SIC
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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1)
BCR 139T E6327 Infineon Technologies BCR 139T E6327 -
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 ECAD 7580 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 BCR 139 250 MW PG-SC75-3D download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150 MHz 22 Kohms
BSS139L6906HTSA1 Infineon Technologies BSS139L6906HTSA1 -
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 ECAD 3797 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 250 v 100mA (ta) 0V, 10V 14ohm @ 0,1mA, 10V 1V @ 56µA 3,5 nc @ 5 V ± 20V 76 pf @ 25 V Modo de Esgotamento 360MW (TA)
IRF6646TRPBF Infineon Technologies IRF6646TRPBF 2.9700
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 ECAD 7 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFet ™ MN ISOMÉTRICO IRF6646 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFet ™ Mn download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.800 N-canal 80 v 12a (ta), 68a (tc) 10V 9.5mohm @ 12a, 10V 4.9V A 150µA 50 nc @ 10 V ± 20V 2060 pf @ 25 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
BFN18H6327XTSA1 Infineon Technologies BFN18H6327XTSA1 0,2440
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 ECAD 5050 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA BFN18 1,5 w PG-SOT89 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 300 v 200 MA 100na (ICBO) Npn 500MV @ 2MA, 20MA 30 @ 30MA, 10V 70MHz
BSC016N06NSSCATMA1 Infineon Technologies BSC016N06NSSCATMA1 3.0500
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 ECAD 6120 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 v 234a (TC) 6V, 10V 1.6mohm @ 50a, 10V 3,3V a 95µA 95 NC @ 10 V ± 20V 6500 pf @ 30 V - 167W (TC)
AUIRLZ44ZL Infineon Technologies AULLZ44ZL -
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 ECAD 7525 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 - TO-220AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 - 51a (TC) 4.5V, 10V - - ± 16V - -
IRF7353D2PBF Infineon Technologies IRF7353D2PBF -
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 ECAD 7471 0,00000000 Tecnologias Infineon Fetky ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001555250 Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 30 v 6.5a (ta) 4.5V, 10V 29mohm @ 5.8a, 10V 1V a 250µA 33 nc @ 10 V ± 20V 650 pf @ 25 V Diodo Schottky (Isolado) 2W (TA)
IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies IPD50R1K4CEBTMA1 -
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 ECAD 8171 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CE Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD50R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 v 3.1a (TC) 13V 1.4OHM @ 900MA, 13V 3,5V a 70µA 1 nc @ 10 V ± 20V 178 pf @ 100 V - 25W (TC)
IRF6716MTR1PBF Infineon Technologies IRF6716MTR1PBF -
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 ECAD 7290 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFET ™ isométrico MX MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFET ™ MX download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 25 v 39a (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 40a, 10V 2.4V @ 100µA 59 NC a 4,5 V ± 20V 5150 PF @ 13 V - 3.6W (TA), 78W (TC)
IRG4RC10UTRLPBF Infineon Technologies IRG4RC10UTRLPBF -
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 ECAD 4568 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRG4RC10U Padrão 38 w D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001547814 Ear99 8541.29.0095 3.000 480V, 5A, 100OHM, 15V - 600 v 8.5 a 34 a 2.6V @ 15V, 5A 80µJ (ON), 160µJ (Off) 15 NC 19ns/116ns
IPP35CN10N G Infineon Technologies IPP35CN10N G. -
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 ECAD 5240 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP35C MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 100 v 27a (TC) 10V 35mohm @ 27a, 10V 4V @ 29µA 24 nc @ 10 V ± 20V 1570 pf @ 50 V - 58W (TC)
IPP60R145CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R145CFD7XKSA1 4.2900
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 ECAD 9068 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CFD7 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP60R145 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 16a (TC) 10V 145mohm @ 6.8a, 10V 4.5V @ 340µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1330 PF @ 400 V - 83W (TC)
SPB80N04S2L-03 Infineon Technologies SPB80N04S2L-03 -
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 ECAD 7811 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Spb80n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 40 v 80a (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 80a, 10V 2V A 250µA 213 NC @ 10 V ± 20V 7930 pf @ 25 V - 300W (TC)
IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies IPB110N20N3LFATMA1 9.7000
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 ECAD 5194 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 3 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB110 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 200 v 88a (TC) 10V 11mohm @ 88a, 10V 4.2V @ 260µA 76 nc @ 10 V ± 20V 650 pf @ 100 V - 250W (TC)
IPS70R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies IPS70R2K0Ceakma1 -
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 ECAD 1888 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 Leads de Stub, Ipak IPS70R2 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA251-3-11 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001471300 Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 700 v 4a (TC) 10V 2OHM @ 1A, 10V 3,5V a 70µA 7,8 nc @ 10 V ± 20V 163 pf @ 100 V - 42W (TC)
