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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UJ4C075060K3S | 9.6300 |  | 16 | 0,00000000 | Qorvo | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | UJ4C075 | Sicfet (cascode sicjfet) | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2312-UJ4C075060K3S | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 750 v | 28a (TC) | 74mohm @ 20a, 12v | 6V @ 10Ma | 37,8 nc @ 15 V | ± 20V | 1422 pf @ 100 V | - | 155W (TC) | ||||||||||||
 | NVTFS027N10MCLTAG | 0,8300 | | 4923 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-WDFN (3,3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 100 v | 7.4a (ta), 28a (tc) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 7a, 10V | 3V @ 38µA | 11,5 nc @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 50 V | - | 3.1W (TA), 46W (TC) | |||||||||||||
 | NTD3055L170T4G | - | | 8712 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | NTD3055 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 9a (ta) | 5V | 170mohm @ 4.5a, 5V | 2V A 250µA | 10 nc @ 5 V | ± 15V | 275 pf @ 25 V | - | 1,5W (TA), 28,5W (TJ) | ||||||||||||
 | PH7730DL, 115 | 0,2100 | | 18 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | * | Volume | Ativo | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MCS8804-TP | - | | 6309 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | MCS8804 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 353-MCS8804-TPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 8a | 13mohm @ 8a, 10V | 1V a 250µA | 17.9NC @ 4.5V | 1800pf @ 10V | - | ||||||||||||||
 | STF20N20 | - | | 1677 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | STF20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 200 v | 18a (TA) | 10V | 125mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 940 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||
 | IRFU9310PBF | 1.5800 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | IRFU9310 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFU9310PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P. | 400 v | 1.8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10V | 4V A 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||
 | CMS42P03V8-HF | - | | 6389 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-CMS42P03V8-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 15ohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 22 NC a 4,5 V | ± 20V | 2215 pf @ 15 V | - | 1.67W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||
 | STW25N80K5 | 6.5900 | | 9365 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh5 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | STW25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 v | 19.5a (TC) | 10V | 260mohm @ 19.5a, 10V | 5V @ 100µA | 40 nc @ 10 V | ± 30V | 1600 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||
| MCH6610-TL-E | - | | 7701 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| APT5022BNG | - | | 8230 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS IV® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 v | 27a (TC) | 10V | 220mohm @ 13.5a, 10V | 4V @ 1MA | 210 nc @ 10 V | ± 30V | 3500 pf @ 25 V | - | 360W (TC) | |||||||||||||||
 | ZXM62N03E6TA | - | | 9440 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Digi-Reel® | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOT-23-6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 3.2a (ta) | 110mohm @ 2.2a, 10V | 1V a 250µA | 9,6 nc @ 10 V | 380 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||||
 | STD30NF06LT4 | 1.5600 | | 4 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | STD30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 35a (TC) | 5V, 10V | 28mohm @ 18a, 10V | 2,5V a 250µA | 31 NC @ 5 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||
 | BLF8G10LS-270V, 112 | 79.6700 | | 13 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Ativo | 65 v | SOT-1244B | Blf8 | 871,5MHz ~ 891,5MHz | LDMOS | CDFM6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 5 | - | 2 a | 67W | 19.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||
 | Fcpf11n60t | - | | 9096 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Superfet ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | FCPF11 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 v | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 5.5a, 10V | 5V A 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1490 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||||||||
 | RF1K4909096 | 0,6200 | | 60 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | RF1K4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 12V | 3.5a (ta) | 50mohm @ 3.5a, 5V | 2V A 250µA | 25NC @ 10V | 750pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | IRLZ14S | - | | 6817 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRLZ14 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRLZ14S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2V A 250µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||||||||
