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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PJA3416A_R1_00001 | 0,3500 |  | 24 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PJA3416 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 5.8a (ta) | 1.8V, 4.5V | 24mohm @ 5.8a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 10,4 nc a 4,5 V | ± 12V | 592 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||
 | NVD20N03L27T4G | - | | 2456 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | NVD20N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 20A (TA) | 4V, 5V | 27mohm @ 10a, 5V | 2V A 250µA | 18,9 nc @ 10 V | ± 20V | 1260 pf @ 25 V | - | 1.75W (TA), 74W (TC) | |||||||||||||
 | IPP60R360CFD7XKSA1 | 3.2300 | | 8177 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ CFD7 | Tubo | Ativo | - | Através do buraco | To-220-3 | IPP60R360 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 600 v | - | - | - | - | ± 20V | - | - | ||||||||||||||
 | DMN3730UFB4-7B | 0,3800 | | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-xfdfn | DMN3730 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | X2-DFN1006-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-canal | 30 v | 750mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 460mohm @ 200Ma, 4.5V | 950MV A 250µA | 1,6 nc @ 4,5 V | ± 8V | 64,3 pf @ 25 V | - | 470MW (TA) | ||||||||||||
 | DMP2900UWQ-13 | 0,0500 | | 8772 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 31-DMP2900UWQ-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | Canal P. | 20 v | 600mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 750mohm @ 430mA, 4.5V | 1V a 250µA | 0,7 PC a 4,5 V | ± 6V | 49 pf @ 16 V | - | 300mw | |||||||||||||
 | HUFA76629D3 | - | | 2028 | 0,00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | Hufa76 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 v | 20a (TC) | 4.5V, 10V | 52mohm @ 20a, 10V | 3V A 250µA | 46 nc @ 10 V | ± 16V | 1285 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||
 | APT53N60BC6 | 8.3500 | | 67 | 0,00000000 | Microchip Technology | Coolmos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | APT53N60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 [b] | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 53a (TC) | 10V | 70mohm @ 25.8a, 10V | 3.5V @ 1.72MA | 154 nc @ 10 V | ± 20V | 4020 pf @ 25 V | - | 417W (TC) | ||||||||||||
 | IRFP150A | - | | 9521 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3PN | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 185 | N-canal | 100 v | 43a (TC) | 40mohm @ 21.5a, 10V | 4V A 250µA | 97 nc @ 10 V | ± 20V | 2270 pf @ 25 V | - | 193W (TC) | ||||||||||||||
 | Ntmfs4108nt1g | - | | 5514 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NTMFS4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 v | 13.5a (TA) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 21a, 10V | 2,5V a 250µA | 54 NC a 4,5 V | ± 20V | 6000 pf @ 15 V | - | 1.1W (TA), 96,2W (TC) | |||||||||||||
 | AFV141KHR5 | 603.9620 | | 4677 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 105 v | Montagem do chassi | SOT-979A | AFV141 | 1,4 GHz | LDMOS | NI-1230-4H | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 935320646178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - | 100 ma | 1000W | 17.7db | - | 50 v | ||||||||||||||
 | IRF830STRL | - | | 8468 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF830 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 v | 4.5a (TC) | 10V | 1.5OHM @ 2.7a, 10V | 4V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 610 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||||||||||
 | AOD4102L | - | | 5287 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AOD41 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 (DPAK) | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 8a (ta), 19a (tc) | 4.5V, 10V | 37mohm @ 12a, 10V | 3V A 250µA | 8.1 NC @ 10 V | ± 20V | 432 pf @ 15 V | - | 4.2W (TA), 21W (TC) | |||||||||||||
 | Tk12a45d (sta4, q, m) | 2.2300 | | 1473 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | π-mosvii | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TK12A45 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220SIS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 450 v | 12a (ta) | 10V | 520mohm @ 6a, 10V | 4V @ 1MA | 24 nc @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||
 | DMT47M2LDVQ-7 | 1.1000 | | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | DMT47 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.34W (TA), 14,8W (TC) | PowerDi3333-8 (TIPO UXC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 11.9a (ta), 30.2a (TC) | 10.8mohm @ 20a, 10V | 2.3V A 250µA | 14NC @ 10V | 891pf @ 20V | - | ||||||||||||||
