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Transistores (13833)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPA040N06NXKSA1 | 2.6000 |  | 4247 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | IPA040 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A220-FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 v | 69a (TC) | 6V, 10V | 4mohm @ 69a, 10V | 3.3V @ 50µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 3375 pf @ 30 V | - | 36W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BSF030NE2LQXuma1 | - | | 2768 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-wdson | BSF030 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | MG-WDSON-2, CANPAK M ™ | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 25 v | 24a (ta), 75a (tc) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 30a, 10V | 2V A 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 12 V | - | 2.2W (TA), 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IRLR3715Z | - | | 9976 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRLR3715Z | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 v | 49a (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10V | 2,55V a 250µA | 11 NC a 4,5 V | ± 20V | 810 pf @ 10 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | DDB6U50N16W1RBPSA1 | 62.9600 | | 24 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | DDB6U50 | Retificador de Ponte Trifásica | Ag-Easy1b | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Helicóptero único | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 50 a | 1.5V @ 15V, 50A | 6,2 µA | Não | 11.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||
 | IPP06CN10NGXKSA1 | - | | 1053 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP06C | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000680822 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 v | 100a (TC) | 10V | 6.5mohm @ 100a, 10V | 4V @ 180µA | 139 NC @ 10 V | ± 20V | 9200 pf @ 50 V | - | 214W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IRF8910PBF | - | | 7359 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF89 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.800 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 10a | 13.4mohm @ 10a, 10V | 2,55V a 250µA | 11nc @ 4.5V | 960pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | BSP296NL6327HTSA1 | - | | 9860 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT223-4 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000942910 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 100 v | 1.2a (ta) | 4.5V, 10V | 600mohm @ 1.2a, 10V | 1.8V @ 100µA | 6,7 nc @ 10 V | ± 20V | 152,7 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA) | |||||||||||||||||||||||
| AUIRF7316Q | - | | 3189 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AUIRF7316 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001522678 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | - | 58mohm @ 4.9a, 10V | 3V A 250µA | 34NC @ 10V | 710pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | ISP650P06NMXTSA1 | 1.5500 | | 3863 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | ISP650 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT223-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 60 v | 3.7a (ta) | 10V | 65mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 1.037MA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 30 V | - | 1.8W (TA), 4,2W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | SIGC15T60SEX7SA1 | - | | 2648 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Trenchstop ™ | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Morrer | SIGC15 | Padrão | Morrer | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 30 a | 90 a | 2.05V @ 15V, 30A | - | - | |||||||||||||||||||||||||
| Spp07n65c3hksa1 | - | | 5296 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Spp07n | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 v | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V A 350µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| FP75R12N2T7B11BPSA2 | 183.5400 | | 7010 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Econopim ™ 2 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | FP75R12 | 20 mw | Retificador de Ponte Trifásica | Ag-Econo2b | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor Trifásico | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 75 a | 1.55V @ 15V, 75A | 14 µA | Sim | 15.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||
| IRG4RC10KTRR | - | | 6736 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRG4RC10K | Padrão | 38 w | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 480V, 5A, 100OHM, 15V | - | 600 v | 9 a | 18 a | 2.62V @ 15V, 5A | 160µJ (ON), 100µJ (OFF) | 19 NC | 11ns/51ns | |||||||||||||||||||||||
| Auillr2905ztrl | 1.2223 | | 4745 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Auillr2905 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001519942 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 v | 42a (TC) | 13.5mohm @ 36a, 10V | 3V A 250µA | 35 nc @ 5 V | 1570 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BCW68GE6327HTSA1 | 0,0662 | | 1983 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW68 | 330 MW | PG-SOT23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 v | 800 mA | 20na (ICBO) | Pnp | 700mv @ 50Ma, 500mA | 160 @ 100MA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| 6MS30017E43W33015NOSA1 | - | | 9955 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Modstack ™ HD | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | - | download | Alcançar Não Afetado | 448-6MS30017E43W33015NOSA1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de Ponte Conclua | - | 1700 v | 1800 a | - | Não | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FS50R12W2T4B11BOMA1 | 64.2600 | | 15 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Easypack ™ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | FS50R12 | 335 w | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor Trifásico | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 83 a | 2.15V @ 15V, 50A | 1 MA | Sim | 2.8 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||
 | FS75R12KE3BOSA1 | - | | 5014 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Descontinuado no sic | 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | FS75R12 | 350 w | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor Trifásico | NPT | 1200 v | 105 a | 2.15V @ 15V, 75A | 5 MA | Sim | 5.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||
| IGP30N65H5XKSA1 | 2.8100 | | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Trenchstop ™ | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IGP30N65 | Padrão | 188 w | PG-PARA220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 15A, 23OHM, 15V | Trincheira | 650 v | 55 a | 90 a | 2.1V @ 15V, 30A | 280µJ (ON), 100µJ (OFF) | 70 NC | 19ns/177ns | |||||||||||||||||||||||
| IPP80P04P405AKSA1 | - | | 1111 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP80P | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000652622 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P. | 40 v | 80a (TC) | 10V | 5.2mohm @ 80a, 10V | 4V A 250µA | 151 nc @ 10 V | ± 20V | 10300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IRL3303 | - | | 9766 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRL3303 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 v | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 20a, 10V | 1V a 250µA | 26 NC a 4,5 V | ± 16V | 870 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IPP80N04S303AKSA1 | - | | 1922 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP80N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 v | 80a (TC) | 10V | 3.5mohm @ 80a, 10V | 4V A 120µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 7300 pf @ 25 V | - | 188W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| Ikfw50n65dh5xksa1 | - | | 2623 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-IKFW50N65DH5XKSA1-448 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPB07N60S5ATMA1 | - | | 5043 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Spb07n | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 5,5V A 350µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 970 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IPD80R750P7ATMA1 | 1.6600 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ P7 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD80R750 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 v | 7a (TC) | 10V | 750mohm @ 2.7a, 10V | 3,5V A 140µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 460 pf @ 500 V | - | 51W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IRFU6215 | - | | 6729 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | IPAK (TO-251AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFU6215 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P. | 150 v | 13a (TC) | 10V | 295mohm @ 6.6a, 10V | 4V A 250µA | 66 nc @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IPB027N10N5ATMA1 | 6.2800 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB027 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 100 v | 120A (TC) | 6V, 10V | 2.7mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 184µA | 139 NC @ 10 V | ± 20V | 10300 pf @ 50 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| SGB30N60ATMA1 | - | | 2230 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SGB30 | Padrão | 250 w | PG-PARA263-3-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400V, 30a, 11ohm, 15V | NPT | 600 v | 41 a | 112 a | 2.4V @ 15V, 30A | 1,29mj | 140 NC | 44NS/291NS | ||||||||||||||||||||||||
| IPQC60R017S7XTMA1 | 18.4700 | | 1879 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ S7 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Módulo 22-powerBsop | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-HDDDSOP-22 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 750 | N-canal | 600 v | 30a (TC) | 12V | 17mohm @ 29a, 12v | 4.5V @ 1.89MA | 196 NC @ 12 V | ± 20V | 7370 pf @ 300 v | - | 500W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRFR9N20DTR | - | | 6691 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 200 v | 9.4a (TC) | 10V | 380mohm @ 5.6a, 10V | 5,5V A 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 30V | 560 pf @ 25 V | - | 86W (TC) |
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