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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLM7G1822S-40PBGY | 40.7700 |  | 234 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 65 v | Montagem na Superfície | SOT-1212-3 | BLM7 | 1,81 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | 16-HSOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | Dual | - | 40 MA | 4w | 31.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||
 | IRLR120ATF | 0,6100 | | 30 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 100 v | 8.4a (TC) | 5V | 220mohm @ 4.2a, 5V | 2V A 250µA | 15 nc @ 5 V | ± 20V | 440 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 35W (TC) | |||||||||||||||
 | DMN10H120SFG-7 | 0,6400 | | 62 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | DMN10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDI3333-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 100 v | 3.8a (ta) | 6V, 10V | 110mohm @ 3.3a, 10V | 3V A 250µA | 10,6 nc @ 10 V | ± 20V | 549 pf @ 50 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||
 | CPH6614-TL-E | 0,1400 | | 84 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | YJH03N06A | 0,0560 | | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-yjh03n06atr | Ear99 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V12250HSR5 | 284.8516 | | 9126 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 100 v | Montagem do chassi | NI-780S | MRF6V12250 | 1,03 GHz | LDMOS | NI-780S | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 935317106178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 100 ma | 275W | 20.3dB | - | 50 v | |||||||||||||||
 | IXFQ140N20X3 | 12.4800 | | 1 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Ultra X3 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | IXFQ140 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 200 v | 140A (TC) | 10V | 9.6mohm @ 70a, 10V | 4.5V @ 4MA | 127 nc @ 10 V | ± 20V | 7660 pf @ 25 V | - | 520W (TC) | ||||||||||||
 | IRFD220 | - | | 3137 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD220 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFD220 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 v | 800mA (TA) | 10V | 800MOHM @ 480MA, 10V | 4V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||||||||||
 | FQB11N40TM | - | | 3947 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FQB1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 v | 11.4a (TC) | 10V | 480mohm @ 5.7a, 10V | 5V A 250µA | 35 nc @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | |||||||||||||
 | IXFR15N100P | - | | 6572 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Polar | Tubo | Ativo | - | Através do buraco | To-247-3 | IXFR15 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Isoplus247 ™ | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1000 v | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||
 | BF245B | - | | 6455 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | 30 v | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo | BF245 | - | JFET | TO-92 (TO-226) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | N-canal | 100mA | - | - | - | |||||||||||||||||
 | NX3008CBKV, 115 | 0,4300 | | 225 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | NX3008 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | SOT-666 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | N E P-Canal | 30V | 400mA, 220mA | 1.4OHM @ 350MA, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 0,68NC @ 4.5V | 50pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | IRF7665S2TRPBF | - | | 9684 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ ISOMÉTRICO SB | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET sb | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 100 v | 4.1a (ta), 14.4a (tc) | 10V | 62mohm @ 8.9a, 10V | 5V @ 25µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 515 pf @ 25 V | - | 2.4W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||
 | TPN2R203NC, L1Q | 1.2200 | | 19 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-Mosviii | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | TPN2R203 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Adiantamento 8-Tson (3,1x3.1) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 45a (TC) | 10V | 2.2mohm @ 22.5a, 10V | 2.3V @ 500µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 2230 pf @ 15 V | - | 700MW (TA), 42W (TC) | |||||||||||||
