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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | P3M171K2K3 | 5.5900 |  | 2230 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-3L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M171K2K3 | 1 | Canal N | 1700V | 6A | 15V | 1,4Ohm a 2A, 15V | 2,2 V @ 2 mA (típico) | +19V, -8V | - | 68W | ||||||||
 | P3M12080G7 | 11.9000 | | 1610 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-8, D²Pak (7 derivações + guia), TO-263CA | SiCFET (carboneto de silício) | D2PAK-7 | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M12080G7TR | 1 | Canal N | 1200 V | 32A | 15V | 96mOhm a 20A, 15V | 2,2 V a 30 mA (típico) | +19V, -8V | - | 136W | ||||||||
 | P3M12017K4 | 39.7500 | | 7138 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-4L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M12017K4 | 1 | Canal N | 1200 V | 151A | 15V | 24mOhm a 75A, 15V | 2,5 V a 75 mA (típico) | +25V, -10V | - | 789W | ||||||||
 | P1H06300D8 | 4.9800 | | 7689 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | GaNFET (nitreto de glio) | DFN8*8 | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P1H06300D8TR | 1 | Canal N | 650 V | 10A | 6V | - | +10V, -20V | - | 55,5W | ||||||||||
 | P3M07013K4 | 33.9000 | | 4850 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-4L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M07013K4 | 1 | Canal N | 750 V | 140A | 15V | 16mOhm a 75A, 15V | 2,2 V @ 75 mA (típico) | +19V, -8V | - | 428 W | ||||||||
 | P3M12040K3 | 20.9800 | | 8887 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-3L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M12040K3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 1200 V | 63A | 15V | 48mOhm @ 40A, 15V | 2,2 V a 40 mA (típico) | +21V, -8V | - | 349W | ||||||
 | P3M12040K4 | 20.9800 | | 2699 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-4L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M12040K4 | 1 | Canal N | 1200 V | 63A | 15V | 48mOhm @ 40A, 15V | 2,2 V a 40 mA (típico) | +21V, -8V | - | 349W | ||||||||
 | P3M06120K3 | 9.0500 | | 6996 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-3L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M06120K3 | 1 | Canal N | 650 V | 27A | 15V | 158mOhm @ 10A, 15V | 2,2 V a 5 mA | +20V, -8V | - | 131W | ||||||||
 | P3M12080K4 | 11.9000 | | 9034 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-4L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M12080K4 | 1 | Canal N | 1200 V | 47A | 15V | 96mOhm a 20A, 15V | 2,4 V @ 5 mA (típico) | +21V, -8V | - | 221W | ||||||||
 | PAA12400BM3 | 882.3600 | | 3564 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | PAA12400 | Carboneto de Silício (SiC) | - | Módulo | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-PAA12400BM3 | 1 | 2 canais N (meia ponte) | 1200V (1,2kV) | 350A | 7,3mOhm a 300A, 20V | 5 V a 100 mA | - | 29,5 pF a 1000 V | - | |||||||
 | P3M06120K4 | 9.0500 | | 2705 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-4L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M06120K4 | 1 | Canal N | 650 V | 27A | 15V | 158mOhm @ 10A, 15V | 2,2 V a 5 mA | +20V, -8V | - | 131W | ||||||||
 | P3M173K0T3 | 5.0800 | | 8943 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-2 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-220-2L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M173K0T3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 1700V | 4A | 15V | 2,6Ohm a 600mA, 15V | 2,2 V @ 600 µA (típico) | +19V, -8V | - | 75W | ||||||
 | P3M17040K4 | 35.8600 | | 4762 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-4L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M17040K4 | 1 | Canal N | 1700V | 73A | 15V | 60mOhm a 50A, 15V | 2,2 V a 50 mA (típico) | +19V, -8V | - | 536W | ||||||||
 | P3M06040K3 | 12.1700 | | 2030 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-3L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M06040K3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 650 V | 68A | 15V | 50mOhm a 40A, 15V | 2,4 V @ 7,5 mA (típico) | +20V, -8V | - | 254W | ||||||
 | P3M12160K3 | 8.8300 | | 8824 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-3L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M12160K3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 1200 V | 19A | 15V | 192mOhm @ 10A, 15V | 2,4 V @ 2,5 mA (típico) | +21V, -8V | - | 110W | ||||||
