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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLF7G27L-90P, 112 | - |  | 6726 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 65 v | Montagem do chassi | SOT-1121A | BLF7G27 | 2,5 GHz ~ 2,7 GHz | LDMOS | LD mais | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934064498112 | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | Fonte Dupla E Comum | 18a | 720 MA | 16W | 18.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||
 | DMN3016LPS-13 | 0,4600 | | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | DMN3016 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDi5060-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 10.8a (ta) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 20a, 10V | 2V A 250µA | 25,1 nc @ 10 V | ± 20V | 1415 pf @ 15 V | - | 1.18W (TA) | ||||||||||||
 | J211-D74Z | 0,5000 | | 2 | 0,00000000 | Onsemi | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | 25 v | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | J211 | - | JFET | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | N-canal | 20mA | - | - | - | |||||||||||||||||
 | SIHA21N60EF-GE3 | 4.0100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pacote completo parágrafo 220 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 9a (TC) | 10V | 176mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 84 nc @ 10 V | ± 30V | 2030 PF @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||
 | RJK0396DPA-00#J53 | 0,6800 | | 21 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-WPAK | - | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 30a (ta) | 9mohm @ 15a, 10V | - | 9 nc @ 4,5 V | 1330 pf @ 10 V | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||
 | RTQ035P02TR | 0,2482 | | 9555 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | RTQ035 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TSMT6 (SC-95) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 3.5a (ta) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 3.5a, 4.5V | 2V @ 1MA | 10,5 nc a 4,5 V | ± 12V | 1200 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||
 | FW907-TL-E | - | | 2515 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) | FW907 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W | 8-SOP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N E P-Canal | 30V | 10a, 8a | 17mohm @ 10a, 10V | - | 17NC @ 10V | 1000pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | PJQ4446P-AU_R2_000A1 | 0,8700 | | 4 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | PJQ4446 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN3333-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJQ4446P-AU_R2_000A1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 10.5a (ta), 48a (tc) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1258 pf @ 25 V | - | 2.4W (TA), 50W (TC) | |||||||||||
 | Aptc80tdu15pg | 164.7513 | | 6148 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTC80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 277W | Sp6-p | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 800V | 28a | 150mohm @ 14a, 10v | 3.9V @ 2Ma | 180NC @ 10V | 4507pf @ 25V | - | ||||||||||||||
 | MRFG35010Ar1 | - | | 3633 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 15 v | Montagem do chassi | NI-360HF | MRFG35 | 3,55 GHz | phemt fet | NI-360HF | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | - | 140 MA | 1w | 10dB | - | 12 v | ||||||||||||||||
 | SI3415C-TP | 0,0596 | | 1239 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI3415 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | 353-SI3415C-TPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 20 v | 5a (ta) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 5a, 4.5V | 1,25V a 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 10V | 540 pf @ 10 V | - | 1w | ||||||||||||||
 | 2SJ646-TL-E | 0,2100 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 2156-2SJ646-TL-E-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLP05H6110XRGY | 38.1300 | | 10 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 135 v | Montagem na Superfície | 4-BSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | BLP05 | 108MHz | LDMOS | 4-HSOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | Fonte Dupla E Comum | - | 20 MA | 110W | 27dB | - | 50 v | |||||||||||||||
 | FQN1N60CTA | 0,1900 | | 88 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-92-3 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 600 v | 300mA (TC) | 10V | 11.5OHM @ 150MA, 10V | 4V A 250µA | 6,2 nc @ 10 V | ± 30V | 170 pf @ 25 V | - | 1W (TA), 3W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRFPG50PBF | 5.8800 | | 1915 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRFPG50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFPG50PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 1000 v | 6.1a (TC) | 10V | 2ohm @ 3.6a, 10V | 4V A 250µA | 190 nc @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||||||||||
 | BLM10D3438-35ABX | 20.8439 | | 9836 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 65 v | Montagem na Superfície | 20-QFN PAD Exposto | BLM10 | 3,8 GHz ~ 3,4 GHz | LDMOS | 20-PQFN (8x8) | - | ROHS3 Compatível | 1603-BLM10D3438-35ABXTR | 2.000 | - | 1.4µA | 45 Ma | - | 33.4dB | - | 32 v | ||||||||||||||||||
| APTMC120HR11CT3AG | - | | 4976 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | APTMC120 | Carboneto de Silício (sic) | 125W | SP3 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 1200V (1,2kV) | 26a (TC) | 98mohm @ 20a, 20V | 3V @ 5MA | 62NC @ 20V | 950pf @ 1000V | - | |||||||||||||||
 | STQ3N45K3-AP | - | | 1464 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh3 ™ | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | STQ3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 450 v | 600mA (TC) | 10V | 3.8ohm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 50µA | 6 nc @ 10 V | ± 30V | 150 pf @ 25 V | - | 3W (TC) | ||||||||||||
 | IXTH3N120 | 6.3785 | | 1520 | 0,00000000 | Ixys | - | CAIXA | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Ixth3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 (ixth) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 v | 3a (TC) | 10V | 4.5OHM @ 500MA, 10V | 4.5V a 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||
 | IRF1404STRR | - | | 6396 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 v | 162a (TC) | 10V | 4mohm @ 95a, 10V | 4V A 250µA | 200 nc @ 10 V | ± 20V | 7360 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||
| IRFP460P | - | | 7115 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRFP460 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFP460P | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 v | 20a (TC) | 270mohm @ 12a, 10V | 4V A 250µA | 210 nc @ 10 V | 4200 pf @ 25 V | - | - | |||||||||||||
 | Rp1e075rptr | - | | 5780 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-SMD, FiOS Planos | RP1E075 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Mpt6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 30 v | 7.5a (ta) | 4V, 10V | 21mohm @ 7.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 21 NC @ 5 V | ± 20V | 1900 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||
 | YJJ08N02A | 0,0560 | | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-YJJ08N02ATR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTD24N06LT4G | - | | 9924 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | NTD24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 v | 24a (ta) | 5V | 45mohm @ 10a, 5V | 2V A 250µA | 32 NC @ 5 V | ± 15V | 1140 pf @ 25 V | - | 1,36W (TA), 62,5W (TJ) | |||||||||||||||
| IRL3714STRPBF | - | | 5444 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 v | 36a (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10V | 3V A 250µA | 9,7 nc a 4,5 V | ± 20V | 670 pf @ 10 V | - | 47W (TC) | ||||||||||||||
 | IRFR020 | - | | 9106 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFR020 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||||
 | RTF025N03TL | 0,7100 | | 20 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, FiOS Planos | RTF025 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Tumt3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 2.5a (ta) | 2.5V, 4.5V | 67mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 5,2 nc @ 4,5 V | ± 12V | 270 pf @ 10 V | - | 800mW (TA) | ||||||||||||
| PTVA093002TCV1R250XUMA1 | - | | 8324 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 105 v | H-37248G-4/2 | PTVA093002 | 730MHz ~ 960MHz | LDMOS | H-49248H-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001226874 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | Fonte Dupla E Comum | 10µA | 400 mA | 300W | 18.5dB | - | 50 v | |||||||||||||||
 | CSD86360Q5D | 2.8100 | | 15 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-Powerldfn | CSD86360Q5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 13w | 8-lson (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Meia Ponte) | 25V | 50a | - | 2.1V @ 250µA | 12.6nc @ 4.5V | 2060pf @ 12.5 | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
| IRFR120TRRPBF | 0,6733 | | 5467 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V A 250µA | 16 nc @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) |
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