BSZ300N15NS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ300N15NS5ATMA1 1.1844
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 ECAD 7366 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSZ300 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-TSDSON-8-FL download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 150 v 32a (TC) 8V, 10V 30mohm @ 16a, 10V 4.6V @ 32µA 13 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 75 V - 62.5W (TC)
IRF7701 Infineon Technologies IRF7701 -
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 ECAD 5154 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-TSSOP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 100 Canal P. 12 v 10a (TC) 1.8V, 4.5V 11mohm @ 10a, 4.5V 1.2V a 250µA 100 NC a 4,5 V ± 8V 5050 pf @ 10 V - 1.5W (TA)
IRLMS2002GTRPBF Infineon Technologies IRLMS2002GTRPBF -
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 ECAD 6094 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro6 ™ (SOT23-6) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 6.5a (ta) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6.5a, 4.5V 1.2V a 250µA 22 NC @ 5 V ± 12V 1310 pf @ 15 V - 2W (TA)
IPP60R120C7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R120C7XKSA1 5.5100
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 ECAD 486 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C7 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP60R120 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 19a (TC) 10V 120mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 390µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 400 V - 92W (TC)
IPI50R350CPXKSA1 Infineon Technologies IPI50R350CPXKSA1 -
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 ECAD 7407 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI50R350 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000680736 Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 500 v 10a (TC) 10V 350mohm @ 5.6a, 10V 3.5V @ 370µA 25 nc @ 10 V ± 20V 1020 pf @ 100 V - 89W (TC)
IRG8CH15K10F Infineon Technologies IRG8CH15K10F -
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 ECAD 2899 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície Morrer IRG8CH Padrão Morrer download Não Aplicável Alcançar Não Afetado SP001544928 Obsoleto 0000.00.0000 1 600V, 10A, 10OHM, 15V - 1200 v 2V @ 15V, 10A - 65 NC 15ns/170ns
IPZ65R065C7XKSA1 Infineon Technologies IPZ65R065C7XKSA1 11.9900
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 ECAD 240 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C7 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-4 IPZ65R065 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA247-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 650 v 33a (TC) 10V 65mohm @ 17.1a, 10V 4V A 850µA 64 nc @ 10 V ± 20V 3020 PF @ 400 V - 171W (TC)
IRL2203NPBF-INF Infineon Technologies IRL2203NPBF-INF 1.0000
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 ECAD 2638 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 30 v 116a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10V 1V a 250µA 60 nc @ 4,5 V ± 16V 3290 pf @ 25 V - 180W (TC)
BTS114A E3045A Infineon Technologies BTS114A E3045A 3.2200
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 ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon Tempfet® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-5 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 50 v 17a (TC) 10V 100mohm @ 9a, 10V 3.5V @ 1Ma ± 20V 600 pf @ 25 V - 50W
BSM100GB120DN2KHOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DN2KHOSA1 -
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 ECAD 7097 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo BSM100 700 w Padrão Módlo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Meia Ponte - 1200 v 145 a 3V @ 15V, 100A 2 MA Não 6,5 NF @ 25 V
IRGS4045DTRRPBF Infineon Technologies IRGS4045DTRRPBF -
RFQ
 ECAD 4316 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 77 w D²pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 400V, 6A, 47OHM, 15V 74 ns - 600 v 12 a 18 a 2V @ 15V, 6a 56µJ (ON), 122µJ (Desligado) 19.5 NC 27ns/75ns
IAUC90N10S5N062ATMA1 Infineon Technologies IAUC90N10S5N062ATMA1 2.7800
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC -Q101, Optima ™ -5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn IAUC90 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-34 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 100 v 90A (TC) 6V, 10V 6.2mohm @ 45a, 10V 3.8V @ 59µA 36 nc @ 10 V ± 20V 3275 pf @ 50 V - 115W (TC)
IRFS5615TRLPBF Infineon Technologies IRFS5615TRLPBF -
RFQ
 ECAD 4541 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 150 v 33a (TC) 10V 42mohm @ 21a, 10V 5V @ 100µA 40 nc @ 10 V ± 20V 1750 PF @ 50 V - 144W (TC)
AUIRL1404Z Infineon Technologies Auill1404z -
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 ECAD 2280 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001516820 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 40 v 160A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 75a, 10V 2.7V @ 250µA 110 nc @ 5 V ± 16V 5080 pf @ 25 V - 200W (TC)
BCX5310E6327 Infineon Technologies BCX5310E6327 0,0900
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 ECAD 19 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 2 w PG-SOT89-4-2 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100na (ICBO) 500mv @ 50Ma, 500mA 40 @ 50MA, 2V 125MHz
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