SIC
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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
BSM200GA120DLCHOSA1 Infineon Technologies BSM200GA120DLCHOSA1 167.3260
RFQ
 ECAD 1735 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Última Vez compra -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo BSM200 1450 w Padrão Módlo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Solteiro - 1200 v 370 a 2.6V @ 15V, 200a 5 MA Não 13 NF @ 25 V
IRL3714STR Infineon Technologies IRL3714STR -
RFQ
 ECAD 1091 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 20 v 36a (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10V 3V A 250µA 9,7 nc a 4,5 V ± 20V 670 pf @ 10 V - 47W (TC)
IRF7663TR Infineon Technologies IRF7663TR -
RFQ
 ECAD 9098 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem na Superfície 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro8 ™ download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 20 v 8.2a (ta) 20mohm @ 7a, 4.5V 1.2V a 250µA 45 NC @ 5 V 2520 pf @ 10 V -
IRLR3715ZTRL Infineon Technologies IRLR3715Ztrl -
RFQ
 ECAD 5338 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001558946 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 49a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2,55V a 250µA 11 NC a 4,5 V ± 20V 810 pf @ 10 V - 40W (TC)
900546CHOSA1 Infineon Technologies 900546CHOSA1 1.0000
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 ECAD 5849 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1
FP75R07N2E4BOSA1 Infineon Technologies FP75R07N2E4BOSA1 -
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 ECAD 4655 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopim ™ 2 Volume Descontinuado no sic -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FP75R07 Padrão Módlo download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 650 v 95 a 1.95V @ 15V, 75A 1 MA Sim 4.6 NF @ 25 V
FF3MR20KM1HSHPSA1 Infineon Technologies FF3MR20KM1HSHPSA1 1.0000
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 ECAD 3324 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo - Montagem do chassi Módlo Padrão AG-62MMHB - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Meia Ponte Parada de Campo da Trinceira 2000 v - Não
IRG7CH20K10EF Infineon Technologies IRG7CH20K10EF -
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 ECAD 3425 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto IRG7CH download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Obsoleto 0000.00.0000 1
SPP24N60C3XKSA1 Infineon Technologies Spp24n60c3xksa1 6.6600
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 ECAD 175 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp24n60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 24.3a (TC) 10V 160mohm @ 15.4a, 10V 3.9V @ 1.2Ma 135 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 240W (TC)
SPP80N06S2L-11 Infineon Technologies SPP80N06S2L-11 -
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 ECAD 5782 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp80n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 55 v 80a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 40a, 10V 2V @ 93µA 80 nc @ 10 V ± 20V 2650 pf @ 25 V - 158W (TC)
BC847PNH6433XTMA1 Infineon Technologies BC847PNH6433XTMA1 0,0886
RFQ
 ECAD 6968 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 250mw PG-SOT363-PO download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 10.000 45V 100mA 15na (ICBO) Npn, pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 250MHz
IGW40T120FKSA1 Infineon Technologies IGW40T120FKSA1 7.2900
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 ECAD 240 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop® Tubo Não é para desenhos para Novos -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IGW40T120 Padrão 270 w PG-PARA247-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 15OHM, 15V NPT, Parada de Campo da Trincheira 1200 v 75 a 105 a 2.3V @ 15V, 40A 6,5mj 203 NC 48NS/480NS
AUIRFS3004 Infineon Technologies AUIRFS3004 -
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 ECAD 5909 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab AUIRFS3004 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK-3 (TO-263) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 40 v 195a (TC) 10V 1.75mohm @ 195a, 10V 4V A 250µA 240 nc @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 25 V - 380W (TC)
SPD15P10PLGBTMA1 Infineon Technologies SPD15P10PLGBTMA1 2.2600
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 ECAD 9 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SPD15P10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 100 v 15a (TC) 4.5V, 10V 200mohm @ 11.3a, 10V 2V @ 1,54MA 62 NC @ 10 V ± 20V 1490 pf @ 25 V - 128W (TC)
IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies IPB80N06S208ATMA2 -
RFQ
 ECAD 9300 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB80N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 55 v 80a (TC) 10V 7.7mohm @ 58a, 10V 4V A 150µA 96 nc @ 10 V ± 20V 2860 pf @ 25 V - 215W (TC)
ISC030N12NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC030N12NM6ATMA1 5.5400
RFQ