 | STD5N60DM2 | 0,9700 | | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Std5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 v | 3.5a (TC) | 10V | 1.55Ohm @ 1.75a, 10V | 5V A 250µA | 8,6 nc @ 10 V | ± 30V | 375 pf @ 100 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||
 | DMP6350S-7-52 | 0.1516 | | 6741 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | 31-DMP6350S-7-52 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 60 v | 1.5a (ta) | 4.5V, 10V | 350mohm @ 900Ma, 10V | 3V A 250µA | 4.1 NC @ 10 V | ± 20V | 206 pf @ 30 V | - | 720mw | |||||||||||||||
 | FDD8882 | 0,5100 | | 11 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 588 | N-canal | 30 v | 12.6a (ta), 55a (tc) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 35a, 10V | 2,5V a 250µA | 33 nc @ 10 V | ± 20V | 1260 pf @ 15 V | - | 55W (TC) | ||||||||||||||||
 | NP82N06NLG-S18-AY | 2.0700 | | 4 | 0,00000000 | NEC Corporation | - | Tubo | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-262 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 82a (TC) | 7.4mohm @ 41a, 10V | 2,5V a 250µA | 160 nc @ 10 V | 8550 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 143W (TC) | |||||||||||||||||
 | SCTH90N65G2V-7 | 35.0600 | | 87 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA | SCTH90 | Sicfet (Carboneto de Silício) | H2PAK-7 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 650 v | 90A (TC) | 18V | 26mohm @ 50a, 18V | 5V @ 1MA | 157 NC @ 18 V | +22V, -10V | 3300 pf @ 400 V | - | 330W (TC) | ||||||||||||
 | STF23N80K5 | 5.4700 | | 43 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | STF23 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-16305-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 v | 16a (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 5V @ 100µA | 33 nc @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||||||||
| FDB9409-F085 | - | | 8389 | 0,00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FDB9409 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 v | 80a (TC) | 10V | 3.5mohm @ 80a, 10V | 4V A 250µA | 56 nc @ 10 V | ± 20V | 2980 pf @ 25 V | - | 94W (TJ) | ||||||||||||
 | BLC9H10XS-350AZ | 74.3400 | | 47 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Bandeja | Ativo | 105 v | Montagem na Superfície | SOT-1273-1 | BLC9 | 617MHz ~ 960MHz | LDMOS | SOT1273-1 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | 1.4µA | 400 mA | 350W | 19.5dB | - | 50 v | ||||||||||||||||
 | YJS4435A | 0,4600 | | 6492 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | AO4240 | 1.5100 | | 9440 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO42 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 24a (ta) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 20a, 10V | 2.3V A 250µA | 87 nc @ 10 V | ± 20V | 4245 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||
 | NVMFS5C682NLAFT1G | 0,9300 | | 2167 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | Nvmfs5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 60 v | 8.8a (ta), 25a (tc) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 10a, 10V | 2V @ 16µA | 5 nc @ 10 V | ± 20V | 410 pf @ 25 V | - | 3.5W (TA), 28W (TC) | ||||||||||||
 | RM21N700TI | 1.3300 | | 9246 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-RM21N700TI | 8541.10.0080 | 5.000 | N-canal | 700 v | 21a (TC) | 10V | 190mohm @ 10.5a, 10V | 3,5V a 250µA | ± 30V | 1950 pf @ 50 V | - | 34W (TC) | |||||||||||||||
 | NE3521M04-T2-A | 0,2100 | | 39 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Volume | Obsoleto | 4 v | 4-SMD, FIOS Planos | 20GHz | Gaas hj-fet | download | Não Aplicável | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | N-canal | 70mA | 6 MA | - | 11db | 0,85dB | 2 v | ||||||||||||||||||||
 | IPP60R099P6XKSA1 | 6.8500 | | 7161 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ P6 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP60R099 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 37.9a (TC) | 10V | 99mohm @ 14.5a, 10V | 4.5V @ 1.21MA | 70 nc @ 10 V | ± 20V | 3330 PF @ 100 V | - | 278W (TC) | ||||||||||||
 | IPAN65R650CEXKSA1 | 1.4200 | | 9218 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | IPAN65 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A220-FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 v | 10.1a (TC) | 10V | 650mohm @ 2.1a, 10V | 3,5V A 210µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 440 PF @ 100 V | - | 28W (TC) | ||||||||||||
 | AONR32308C | 0,1942 | | 5518 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | AONR323 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 785-AONR32308CTR | 5.000 |
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