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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXTH12N100 | - |  | 9990 | 0,00000000 | Ixys | Megamos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Ixth12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 (ixth) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1000 v | 12a (TC) | 10V | 1.05OHM @ 6A, 10V | 4.5V a 250µA | 170 nc @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | IPB65R310CFDATMA1 | 1.5573 | | 8095 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB65R310 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 650 v | 11.4a (TC) | 10V | 310mohm @ 4.4a, 10V | 4.5V a 400µA | 41 nc @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 100 V | - | 104.2W (TC) | ||||||||||||
 | STAC3932B | 117.9750 | | 8680 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Bandeja | Ativo | 250 v | STAC244B | STAC3932 | 123MHz | MOSFET | STAC244B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 20a | 250 Ma | 580W | - | - | 100 v | ||||||||||||||||
 | BSS83PH6327XTSA1 | 0,4100 | | 2943 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS83PH6327 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 60 v | 330mA (TA) | 4.5V, 10V | 2ohm a 330mA, 10V | 2V @ 80µA | 3,57 nc @ 10 V | ± 20V | 78 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | ||||||||||||
 | RJK4002DPD-00#J2 | 0,6453 | | 3 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | RJK4002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | MP-3A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | -1161-rjk4002dpd-00#j2ct | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 400 v | 3a (ta) | 10V | 2.9OHM @ 1.5A, 10V | - | 6 nc @ 10 V | ± 30V | 165 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||||||||
 | IXFH88N30P | 14.8700 | | 1809 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Polar | CAIXA | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IXFH88 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AD (IXFH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 300 v | 88a (TC) | 10V | 40mohm @ 44a, 10V | 5V @ 4MA | 180 nc @ 10 V | ± 20V | 6300 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | ||||||||||||
 | IPP60R600E6 | - | | 9675 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos E6 ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200µA | 20,5 nc @ 10 V | ± 20V | 440 PF @ 100 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||
 | R6515knxc7g | 3.8300 | | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | R6515 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-R6515KNXC7G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 15a (ta) | 10V | 315mohm @ 6.5a, 10V | 5V @ 430µA | 27,5 nc @ 10 V | ± 20V | 1050 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||||||||
| IRL3714S | - | | 6906 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRL3714S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 v | 36a (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10V | 3V A 250µA | 9,7 nc a 4,5 V | ± 20V | 670 pf @ 10 V | - | 47W (TC) | ||||||||||||
 | MRF5S21100HSR3 | 54.8800 | | 334 | 0,00000000 | Semicondutor de Freescale | - | Volume | Ativo | 65 v | Montagem do chassi | NI-780S | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | NI-780S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | 10µA | 1.05 a | 23W | 13.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||
 | Rv1c002unt2cl | 0,4000 | | 831 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | RV1C002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | VML0806 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-canal | 20 v | 150mA (TA) | 1.2V, 4.5V | 2ohm a 150mA, 4,5V | 1V @ 100µA | ± 8V | 12 pf @ 10 V | - | 100mW (TA) | |||||||||||||
 | IRF150P220XKMA1 | - | | 9012 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Strongirfet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | To-247-3 | IRF150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 150 v | 203A (TC) | 10V | 2.7mohm @ 100a, 10V | 4.6V @ 265µA | 200 nc @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 75 V | - | 556W (TC) | ||||||||||||
 | SISS40DN-T1-GE3 | 0,5292 | | 3401 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8S | Siss40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 36.5a (TC) | 6V, 10V | 21mohm @ 10a, 10V | 3,5V a 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 20V | 845 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||
| Ipb09n03la g | - | | 7350 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB09N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 25 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 30a, 10V | 2V @ 20µA | 13 NC @ 5 V | ± 20V | 1642 pf @ 15 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||
 | IPB011N04LGATMA1 | 5.4700 | | 1539 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | IPB011 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-7-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 40 v | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 1.1mohm @ 100a, 10V | 2V @ 200µA | 346 nc @ 10 V | ± 20V | 29000 pf @ 20 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||
