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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLML6302TRPBF | 0,5600 |  | 282 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | IRLML6302 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Micro3 ™/SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 780mA (TA) | 2.7V, 4.5V | 600mohm @ 610mA, 4,5V | 1,5V a 250µA | 3,6 nc @ 4,45 V | ± 12V | 97 pf @ 15 V | - | 540MW (TA) | ||||||||||||
 | IRFP22N50A | - | | 2680 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRFP22 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFP22N50A | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 v | 22a (TC) | 10V | 230mohm @ 13a, 10v | 4V A 250µA | 120 nc @ 10 V | ± 30V | 3450 pf @ 25 V | - | 277W (TC) | |||||||||||
 | STD70N02L | - | | 8618 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ III | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | STD70N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 v | 60a (TC) | 5V, 10V | 8mohm @ 30a, 10V | 1.8V a 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 16 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||
 | AUIRFS3107 | - | | 1294 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001522294 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 v | 195a (TC) | 10V | 3mohm @ 140a, 10V | 4V A 250µA | 240 nc @ 10 V | ± 20V | 9370 PF @ 50 V | - | 370W (TC) | ||||||||||||
 | MRF300AN | - | | 4595 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 133 v | Através do buraco | To-247-3 | 1,8MHz ~ 250MHz | LDMOS | To-247-3 | - | 2156-MRF300AN | 1 | N-canal | 10µA | 100 ma | 300W | 28.2dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||
 | R6504KNXC7G | 2.5300 | | 995 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | R6504 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-R6504KNXC7G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 4a (ta) | 10V | 1.05OHM @ 1.5A, 10V | 5V @ 130µA | 10 nc @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||
| MSCSM120DUM027AG | 932.4200 | | 4698 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM120 | Carboneto de Silício (sic) | 2968W (TC) | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM120DUM027AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2-Canal N (Duplo) Fonte Comum | 1200V (1,2kV) | 733a (TC) | 3.5mohm @ 360a, 20V | 2.8V @ 9MA | 2088NC @ 20V | 27000pf @ 1000V | - | |||||||||||||
 | G75P04S | 0,3260 | | 4 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0000 | 4.000 | Canal P. | 40 v | 11a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 106 nc @ 10 V | ± 20V | 6893 pf @ 20 V | - | 2.5W (TC) | ||||||||||||||
 | DMTH6010SK3-13 | 1.1100 | | 6106 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | DMTH6010 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 16.3a (ta), 70a (tc) | 10V | 8mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 36,3 nc @ 10 V | ± 20V | 1940 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||
| RFP8N20 | 0,5300 | | 2 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 8a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 750 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||
 | STF5N52U | - | | 2060 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | UltrafastMesh ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | STF5N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 525 v | 4.4a (TC) | 10V | 1.5Ohm @ 2.2a, 10V | 4.5V @ 50µA | 16,9 nc @ 10 V | ± 30V | 529 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||
| PTFC210202FCV1XWSA1 | - | | 6828 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Descontinuado no sic | 65 v | Montagem do chassi | H-37248-4 | 2.2 GHz | LDMOS | H-37248-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001096308 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Dual | - | 170 MA | 5W | 21dB | - | 28 v | |||||||||||||||
 | NTMD2P01R2G | - | | 7133 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Ntmd2p | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 710MW | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | NTMD2P01R2GOS | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 16V | 2.3a | 100mohm @ 2.4a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 18NC @ 4.5V | 750pf @ 16V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | FQD5N30TM | - | | 5059 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | FQD5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 300 v | 4.4a (TC) | 10V | 900mohm @ 2.2a, 10V | 5V A 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||
 | ATF-54143-TR2G | - | | 9991 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 5 v | SC-82A, SOT-343 | ATF-54143 | 2GHz | phemt fet | SOT-343 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 120mA | 60 MA | 20.4DBM | 16.6dB | 0,5dB | 3 v | ||||||||||||||||||