 ECAD 1581 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn ISC030N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tson-8-3 - 1 (ilimito) 5.000 N-canal 120 v 21a (TA), 194a (TC) 8V, 10V 3.04mohm @ 50a, 10V 3.6V A 141µA 74 NC @ 10 V ± 20V 5500 pf @ 60 V - 3W (TA), 250W (TC)
DF600R12IP4DBOSA1 Infineon Technologies DF600R12IP4DBOSA1 520.1267
RFQ
 ECAD 7364 0,00000000 Tecnologias Infineon Primepack ™ 2 Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo DF600R12 3350 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3 Solteiro Parada de Campo da Trinceira 1200 v 600 a 2.05V @ 15V, 600A 5 MA Sim 37 NF @ 25 V
DD800S17K3B2NOSA1 Infineon Technologies DD800S17K3B2NOSA1 842.7200
RFQ
 ECAD 86 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-DD800S17K3B2NOSA1-448 1
BF 775 E6327 Infineon Technologies BF 775 E6327 -
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 ECAD 4238 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 280mW PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 10.5db ~ 16db 15V 45mA Npn 70 @ 15MA, 8V 5GHz 1,4db ~ 2db @ 900MHz ~ 1,8 GHz
IRF9395MTRPBF Infineon Technologies IRF9395MTRPBF -
RFQ
 ECAD 4892 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFet ™ isométrico MC IRF9395 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.1W DirectFet ™ MC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001566526 Ear99 8541.29.0095 4.800 2 Canal P (Duplo) 30V 14a 7mohm @ 14a, 10v 2.4V @ 50µA 64NC @ 10V 3241pf @ 15V Portão de Nível Lógico
IPI50R299CPXKSA1 Infineon Technologies IPI50R299CPXKSA1 -
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 ECAD 5899 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI50R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 500 v 12a (TC) 10V 299mohm @ 6.6a, 10V 3.5V @ 440µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1190 pf @ 100 V - 104W (TC)
IKW40N65F5AXKSA1 Infineon Technologies Ikw40n65f5axksa1 -
RFQ
 ECAD 9294 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Trenchstop ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Ikw40n Padrão 250 w PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001187508 Ear99 8541.29.0095 240 400V, 20A, 15OHM, 15V 73 ns Trincheira 650 v 74 a 120 a 2.1V @ 15V, 40A 350µJ (ON), 100µJ (Off) 95 NC 19ns/165ns
IRL1104PBF Infineon Technologies IRL1104pbf -
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 ECAD 5749 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 40 v 104a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10V 1V a 250µA 68 nc @ 4,5 V ± 16V 3445 pf @ 25 V - 167W (TC)
IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies IPT039N15N5ATMA1 7.3500
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 ECAD 9 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERSFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HSOF-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 150 v 21a (TA), 190a (TC) 8V, 10V 3.9mohm @ 50a, 10V 4.6V @ 257µA 98 nc @ 10 V ± 20V 7700 pf @ 75 V - 3.8W (TA), 319W (TC)
IPW80R290C3AFKSA1 Infineon Technologies IPW80R290C3AFKSA1 -
RFQ
 ECAD 3365 0,00000000 Tecnologias Infineon * Tubo Obsoleto IPW80R download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240
IRF7313PBF Infineon Technologies IRF7313PBF -
RFQ
 ECAD 8223 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF731 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001566122 Ear99 8541.29.0095 95 2 canal n (Duplo) 30V 6.5a 29mohm @ 5.8a, 10V 1V a 250µA 33NC @ 10V 650pf @ 25V -
FS400R12A2T4IBPSA1 Infineon Technologies FS400R12A2T4IBPSA1 -
RFQ
 ECAD 2892 0,00000000 Tecnologias Infineon Hybridpack ™ 2 Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FS400R12 1500 w Padrão Módlo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3 PONTE CONCLUTA Parada de Campo da Trinceira 1200 v 400 a 1.85V @ 15V, 300A 1 MA Sim 25 NF @ 25 V
FF300R17ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies FF300R17ME4PB11BPSA1 269.0100
RFQ
 ECAD 8020 0,00000000 Tecnologias Infineon Econodual ™ 3 Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FF300R17 20 mw Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 6 Meia Ponte Parada de Campo da Trinceira 1700 v 600 a 2.3V @ 15V, 300A 3 MA Sim 24,5 NF @ 25 V
IRFI530N Infineon Technologies IRFI530N -
RFQ
 ECAD 1750 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A220-FP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRFI530N Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 12a (TC) 10V 110mohm @ 6.6a, 10V 4V A 250µA 44 NC @ 10 V ± 20V 640 pf @ 25 V - 41W (TC)
IPP037N06L3GHKSA1 Infineon Technologies IPP037N06L3GHKSA1 -
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 ECAD 1774 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 3 Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP037 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000398072 Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 60 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 90a, 10V 2.2V @ 93µA 79 NC @ 4,5 V ± 20V 13000 pf @ 30 V - 167W (TC)
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    Unidade de produto padrão

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