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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STF40N65M2 | - |  | 7039 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ M2 | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | STF40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 32a (TC) | 10V | 99mohm @ 16a, 10V | 4V A 250µA | 56,5 nc @ 10 V | ± 25V | 2355 pf @ 100 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||
 | NDP7061 | 2.3200 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 64a (TC) | 10V | 16mohm @ 35a, 10V | 4V A 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 1930 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||
 | AIMBG120R080M1XTMA1 | 17.1800 | | 6080 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C. | Montagem NA Superfície | TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA | AIMBG120 | Sicfet (Carboneto de Silício) | PG-PARA263-7-12 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 448-AIMBG120R080M1XTMA1DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 1200 v | 30a | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||
 | IPP65R110CFDAAKSA1 | 8.2500 | | 3176 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Coolmos ™ | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP65R110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 31.2a (TC) | 10V | 110mohm @ 12.7a, 10V | 4.5V A 1.3mA | 118 nc @ 10 V | ± 20V | 3240 pf @ 100 V | - | 277.8W (TC) | ||||||||||||
 | IXFV12N80P | - | | 1605 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Polarht ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-220-3, Guia Curta | IXFV12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Plus220 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 v | 12a (TC) | 10V | 850mohm @ 500mA, 10V | 5.5V A 2,5mA | 51 NC @ 10 V | ± 30V | 2800 pf @ 25 V | - | 360W (TC) | |||||||||||||
 | Aow11s60 | 1.1876 | | 1941 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | Aow11 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-262 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 11a (TC) | 10V | 399mohm @ 3.8a, 10V | 4.1V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 545 pf @ 100 V | - | 178W (TC) | ||||||||||||
 | ZVN2110A | 0,7100 | | 6380 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | ZVN2110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | ZVN2110A-NDR | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | N-canal | 100 v | 320mA (TA) | 10V | 4ohm @ 1a, 10V | 2.4V @ 1Ma | ± 20V | 75 pf @ 25 V | - | 700mW (TA) | ||||||||||||
 | NTMFS4841NHT3G | - | | 3337 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NTMFS4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 8.6a (ta), 59a (tc) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 33 nc @ 11,5 V | ± 20V | 2113 pf @ 12 V | - | 870MW (TA), 41,7W (TC) | |||||||||||||
 | SI4866BDY-T1-E3 | - | | 7450 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4866 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 v | 21.5a (TC) | 1.8V, 4.5V | 5.3mohm @ 12a, 4.5V | 1V a 250µA | 80 nc @ 4,5 V | ± 8V | 5020 pf @ 6 V | - | 4.45W (TC) | |||||||||||||
 | SSM6J50TU, LF | 0,3900 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-Musiv | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C. | Montagem NA Superfície | 6-SMD, FiOS Planos | SSM6J50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Uf6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 2.5a (ta) | 2V, 4.5V | 64mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.2V @ 200µA | ± 10V | 800 pf @ 10 V | - | 500mW (TA) | ||||||||||||||
 | APT58M80J | 65.9400 | | 6902 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | APT58M80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-227 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 800 v | 60a (TC) | 10V | 110mohm @ 43a, 10V | 5V @ 5MA | 570 nc @ 10 V | ± 30V | 17550 PF @ 25 V | - | 960W (TC) | ||||||||||||
 | Buk963R1-40E, 118 | - | | 7180 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Buk963 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 v | 100a (TC) | 5V, 10V | 2.7mohm @ 25a, 10V | 2.1V @ 1Ma | 69,5 nc @ 5 V | ± 10V | 9150 pf @ 25 V | - | 234W (TC) | ||||||||||||
 | RJK0393DPA-00#J53 | 1.1900 | | 29 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem NA Superfície | 8-POWERWDFN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-WPAK | - | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 40A (TA) | 4.3mohm @ 20a, 10V | - | 21 NC a 4,5 V | 3270 pf @ 10 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||
 | NTJS3157NT2G | - | | 1339 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NTJS3157 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-88/SC70-6/SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 3.2a (ta) | 1.8V, 4.5V | 60mohm @ 4a, 4.5V | 1V a 250µA | 15 NC a 4,5 V | ± 8V | 500 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||
 | SISS27DN-T1-GE3 | 0,8400 | | 23 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® 1212-8S | SISS27 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 15a, 10V | 2.2V A 250µA | 140 nc @ 10 V | ± 20V | 5250 pf @ 15 V | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | |||||||||||||