 | P3M12160K4 | 8.8300 | | 9289 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-4L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M12160K4 | 1 | Canal N | 1200 V | 19A | 15V | 192mOhm @ 10A, 15V | 2,4 V @ 2,5 mA (típico) | +21V, -8V | - | 110W | ||||||||
 | P3M06300D8 | 4.9800 | | 7160 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DFN8*8 | SiCFET (carboneto de silício) | DFN8*8 | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M06300D8TR | 1 | Canal N | 650 V | 9A | 15V | 500mOhm @ 4,5A, 15V | 2,2 V a 5 mA | +20V, -8V | - | 32W | ||||||||
 | P3M06300T3 | 4.9800 | | 7695 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-2 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-220-2L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M06300T3 | 1 | Canal N | 650 V | 9A | 15V | 500mOhm @ 4,5A, 15V | 2,2 V a 5 mA | +20V, -8V | - | 35W | ||||||||
 | P3M173K0K3 | 5.0800 | | 6554 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-3L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M173K0K3 | 1 | Canal N | 1700V | 4A | 15V | 3,6Ohm a 600mA, 15V | 2,2 V @ 600 µA (típico) | +19V, -8V | - | 63W | ||||||||
 | P3M06060K4 | 10.3800 | | 7995 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-4L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M06060K4 | 1 | Canal N | 650 V | 48A | 15V | 79mOhm a 20A, 15V | 2,4 V @ 5 mA (típico) | +20V, -8V | - | 188W | ||||||||
 | P3M06060K3 | 10.3800 | | 9755 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-3L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M06060K3 | 1 | Canal N | 650 V | 48A | 15V | 79mOhm a 20A, 15V | 2,2 V @ 20 mA (típico) | +20V, -8V | - | 188W | ||||||||
 | P3M12025K4 | 28.7400 | | 30 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-4L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M12025K4 | 1 | Canal N | 1200 V | 112A | 15V | 35mOhm a 50A, 15V | 2,2 V a 50 mA (típico) | +19V, -8V | - | 577W | ||||||||
 | P3M171K0G7 | 6.1000 | | 7429 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-8, D²Pak (7 derivações + guia), TO-263CA | SiCFET (carboneto de silício) | D2PAK-7 | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M171K0G7 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 1700V | 7A | 15V | 1,4Ohm a 2A, 15V | 2,2 V @ 2 mA (típico) | +19V, -8V | - | 100W | ||||||
 | P3M12025K3 | 28.7400 | | 2069 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247-3L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M12025K3 | 1 | Canal N | 1200 V | 113A | 15V | 35mOhm a 50A, 15V | 2,4 V a 17,7 mA (típico) | +21V, -10V | - | 524W | ||||||||
 | P3M171K0F3 | 6.1000 | | 2987 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-220F-2 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-220F-2L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M171K0F3 | 1 | Canal N | 1700V | 5,5A | 15V | 1,4Ohm a 2A, 15V | 2,2 V @ 2 mA (típico) | +19V, -8V | - | 51W | ||||||||
 | P3M173K0F3 | 5.0800 | | 8624 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-220F-2 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-220F-2L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M173K0F3 | 1 | Canal N | 1700V | 1,97A | 15V | 3,6 Ohm @ 0,25 A, 15 V | 2,2 V @ 1,5 mA (típico) | +19V, -8V | - | 19W | ||||||||
 | P3M06300D5 | 4.9800 | | 4032 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DFN5*6 | SiCFET (carboneto de silício) | DFN5*6 | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M06300D5TR | 1 | Canal N | 650 V | 9A | 15V | 500mOhm @ 4,5A, 15V | 2,2 V a 5 mA | +20V, -8V | - | 26W | ||||||||
 | P3M12040G7 | 20.9800 | | 8324 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-8, D²Pak (7 derivações + guia), TO-263CA | SiCFET (carboneto de silício) | D2PAK-7 | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M12040G7TR | 1 | Canal N | 1200 V | 69A | 15V | 53mOhm a 40A, 15V | 2,2 V a 40 mA (típico) | +19V, -8V | - | 357W | ||||||||
 | P3M171K0T3 | 6.1000 | | 9441 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-2 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-220-2L | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M171K0T3 | 1 | Canal N | 1700V | 6A | 15V | 1,4Ohm a 2A, 15V | 2,2 V @ 2 mA (típico) | +19V, -8V | - | 100W | ||||||||
 | P3M06060L8 | 10.3800 | | 5762 | 0,00000000 | Semicondutor de PN | P3M | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | SiCFET (carboneto de silício) | PEDÁGIO | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | 4237-P3M06060L8TR | 1 | Canal N | 650 V | 40A | 15V | 79mOhm a 20A, 15V | 2,4 V @ 5 mA (típico) | +20V, -8V | - | 188W |
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