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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFH8202TRPBF | 1.8200 |  | 5114 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET®, STROTLIRFET ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | IRFH8202 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 25 v | 47A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.05mohm @ 50a, 10V | 2,35V a 150µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 7174 pf @ 13 V | - | 3.6W (TA), 160W (TC) | ||||||||||||
 | BSC350N20NSFDATMA1 | 3.5900 | | 4 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSC350 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 200 v | 35a (TC) | 10V | 35mohm @ 35a, 10V | 4V A 90µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 2410 pf @ 100 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||
 | DMN3016LDV-7 | 0,6300 | | 2274 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | DMN3016 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDI3333-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 canal n (Duplo) | 21a (TC) | 12mohm @ 7a, 10V | 2V A 250µA | 9.5NC @ 4.5V | 1184pf @ 15V | - | ||||||||||||||||
 | IRF5806 | - | | 8768 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Micro6 ™ (TSOP-6) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal P. | 20 v | 4a (ta) | 2.5V, 4.5V | 86mohm @ 4a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 11,4 nc a 4,5 V | ± 20V | 594 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||
 | SUP85N04-03-E3 | - | | 2150 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SUP85 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 v | 85a (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 30a, 10V | 3V A 250µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 6860 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 250W (TC) | ||||||||||||
 | Qs8k11tcr | 0,9200 | | 4 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | QS8K11 | - | 1.5W | TSMT8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 3.5a | 50mohm @ 3.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 3.3NC @ 5V | 180pf @ 10V | - | ||||||||||||||
 | FDSS2407-SB82086P | - | | 5064 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | FDSS24 | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-FDSS2407-SB82086PTR | 2.500 | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | FDMS3669S | 0,8500 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | FDMS3669 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w (ta), 2,2w (tc), 1w (ta), 2,5w (tc) | 8-pqfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 352 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 30V | 13a (ta), 24a (tc), 18a (ta), 60a (tc) | 10mohm @ 13a, 10V, 5mohm @ 18a, 10V | 2,7V a 250µA, 2,5V a 1Ma | 24NC @ 10V, 34NC @ 10V | 1605pf @ 15V, 2060pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | FQH35N40 | 5.3400 | | 846 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 v | 35a (TC) | 10V | 105mohm @ 17.5a, 10V | 5V A 250µA | 140 nc @ 10 V | ± 30V | 5600 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | |||||||||||||
 | IXKP24N60C5 | 5.3932 | | 8385 | 0,00000000 | Ixys | Coolmos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Ixkp24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 24a (TC) | 10V | 165mohm @ 12a, 10V | 3,5V A 790µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 100 V | - | - | ||||||||||||
 | SI1922EDH-T1-BE3 | 0,4100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1922 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 740MW (TA), 1,25W (TC) | SC-70-6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 1.3a (ta), 1.3a (tc) | 198MOHM @ 1A, 4.5V | 1V a 250µA | 2.5NC @ 8V | - | - | |||||||||||||||
| AON6314 | 0,3091 | | 2968 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERSMD, FIOS Planos | AON63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 85a (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 20a, 10V | 2V A 250µA | 20 NC a 4,5 V | ± 12V | 1900 pf @ 15 V | - | 32.5W (TC) | ||||||||||||
| RJL5014DPP-E0#T2 | 5.7400 | | 2 | 0,00000000 | Renesas | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C. | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FP | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-RJL5014DPP-E0#T2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 19a (TA) | 10V | 400mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 1MA | 43 nc @ 10 V | ± 30V | 1700 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||
 | FQPF33N10 | - | | 6086 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F-3 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 100 v | 18a (TC) | 10V | 52mohm @ 9a, 10V | 4V A 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 25V | 1500 pf @ 25 V | - | 41W (TC) | ||||||||||||||||
 | Ixta1n100p-trl | 1.7238 | | 5248 | 0,00000000 | Ixys | Polar | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Ixta1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D2PAK) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 238-IXTA1N100P-TRLTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 1000 v | 1a (TC) | 10V | 15ohm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 50µA | 15,5 nc @ 10 V | ± 20V | 331 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||
| TSM70N750CP | 2.1762 | | 9537 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM70N750CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 700 v | 6a (TC) | 10V | 750mohm @ 1.8a, 10V | 4V A 250µA | 10,7 nc @ 10 V | ± 30V | 555 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | ||||||||||||
| CPC3714CTR | 0,4416 | | 7626 | 0,00000000 | IXYS Integrated Circuits Division | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-243AA | CPC3714 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-89 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 350 v | - | 14ohm @ 240mA, 0V | - | 100 pf @ 25 V | Modo de Esgotamento | |||||||||||||||||
| BLF245B | - | | 6242 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Volume | Ativo | 65 v | Montagem do chassi | SOT-279A | 175MHz | CDFM4 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BLF245B-1603 | 1 | 2 n-canal | 1Ma | 50 MA | 30w | 18dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||
 | CAB006A12GM3T | 368.4100 | | 7753 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | CAIXA | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | CAB006 | Carboneto de Silício (sic) | 10mw | Módlo | download | Não Aplicável | 1697-CAB006A12GM3T | 18 | 2 canal n (Meia Ponte) | 1200V | 200a (TJ) | 6.9mohm @ 200a, 15V | 3.6V @ 69MA | 708NC @ 15V | 20400pf @ 800V | Carboneto de Silício (sic) | |||||||||||||||||
 | HUFA76404DK8T | - | | 7068 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | HUFA76404 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 62V | 3.6a | 110mohm @ 3.6a, 10V | 3V A 250µA | 4.9NC @ 5V | 250pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | FDMS9600S | 2.4900 | | 2 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | FDMS9600 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | 8-mlp (5x6), Power56 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 12a, 16a | 8.5mohm @ 12a, 10V | 3V A 250µA | 13NC @ 4.5V | 1705pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | NVMD6N03R2G | - | | 7870 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Nvmd6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.29W | 8-SOIC | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6a | 32mohm @ 6a, 10V | 2,5V a 250µA | 30NC @ 10V | 950pf @ 24V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | BSP299 E6327 | - | | 3004 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT223-4-21 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 400mA (TA) | 10V | 4ohm @ 400ma, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 400 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA) | ||||||||||||||
| IQD063N15NM5ATMA1 | 2.2578 | | 6779 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 448-IQD063N15NM5ATMA1TR | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | VRF152G | 174.5800 | | 5 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | 130 v | SOT-262A1 | VRF152 | 175MHz | MOSFET | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-VRF152G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 50µA | 500 MA | 300W | 16dB | - | 50 v | ||||||||||||||||
 | IRF9610S | - | | 8983 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF9610 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF9610S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 200 v | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 900Ma, 10V | 4V A 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 20W (TC) | |||||||||||
 | PSMN8R5-100XSQ | - | | 4908 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | PSMN8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 49a (TJ) | 10V | 8.5mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 5512 pf @ 50 V | - | 55W (TC) | ||||||||||||
 | STL24N60M6 | 1.7879 | | 3917 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | STL24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Powerflat ™ (8x8) HV | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 v | 15a (TC) | 10V | 209mohm @ 8.5a, 10V | 4.75V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 25V | 960 pf @ 100 V | - | 109W (TC) | |||||||||||||
 | IPB60R600P6ATMA1 | - | | 4354 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ P6 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB60R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001313874 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 4.5V @ 200µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 557 pf @ 100 V | - | 63W (TC) | |||||||||||
 | NP22N055SHE-E1-AY | - | | 6795 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 (MP-3ZK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 55 v | 22a (TA) | 10V | 39mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 890 pf @ 25 V | - | 1.2W (TA), 45W (TC) |
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