 | SI3139KL-TP | - | | 1458 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-101, SOT-883 | SI3139 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-883 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | Canal P. | 20 v | 680mA (TJ) | 4.5V | 700MOHM @ 600MA, 4,5V | 1.1V @ 250µA | ± 12V | 170 pf @ 6 V | - | 100mW | |||||||||||||
 | NVTFS016N06CTAG | 1.2800 | | 4378 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-POWERWDFN | NVTFS016 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-WDFN (3,3x3.3) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 60 v | 8a (ta), 32a (tc) | 10V | 16.3mohm @ 5a, 10V | 4V @ 25µA | 6,9 nc @ 10 V | ± 20V | 489 pf @ 30 V | - | 2.5W (TA), 36W (TC) | ||||||||||||
| UPA1760G-E1-A | 1.6700 | | 12 | 0,00000000 | Renesas | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C. | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) | UPA1760 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA) | 8-SOP | download | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-UPA1760G-E1-A | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 8a (ta) | 26mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 1MA | 14NC @ 10V | 760pf @ 10V | - | ||||||||||||||
 | PHP30NQ15T, 127 | - | | 4562 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 150 v | 29a (TC) | 10V | 63mohm @ 15a, 10V | 4V @ 1MA | 55 nc @ 10 V | ± 20V | 2390 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||
 | BLP8G05S-200Y | - | | 5674 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem NA Superfície | SOT-1138-2 | BLP8 | 440MHz | LDMOS | 4-HSOPF | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | Fonte Dupla E Comum | - | 2 MA | 210W | 21dB | - | 28 v | |||||||||||||||
 | NTGS4111PT2G | - | | 7977 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | NTGS41 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 2.6a (ta) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 3.7a, 10V | 3V A 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 750 pf @ 15 V | - | 630mW (TA) | |||||||||||||
 | SFR2955TF | 0,2500 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252-3 (DPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal P. | 60 v | 7.6a (TC) | 10V | 300mohm @ 3.8a, 10V | 4V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 32W (TC) | |||||||||||||
 | BSC900N20NS3GATMA1 | 2.0600 | | 4721 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | BSC900 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 200 v | 15.2a (TC) | 10V | 90mohm @ 7.6a, 10V | 4V @ 30µA | 11,6 nc @ 10 V | ± 20V | 920 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | ||||||||||||
 | QS6K21FRATR | 0,6900 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | QS6K21 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 950MW (TA) | TSMT6 (SC-95) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 45V | 1a (ta) | 420mohm @ 1a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 2.1NC @ 4.5V | 95pf @ 10V | - | ||||||||||||||
 | GSFN3908 | 0,4500 | | 6 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powervdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-Ppak (3x3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 30 v | 48a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 16a, 10V | 2,5V a 250µA | 12 NC a 4,5 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||
 | Ixth48n20t | - | | 6616 | 0,00000000 | Ixys | Trincheira | Tubo | Ativo | - | Através do buraco | To-247-3 | Ixth48 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 (ixth) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 200 v | 48a (TC) | - | - | - | 275W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRFIZ48VPBF | - | | 1724 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220ab pak cheio | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 v | 39a (TC) | 10V | 12mohm @ 43a, 10V | 4V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 1985 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||||||||||||
 | NVB5404NT4G | 2.8800 | | 796 | 0,00000000 | Onsemi | * | Fita de Corte (CT) | Ativo | NVB540 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||
| R6007KNX | 1.2054 | | 3213 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | R6007 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 7a (TC) | 10V | 620mohm @ 2.4a, 10V | 5V @ 1MA | 14,5 nc @ 10 V | ± 20V | 470 pf @ 25 V | - | 46W (TC) | ||||||||||||
 | AON6702 | - | | 8953 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SRFET ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-POWERSMD, FIOS Planos | AON67 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (5x6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 26a (ta), 85a (tc) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 20a, 10V | 2.4V a 250µA | 123 nc @ 10 V | ± 20V | 7080 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Corpo) | 2.3W (TA), 83W (TC) |
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