 | STFU10NK60Z | 1.6600 | | 447 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | STFU10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 10a (TC) | 10V | 750mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V a 250µA | 48 nc @ 10 V | ± 30V | 1370 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||
 | DMG9926UDM-7 | 0,5100 | | 47 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 | DMG9926 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 980MW | SOT-26 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 20V | 4.2a | 28mohm @ 8.2a, 4.5V | 900MV A 250µA | 8.3nc @ 4.5V | 856pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | FQD3N40TF | 0,3700 | | 26 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 400 v | 2a (TC) | 10V | 3.4OHM @ 1A, 10V | 5V A 250µA | 7,5 nc @ 10 V | ± 30V | 230 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||
 | IPP086N10N3GXKSA1 | 1.9300 | | 8651 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP086 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 80a (TC) | 6V, 10V | 8.6mohm @ 73a, 10V | 3,5V a 75µA | 55 nc @ 10 V | ± 20V | 3980 PF @ 50 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||
 | IPP60R380C6 | - | | 2067 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 v | 10.6a (TC) | 10V | 380mohm @ 3.8a, 10V | 3,5V A 320µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||
 | FDP8440 | 4.4300 | | 500 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | FDP84 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 v | 100a (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 80a, 10V | 3V A 250µA | 450 nc @ 10 V | ± 20V | 24740 pf @ 25 V | - | 306W (TC) | ||||||||||||
 | MP6K31TCR | - | | 3293 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-SMD, FiOS Planos | MP6K31 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | Mpt6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 2a | 290mohm @ 2a, 10V | 2.5V @ 1MA | 2NC @ 5V | 110pf @ 10V | Portão de Nível Lógico, Unidade de 4v | ||||||||||||||
 | DMN3270UVT-13 | 0.1201 | | 7839 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMN3270 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 760MW (TA) | TSOT-26 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 1.6a (ta) | 270mohm @ 650mA, 4.5V | 900MV @ 40µA | 3.07NC @ 4.5V | 161pf @ 15V | - | ||||||||||||||
 | SFR9230BTMAM002 | - | | 7165 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | SFR9230 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | NVF3055-100T1G | - | | 7930 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | NVF3055 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 (TO-261) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 3a (ta) | 10V | 110mohm @ 1.5a, 10V | 4V A 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 455 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||||||||||
| BTS244zaksa1 | - | | 6062 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Tempfet® | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-5, D²PAK (4 leads + guia), to-263bb | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-5-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 v | 35a (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 19a, 10V | 2V @ 130µA | 130 nc @ 10 V | ± 20V | 2660 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||||||||||
 | PJL9411_R2_00001 | 0,5200 | | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | PJL9411 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | - | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 3757-PJL9411_R2_00001DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 30 v | 8.4a (ta) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 8.4a, 10V | 2,5V a 250µA | 11 NC a 4,5 V | ± 20V | 1169 pf @ 15 V | - | 1.7W (TA) | |||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | 0,6400 | | 1582 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 240mA (TA) | 4.5V, 10V | 3ohm a 250mA, 10V | 2,5V a 250µA | 0,6 nc @ 4,5 V | ± 20V | 21 pf @ 5 V | - | 350mW (TA) | ||||||||||||
 | BSP129L6327 | 0,2900 | | 93 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Sipmos® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT223-4-21 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.039 | N-canal | 240 v | 350mA (TA) | 0V, 10V | 6ohm a 350mA, 10V | 1V @ 108µA | 5,7 nc @ 5 V | ± 20V | 108 pf @ 25 V | Modo de Esgotamento | 1.8W (TA) | |||||||||||||
 | SI4420DY | - | | 1141 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI442 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SI4420DYFS | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 12.5a (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 12.5a, 10V | 1V a 250µA | 53 nc @ 5 V | ± 20V | 2180 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) |
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