| DMN6040SK3-13-52 | 0,3480 | | 3753 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | DMN6040 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | 31-DMN6040SK3-13-52 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 20a (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 20a, 10V | 3V A 250µA | 22,4 NC a 10 V | ± 20V | 1287 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||||||||||||
 | FDW2506P | - | | 6293 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | FDW25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 600mW | 8-TSSOP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 5.3a | 22mohm @ 5.3a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 34NC @ 4.5V | 1015pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | ZXMN6A25GTA | 1.0400 | | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | Zxmn6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 4.8a (ta) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.6a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 20,4 nc @ 10 V | ± 20V | 1063 pf @ 30 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||
 | MCQ4828-TP | - | | 7881 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MCQ4828 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.25W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 353-MCQ4828-TPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 4.5a (ta) | 56mohm @ 4.5a, 10V | 3V A 250µA | 10.5nc @ 10v | 540pf @ 30V | - | ||||||||||||||
| DMP2079LCA3-7 | 0.1027 | | 5282 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-xfdfn | DMP2079 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | X4-DSN1006-3 (TIPO B) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DMP2079LCA3-7DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | Canal P. | 20 v | 3.4a (ta) | 1.8V, 8V | 78MOHM @ 500MA, 8V | 1.2V a 250µA | 1,1 nc @ 4,5 V | -12v | 152 pf @ 10 V | - | 810mw | |||||||||||
 | AO6804A_101 | - | | 5089 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-74, SOT-457 | AO680 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.3W | 6-TSOP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 20V | 5a | 28mohm @ 5a, 4.5V | 1V a 250µA | 7.5NC @ 4.5V | 225pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | DI045N10PQ-AQ | 1.1943 | | 8251 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Powerqfn 5x6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2796-Di045N10PQ-AQTR | 8541.29.0000 | 5.000 | N-canal | 45a | 110W | ||||||||||||||||||||||||
| AO4407BL | - | | 5607 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | AO44 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 30 v | 12a (ta) | 10V | 13mohm @ 12a, 20V | 2,8V a 250µA | 36 nc @ 10 V | ± 25V | 2600 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||||
| IRLR120ATF | - | | 7568 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRLR12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 100 v | 8.4a (TC) | 5V | 220mohm @ 4.2a, 5V | 2V A 250µA | 15 nc @ 5 V | ± 20V | 440 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 35W (TC) | |||||||||||||
 | IPD50N06S214ATMA1 | - | | 8960 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA252-3-11 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 55 v | 50a (TC) | 10V | 14.4mohm @ 32a, 10V | 4V @ 80µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 1485 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||
 | SQJB40EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 102 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJB40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 34W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 30a (TC) | 8mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 35NC @ 10V | 1900pf @ 25V | - | |||||||||||||||
 | SQJ459EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 1721 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJ459 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 60 v | 52a (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 3.5a, 10V | 2,5V a 250µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 4586 pf @ 30 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||
| IPD068N10N3GATMA1 | 2.7500 | | 12 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD068 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 v | 90A (TC) | 6V, 10V | 6.8mohm @ 90a, 10V | 3,5V a 90µA | 68 nc @ 10 V | ± 20V | 4910 PF @ 50 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||
 | IPI80N06S208AKSA1 | - | | 5550 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IPI80N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA262-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 v | 80a (TC) | 10V | 8mohm @ 58a, 10V | 4V A 150µA | 96 nc @ 10 V | ± 20V | 2860 pf @ 25 V | - | 215W (TC) | ||||||||||||
| AFT21H350W03SR6 | 199.4800 | | 150 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Obsoleto | 65 v | Montagem na Superfície | NI-1230-4S | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | NI-1230-4S | - | 2156-AFT21H350W03SR6 | 2 | N-canal | 10µA | 763 MA | 63W | 16.4db @ 2.11GHz | - | 28 v |
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