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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caixa	Tecnologia	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Tipo FET	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)
P3M06060G7	10.3800	Solicitação de cotação	7390	Semicondutor de PN	P3M	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-8, D²Pak (7 derivações + guia), TO-263CA	SiCFET (carboneto de silício)	D2PAK-7	download	Compatível com ROHS3	REACH afetado	4237-P3M06060G7TR	EAR99	8541.29.0095	1	Canal N	650 V	44A	15V	79mOhm a 20A, 15V	2,2 V @ 20 mA (típico)		+20V, -8V		-	159W
P3M06040K4	12.1700	Solicitação de cotação	2233	Semicondutor de PN	P3M	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-4	SiCFET (carboneto de silício)	TO-247-4L	download	Compatível com ROHS3	REACH afetado	4237-P3M06040K4			1	Canal N	650 V	68A	15V	50mOhm a 40A, 15V	2,4 V @ 7,5 mA (típico)		+20V, -8V		-	254W
P3M06300K3	4.9800	Solicitação de cotação	3261	Semicondutor de PN	P3M	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	SiCFET (carboneto de silício)	TO-247-3L	download	Compatível com ROHS3	REACH afetado	4237-P3M06300K3			1	Canal N	650 V	9A	15V	500mOhm @ 4,5A, 15V	2,2 V @ 5 mA (típico)	904 nC @ 15 V	+20V, -8V	338 pF a 400 V	-	38W
P3M06025K4	15.9000	Solicitação de cotação	5048	Semicondutor de PN	P3M	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-4	SiCFET (carboneto de silício)	TO-247-4L	download	Compatível com ROHS3	REACH afetado	4237-P3M06025K4			1	Canal N	650 V	97A	15V	34mOhm a 50A, 15V	2,2 V a 50 mA (típico)		+20V, -8V		-	326W
P3M12080K3	11.9000	Solicitação de cotação	1973	Semicondutor de PN	P3M	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	SiCFET (carboneto de silício)	TO-247-3L	download	Compatível com ROHS3	REACH afetado	4237-P3M12080K3			1	Canal N	1200 V	47A	15V	96mOhm a 20A, 15V	2,4 V @ 5 mA (típico)		+21V, -8V		-	221W
P3M06060T3	10.3800	Solicitação de cotação	8146	Semicondutor de PN	P3M	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-2	SiCFET (carboneto de silício)	TO-220-2L	download	Compatível com ROHS3	REACH afetado	4237-P3M06060T3			1	Canal N	650 V	46A	15V	79mOhm a 20A, 15V	2,2 V @ 20 mA (típico)		+20V, -8V		-	170W
P3M06120T3	9.0500	Solicitação de cotação	8880	Semicondutor de PN	P3M	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-2	SiCFET (carboneto de silício)	TO-220-2L	download	Compatível com ROHS3	REACH afetado	4237-P3M06120T3			1	Canal N	650 V	29A	15V	158mOhm @ 10A, 15V	2,2 V @ 5 mA (típico)		+20V, -8V		-	153W
P3M171K0K3	6.1000	Solicitação de cotação	5311	Semicondutor de PN	P3M	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	SiCFET (carboneto de silício)	TO-247-3L	download	Compatível com ROHS3	REACH afetado	4237-P3M171K0K3			1	Canal N	1700V	6A	15V	1,4Ohm a 2A, 15V	2,2 V @ 2 mA (típico)		+19V, -8V		-	68W
P3M17040K3	35.8600	Solicitação de cotação	3652	Semicondutor de PN	P3M	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	SiCFET (carboneto de silício)	TO-247-3L	download	Compatível com ROHS3	REACH afetado	4237-P3M17040K3			1	Canal N	1700V	73A	15V	60mOhm a 50A, 15V	2,2 V a 50 mA (típico)		+19V, -8V		-	536W