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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BVSS123LT1G | 0,3900 |  | 3147 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BVSS123 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 170mA (TA) | 10V | 6ohm @ 100ma, 10V | 2.8V @ 1MA | ± 20V | 20 pf @ 25 V | - | 225MW (TA) | |||||||||||||
 | XP233P1501tr-G | 0,1040 | | 5416 | 0,00000000 | TOREX SEMICONDUCOR LTD | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | XP233 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 1.5a (ta) | 4.5V, 10V | 190mohm @ 1a, 10v | 1.9V a 250µA | ± 20V | 160 pf @ 10 V | - | 400mW (TA) | |||||||||||||
 | FQP70N10 | - | | 1578 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | FQP70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 57a (TC) | 10V | 23mohm @ 28.5a, 10V | 4V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 25V | 3300 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||
 | 2SK3510-Z-E1-AZ | 4.2100 | | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FDS6688S | 0,7200 | | 288 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 16a (ta) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 16a, 10V | 3V @ 1Ma | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 3290 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
 | CLF1G0035-100,112 | - | | 2135 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 150 v | Montagem do chassi | SOT-467C | 3GHz | Gan Hema | SOT467C | download | 0000.00.0000 | 1 | - | 330 MA | 100w | 12dB | - | 50 v | |||||||||||||||||||||
 | FQPF7N65C_F105 | - | | 2752 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | FQPF7 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 7a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 3.5a, 10V | 4V A 250µA | 36 nc @ 10 V | ± 30V | 1245 pf @ 25 V | - | 52W (TC) | |||||||||||||
 | Sia921EdJ-T1-GE3 | 0,6300 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SC-70-6 Dual | Sia921 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 7.8W | PowerPak® SC-70-6 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 4.5a | 59mohm @ 3.6a, 4.5V | 1.4V A 250µA | 23NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | DMC3021LSD-13 | 0,5500 | | 32 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | DMC3021 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 30V | 8.5a, 7a | 21mohm @ 7a, 10V | 2.1V @ 250µA | 16.1NC @ 10V | 767pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | Let9045c | - | | 3931 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Bandeja | Obsoleto | 80 v | M243 | Let9045 | 960MHz | LDMOS | M243 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 9a | 300 mA | 59W | 17.7db | - | 28 v | |||||||||||||||||
| Cen1232 Tr | - | | 6830 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SI1300BDL-T1-E3 | - | | 9245 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-70, SOT-323 | SI1300 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-70-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 400mA (TC) | 2.5V, 4.5V | 850mohm @ 250mA, 4.5V | 1V a 250µA | 0,84 nc @ 4,5 V | ± 8V | 35 pf @ 10 V | - | 190MW (TA), 200MW (TC) | ||||||||||||
| R6004RND3TL1 | 1.1900 | | 600 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | R6004 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 v | 4a (TC) | 15V | 1.73OHM @ 2A, 15V | 7V A 450µA | 10,5 nc @ 15 V | ± 30V | 230 pf @ 100 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||
 | BUK6Y32-60PX | - | | 5084 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-100, SOT-669 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | Canal P. | 60 v | 40A (TA) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 6.6a, 10V | 3V A 250µA | 52,9 nc @ 10 V | ± 20V | 2590 pf @ 30 V | - | 106W (TA) | |||||||||||||
 | FTCO3V455A1 | - | | 8102 | 0,00000000 | Onsemi | SPM® | Tubo | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Módulo de 19-Powerdip | FTCO3V455 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 115W | Módlo | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2832-FTCO3V455A1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 44 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 40V | 150a | 1.66mohm @ 80a, 10V | - | - | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||
 | PhD9nq20t, 118 | - | | 9520 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | PhD9NQ20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 v | 8.7a (TC) | 10V | 400mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 1MA | 24 nc @ 10 V | ± 30V | 959 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||||||||||
 | Ixfp22n60p3 | 5.6300 | | 1 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Polar3 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IXFP22 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 22a (TC) | 10V | 360mohm @ 11a, 10V | 5V A 1,5mA | 38 nc @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||||||||
 | SQA444CEJW-T1_GE3 | 0,4800 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | PowerPak® SC-70-6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak®SC-70W-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 9a (TC) | 4.5V, 10V | 39mohm @ 4.5a, 10V | 2,5V a 250µA | 9 nc @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 13.6W (TC) | ||||||||||||||
| Nsths5404t1g | 0,1000 | | 222 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK6006DPP-A0#T2 | 3.6100 | | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Ativo | 150 ° C. | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | RJK6006 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | -1161-rjk6006dpp-a0#T2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 v | 10a (ta) | 10V | 920MOHM @ 5A, 10V | - | 30 NC a 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 30W (TA) | |||||||||||
 | TSM60NB380CH C5G | 2.1663 | | 3692 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 v | 9.5a (TC) | 10V | 380mohm @ 2.85a, 10V | 4V A 250µA | 19,4 NC @ 10 V | ± 30V | 795 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||
 | FDR8308P | - | | 3019 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-lsop (0,130 ", 3,30 mm de largura) | FDR83 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 800mw | SuperSot ™ -8 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 3.2a | 50mohm @ 3.2a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 19NC @ 4.5V | 1240pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | PSMN2R2-40BS, 118 | 1.3004 | | 7365 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | PSMN2R2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 2.2mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 130 nc @ 10 V | ± 20V | 8423 pf @ 20 V | - | 306W (TC) | ||||||||||||
 | FDH047AN08A0 | 6.5200 | | 4436 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | FDH047 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 75 v | 15a (TC) | 6V, 10V | 4.7mohm @ 80a, 10V | 4V A 250µA | 138 NC @ 10 V | ± 20V | 6600 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||
 | AON6754 | - | | 9093 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphamos | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-POWERSMD, FIOS Planos | AON67 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (5x6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 52a (ta), 85a (tc) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 20a, 10V | 2.4V a 250µA | 64 nc @ 10 V | ± 20V | 2796 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Corpo) | 7.3W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||
 | AOY516 | - | | 6970 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphamos | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 Leads de Stub, Ipak | AOY51 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-251b | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.500 | N-canal | 30 v | 46a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10V | 2.6V a 250µA | 33 nc @ 10 V | ± 20V | 1333 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||
 | STP16NM50N | - | | 9710 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | STP16N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 15a (TC) | 10V | 260mohm @ 7.5a, 10V | 4V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 25V | 1200 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||
 | IRFR3707ZTRLPBF | - | | 2065 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001578160 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 56a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 15a, 10V | 2.25V @ 25µA | 14 NC a 4,5 V | ± 20V | 1150 pf @ 15 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||
| 2SJ463A-T1-A | - | | 9949 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ixtx46n50l | 46.7100 | | 232 | 0,00000000 | Ixys | Linear | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-247-3 Variante | Ixtx46 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Plus247 ™ -3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 v | 46a (TC) | 20V | 160mohm @ 500mA, 20V | 6V A 250µA | 260 nc @ 15 V | ± 30V | 7000 pf @ 25 V | - | 700W (TC) |
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