 | SI7222DN-T1-E3 | - | | 7562 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 Dual | SI7222 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 17.8W | PowerPak® 1212-8 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 6a | 42mohm @ 5.7a, 10V | 1.6V a 250µA | 29NC @ 10V | 700pf @ 20V | - | ||||||||||||||
 | HS8K11TB | 0,6300 | | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-AUDFN PAD EXPOSTO | HS8K11 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | HSML3030L10 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 7a, 11a | 17.9mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 1MA | 11.1NC @ 10V | 500pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
| IPG20N04S409AATMA1 | 0,6500 | | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 54W (TC) | Pg-tdson-8-4 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 503 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 20a (TC) | 8.6mohm @ 17a, 10V | 4V @ 22µA | 28NC @ 10V | 2250pf @ 25V | - | ||||||||||||||
 | FDMC86260 | 2.6100 | | 5 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | FDMC86260 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Power33 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 v | 5.4a (ta), 16a (tc) | 6V, 10V | 34mohm @ 5.4a, 10V | 4V A 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1330 pf @ 75 V | - | 2.3W (TA), 54W (TC) | ||||||||||||
 | DMN3016LFDE-13 | 0,4300 | | 33 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-Powerudfn | DMN3016 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | U-DFN2020-6 (TIPO E) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-canal | 30 v | 10a (ta) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 11a, 10V | 2V A 250µA | 25,1 nc @ 10 V | ± 20V | 1415 pf @ 15 V | - | 730mW (TA) | ||||||||||||
| RF2L15200CB4 | 163.3500 | | 6962 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Volume | Ativo | 65 v | Montagem do chassi | Lbb | RF2L15200 | 1,5 GHz | LDMOS | Lbb | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 497-RF2L15200CB4 | 100 | - | 1µA | 200w | 17.5dB | - | |||||||||||||||||||
 | BSS214NW L6327 | - | | 9654 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 1.5a (ta) | 2.5V, 4.5V | 140mohm @ 1.5a, 4.5V | 1,2V a 3,7µA | 0,8 nc @ 5 V | ± 12V | 143 pf @ 10 V | - | 500mW (TA) | ||||||||||||||
 | Ixty12n06t | - | | 8698 | 0,00000000 | Ixys | Trenchmv ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Ixty12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | N-canal | 60 v | 12a (TC) | 10V | 85mohm @ 6a, 10V | 4V @ 25µA | 3,4 NC a 10 V | ± 20V | 256 pf @ 25 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||
 | Ixta10p15t | 3.6584 | | 5013 | 0,00000000 | Ixys | Trenchp ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Ixta10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D2PAK) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 238-IXTA10P15T | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 150 v | 10a (TC) | 10V | 350mohm @ 5a, 10V | 4.5V a 250µA | 36 nc @ 10 V | ± 15V | 2210 pf @ 25 V | - | 83W (TA) | ||||||||||||
 | MCG30N12Y-TP | - | | 4271 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Pad Exposto de 8-VDFN | MCG30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN3333 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 353-MCG30N12Y-TPTR | 5.000 | N-canal | 120 v | 30a | 4.5V, 10V | 28.2mohm @ 20a, 10V | 3V A 250µA | 22,5 nc @ 10 V | ± 20V | 1028 pf @ 60 V | - | 41W | ||||||||||||||
| NTD3055-150T4G | 0,8900 | | 6902 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | NTD3055 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 9a (ta) | 10V | 150mohm @ 4.5a, 10V | 4V A 250µA | 15 nc @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 25 V | - | 1,5W (TA), 28,8W (TJ) | ||||||||||||
 | IXFN80N50Q2 | - | | 2749 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Q2 CLASSE | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | IXFN80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-227B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 500 v | 72a (TC) | 10V | 60mohm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 8Ma | 250 nc @ 10 V | ± 30V | 12800 pf @ 25 V | - | 890W (TC) | ||||||||||||
 | YJQ3622A | 0,4300 | | 3621 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (3,3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 30a | 4.5V, 10V | 13mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 23,6 nc @ 10 V | ± 20V | 1015 pf @ 15 V | Padrão | 21W (TC) |
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