 | Spp15n65c3xksa1 | 1.8100 | | 6 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 v | 15a (TC) | 10V | 280mohm @ 9.4a, 10V | 3.9V @ 675µA | 63 nc @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 156W (TC) | |||||||||||||
| NTMFS4C302NT3G | 1.9192 | | 1547 | 0,00000000 | Onsemi | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-NTMFS4C302NT3G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 41a (ta), 230a (tc) | 4.5V, 10V | 1.15mohm @ 30a, 10V | 2.2V A 250µA | 82 nc @ 10 V | ± 20V | 5780 pf @ 15 V | - | 3.13W (TA), 96W (TC) | ||||||||||||
| 2SK3495-AZ | 0,1400 | | 55 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | 2SK3495 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | Nttfs4965nftwg | - | | 8528 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | NTTFS4965 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-WDFN (3,3x3.3) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 16.3a (ta), 64a (tc) | 3.5mohm @ 20a, 10V | 2.3V A 250µA | 29,4 nc @ 10 V | 2075 pf @ 15 V | - | - | ||||||||||||||
 | AUIRF7738L2TR | - | | 2090 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ ISOMÉTRICO L6 | AUIRF7738 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFet L6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001515758 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 v | 35a (ta), 130a (tc) | 10V | 1.6mohm @ 109a, 10V | 4V A 250µA | 194 NC @ 10 V | ± 20V | 7471 pf @ 25 V | - | 3.3W (TA), 94W (TC) | |||||||||||
| 64-4126pbf | - | | 4364 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Auillr2703 | - | | 1727 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001523052 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 20a (TC) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 14a, 10v | 1V a 250µA | 15 NC a 4,5 V | ± 16V | 450 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||
 | BSZ042N04NSGATMA1 | - | | 4808 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tsdson-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 40A (TC) | 10V | 4.2mohm @ 20a, 10V | 4V @ 36µA | 46 nc @ 10 V | ± 20V | 3700 pf @ 20 V | - | 2.1W (TA), 69W (TC) | |||||||||||||
| MTA15N06 | 0,5200 | | 33 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SCT4045DW7HRTL | 15.1500 | | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA | Sicfet (Carboneto de Silício) | TO-263-7L | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 750 v | 31a (TC) | 18V | 59mohm @ 17a, 18V | 4.8V @ 8.89MA | 63 nc @ 18 V | +21V, -4V | 1460 pf @ 500 V | - | 93W | |||||||||||||
 | ALD310700APCL | 9.7700 | | 76 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C. | Através do buraco | 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD310700 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 16-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1284 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canal p, par correspondente | 8V | - | - | 20mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||||||||||
 | TN0620N3-G | 1.6300 | | 7299 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bolsa | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | TN0620 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 200 v | 250mA (TJ) | 5V, 10V | 6ohm @ 500Ma, 10V | 1.6V @ 1Ma | ± 20V | 150 pf @ 25 V | - | 1W (TC) | |||||||||||||
 | Irfz34nlpbf | - | | 2952 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-262 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 v | 29a (TC) | 10V | 40mohm @ 16a, 10V | 4V A 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | ||||||||||||||
 | AON2409 | 0,6500 | | 706 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-AUDFN PAD EXPOSTO | AON24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-DFN (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 8a (ta) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 8a, 10V | 2.3V A 250µA | 14,5 nc @ 10 V | ± 20V | 530 PF @ 15 V | - | 2.8W (TA) | ||||||||||||
 | DMP1555UFA-7B | 0,3700 | | 9 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-xfdfn | DMP1555 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | X2-DFN0806-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | Canal P. | 12 v | 200Ma (TA) | 1.5V, 4.5V | 800mohm @ 200Ma, 4.5V | 1V a 250µA | 0,84 nc @ 4,5 V | ± 8V | 55,4 pf @ 10 V | - | 360MW (TA) | ||||||||||||
 | MCAC90N10Y-TP | 1.8300 | | 9 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MCAC90N10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN5060 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 353-MCAC90N10Y-TPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 100 v | 90A | 5.2mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 66 nc @ 10 V | ± 20V | 4600 pf @ 50 V | - | 120W |
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