD 3979 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (7 derivados) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001568032 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 v 86a (TC) 10V 14.7mohm @ 34a, 10V 5V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V 4460 pf @ 50 V - 350W (TC)
DF15MR12W1M1B67BOMA1 Infineon Technologies DF15MR12W1M1B67BOMA1 -
RFQ
 ECAD 1571 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto DF15MR12 - - Obsoleto 1 -
BSS316NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSS316NL6327HTSA1 -
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 ECAD 8612 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 v 1.4a (ta) 4.5V, 10V 160mohm @ 1.4a, 10V 2V @ 3,7µA 0,6 nc @ 5 V ± 20V 94 pf @ 15 V - 500mW (TA)
IKD06N60RFAATMA1 Infineon Technologies IKD06N60RFAATMA1 -
RFQ
 ECAD 8506 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Trenchstop ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão 100 w PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 400V, 6A, 23OHM, 15V 48 ns Trincheira 600 v 12 a 18 a 2.5V @ 15V, 6a 90µJ (ON), 90µJ (Off) 48 NC 8ns/105ns
MMBTA06LT1 Infineon Technologies MMBTA06LT1 1.0000
RFQ
 ECAD 9625 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 (TO-236) download Rohs Não Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 80 v 500 MA 100na Npn 250mv @ 10ma, 100mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
IPP50R350CPHKSA1 Infineon Technologies IPP50R350CPHKSA1 -
RFQ
 ECAD 4050 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP50R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000236069 Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 500 v 10a (TC) 10V 350mohm @ 5.6a, 10V 3.5V @ 370µA 25 nc @ 10 V ± 20V 1020 pf @ 100 V - 89W (TC)
IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies Ikw30n60tfksa1 5.1400
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 ECAD 7882 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop® Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IKW30N60 Padrão 187 w PG-PARA247-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10.6OHM, 15V 143 ns Parada de Campo da Trinceira 600 v 60 a 90 a 2.05V @ 15V, 30A 1,46mj 167 NC 23ns/254ns
IRF9Z24NLPBF Infineon Technologies Irf9z24nlpbf -
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 ECAD 4578 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *Irf9z24nlpbf Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 55 v 12a (TC) 10V 175mohm @ 7.2a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 45W (TC)
FP10R12W1T4BOMA1 Infineon Technologies FP10R12W1T4BOMA1 40.0500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon EASYPIM ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FP10R12 105 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 24 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1200 v 20 a 2.25V @ 15V, 10A 1 MA Sim 600 pf @ 25 V
IRG4PH30KD Infineon Technologies IRG4PH30KD -
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 ECAD 2205 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRG4PH30 Padrão 100 w TO-247AC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRG4PH30KD Ear99 8541.29.0095 25 800V, 10A, 23OHM, 15V 50 ns - 1200 v 20 a 40 a 4.2V @ 15V, 10A 950µJ (ON), 1,15MJ (OFF) 53 NC 39NS/220NS
IPF05N03LA G Infineon Technologies IPF05N03LA g -
RFQ
 ECAD 7982 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPF05N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 v 50a (TC) 4.5V, 10V 5.1mohm @ 30a, 10V 2V @ 50µA 25 NC @ 5 V ± 20V 3110 pf @ 15 V - 94W (TC)
IPC26N12NX2SA1 Infineon Technologies IPC26N12NX2SA1 -
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 ECAD 8497 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic IPC26N - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000980076 0000.00.0000 2.000 -
IPP90N04S402AKSA1 Infineon Technologies IPP90N04S402AKSA1 -
RFQ
 ECAD 5012 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP90N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 40 v 90A (TC) 10V 2.5mohm @ 90a, 10V 4V @ 95µA 118 nc @ 10 V ± 20V 9430 PF @ 25 V - 150W (TC)
BSC023N08NS5SCATMA1 Infineon Technologies BSC023N08NS5SCATMA1 4.1600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN BSC023 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-WSON-8-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 80 v 202A (TC) 6V, 10V 2.3mohm @ 50a, 10V 3,8V A 115µA 98 nc @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 40 V - 188W (TC)
IRLR7821PBF Infineon Technologies IRLR7821pbf -
RFQ
 ECAD 6847 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001558962 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 65a (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 1V a 250µA 14 NC a 4,5 V ± 20V 1030 pf @ 15 V - 75W (TC)
BCR183WE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR183WE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 4710 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BCR183 250 MW PG-SOT323 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S4L61AATMA1 1.1200
RFQ
 ECAD 5670 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 8-powervdfn IPG16N10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 29W PG-TDSON-8-10 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 2 canal n (Duplo) 100V 16a 61mohm @ 16a, 10V 2.1V @ 90µA 11NC @ 10V 845pf @ 25V Portão de Nível Lógico
IRF7811WTR Infineon Technologies IRF7811WTR -
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 ECAD 6972 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001572286 Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 v 14a (ta) 4.5V 12mohm @ 15a, 4.5V 1V a 250µA 33 NC @ 5 V ± 12V 2335 pf @ 16 V - 3.1W (TA)
IRF7603TR Infineon Technologies IRF7603TR -
RFQ
 ECAD 3677 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem na Superfície 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro8 ™ download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 v 5.6a (ta) 35mohm @ 3.7a, 10V 1V a 250µA 27 NC @ 10 V 520 pf @ 25 V -
IPD023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies IPD023N04NF2SATMA1 1.3500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Strongirfet ™ 2 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD023 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 40 v 27a (ta), 143a (tc) 6V, 10V 2.3mohm @ 70a, 10V 3.4V @ 81µA 102 NC @ 10 V ± 20V 4800 pf @ 20 V - 3W (TA), 150W (TC)
FZ1200R12KF4NOSA1 Infineon Technologies FZ1200R12KF4NOSA1 -
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 ECAD 7347 0,00000000 Tecnologias Infineon IHM-B Bandeja Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 7800 w Padrão - download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2 Switch Único - 1200 v 1200 a 3.2V @ 15V, 1.2ka 16 MA Não 90 NF @ 25 V
FZ1200R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies FZ1200R33KF2CNOSA1 -
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 ECAD 4152 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FZ1200 14500 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 PONTE CONCLUTA - 3300 v 2000 a 4.25V @ 15V, 1200A 12 MA Não 150 NF @ 25 V
IRLI2203NPBF Infineon Technologies IRLI2203NPBF -
RFQ
 ECAD 5621 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220ab pak cheio download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 30 v 61a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 37a, 10V 1V a 250µA 110 nc @ 4,5 V ± 16V 3500 pf @ 25 V - 47W (TC)
IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies IRFTS9342TRPBF 0,5800
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 IRFTS9342 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-TSOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 30 v 5.8a (ta) 4.5V, 10V 40mohm @ 5.8a, 10V 2.4V @ 25µA 12 nc @ 10 V ± 20V 595 pf @ 25 V - 2W (TA)
PTAC260302SCV1S250XTMA1 Infineon Technologies PTAC260302SCV1S250XTMA1 -
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 ECAD 7626 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - - - - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001093910 Obsoleto 0000.00.0000 250 - - - - -
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