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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRF7484QTR | - |  | 2059 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 v | 14a (ta) | 7V | 10mohm @ 14a, 7v | 2V A 250µA | 100 nc @ 7 V | ± 8V | 3520 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | SPD15P10PLGBTMA1 | 2.2600 | | 9 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SPD15P10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 100 v | 15a (TC) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 11.3a, 10V | 2V @ 1,54MA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 1490 pf @ 25 V | - | 128W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IPB80R290C3AATMA2 | 6.7500 | | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB80R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 800 v | 17a (TC) | 10V | 290mohm @ 11a, 10V | 3.9V @ 1MA | 117 nc @ 10 V | ± 20V | 2300 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | Spi07n65c3xksa1 | 0,9000 | | 22 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA262-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 v | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V A 350µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | Buz323 | 3.0100 | | 10 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irfz48zpbf | - | | 7183 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 v | 61a (TC) | 10V | 11mohm @ 37a, 10V | 4V A 250µA | 64 nc @ 10 V | ± 20V | 1720 pf @ 25 V | - | 91W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | 8.4300 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ -5 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 100 v | 120A (TC) | 10V | 2mohm @ 100a, 10V | 4.1V @ 270µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 840 pf @ 50 V | - | 313W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IFS75B12N3E4B31BOSA1 | 193.5850 | | 1106 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | MIPAQ ™ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | IFS75B12 | 385 w | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | PONTE CONCLUTA | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 150 a | 2.15V @ 15V, 75A | 1 MA | Sim | 4.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||
| IKQ150N65EH7XKSA1 | 14.6900 | | 240 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Ativo | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFN24E6327 | 0,0800 | | 5 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 360 MW | PG-SOT23-3-1 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.470 | 250 v | 200 MA | 100na (ICBO) | 400mv @ 2Ma, 20Ma | 40 @ 30MA, 10V | 70MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| BSO615NGHuma1 | - | | 6961 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | BSO615 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | PG-DSO-8 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 2.6a | 150mohm @ 2.6a, 4.5V | 2V @ 20µA | 20NC @ 10V | 380pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | FS50R12U1T4BPSA1 | - | | 8439 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | SmartPack1 | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | FS50R12 | 250 w | Padrão | Módlo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | Inversor Trifásico | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 90 a | 2.15V @ 15V, 50A | 1 MA | Sim | 100 pf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||
| Ddb6u180n16rr | - | | 2421 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Módlo | 515 w | Padrão | Módlo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Chopper de Freio Duplo | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 140 a | 2.2V @ 15V, 100A | 1 MA | Não | 6.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | 1.0400 | | 9 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Strongirfet ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR7546 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 60 v | 56a (TC) | 6V, 10V | 7.9mohm @ 43a, 10V | 3.7V @ 100µA | 87 nc @ 10 V | ± 20V | 3020 pf @ 25 V | - | 99W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BSC027N04LSGATMA1 | 1.5800 | | 51 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSC027 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 24a (ta), 100a (tc) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 50a, 10V | 2V @ 49µA | 85 nc @ 10 V | ± 20V | 6800 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IRFR4105TRLPBF | - | | 5675 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR4105 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 v | 27a (TC) | 10V | 45mohm @ 16a, 10V | 4V A 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Auillr024ntrl | - | | 5810 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001517694 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 v | 17a (TC) | 4V, 10V | 65mohm @ 10a, 10V | 2V A 250µA | 15 nc @ 5 V | ± 16V | 480 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IGC193T120T12RMAX7SA1 | - | | 3114 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Volume | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIGC25T60NCX1SA4 | - | | 2114 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Morrer | SIGC25 | Padrão | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 1 | 300V, 30A, 8.2OHM, 15V | NPT | 600 v | 30 a | 90 a | 2.5V @ 15V, 30A | - | 21ns/110ns | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH4210DTRPBF | 2.5800 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | IRFH4210 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PQFN (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 25 v | 44A (TA) | 4.5V, 10V | 1.1mohm @ 50a, 10V | 2.1V @ 100µA | 77 nc @ 10 V | ± 20V | 4812 pf @ 13 V | - | 3.5W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IRF520N | - | | 2219 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 9.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 5.7a, 10V | 4V A 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 330 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IPW60R125P6 | - | | 5062 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A247-3 | download | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 v | 30a (TC) | 10V | 125mohm @ 11.6a, 10V | 4.5V @ 960µA | 56 nc @ 10 V | ± 20V | 2660 pf @ 100 V | - | 219W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| 64-4123pbf | - | | 5514 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001518380 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS138W L6327 | - | | 7521 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 280mA (TA) | 4.5V, 10V | 3.5OHM @ 220MA, 10V | 1.4V @ 26µA | 1,5 nc @ 10 V | ± 20V | 43 pf @ 25 V | - | 500mW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
| IRFR13N20DTR | - | | 8805 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 200 v | 13a (TC) | 10V | 235mohm @ 8a, 10V | 5,5V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 30V | 830 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| DF450R17N2E4PB11BPSA1 | 197.5220 | | 2017 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Última Vez compra | - | - | - | DF450 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 10 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7805ATR | - | | 4346 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 v | 13A (TA) | 4.5V | 11mohm @ 7a, 4.5V | 3V A 250µA | 31 NC @ 5 V | ± 12V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
| IRG6S330UPBF | - | | 9487 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRG6S330 | Padrão | 160 w | D2PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001540476 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 196V, 25a, 10ohm | Trincheira | 330 v | 70 a | 2.1V @ 15V, 70A | - | 86 NC | 39ns/120ns | ||||||||||||||||||||||||
 | IPP039N10N5AKSA1 | 4.0000 | | 3721 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP039 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 100a (TC) | 6V, 10V | 3.9mohm @ 50a, 10V | 3,8V A 125µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 7000 pf @ 50 V | - | 188W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IRG4PH50UDPBF | - | | 3942 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRG4PH50 | Padrão | 200 w | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 800V, 24A, 5OHM, 15V | 90 ns | - | 1200 v | 45 a | 180 a | 3.7V @ 15V, 24A | 2,1mj (ON), 1,5MJ (Desligado) | 160 NC | 47ns/110ns |
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