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Diodos (166326)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
JANS1N4620CUR-1/TR Microchip Technology JANS1N4620CUR-1/TR 154.6904
RFQ
 ECAD 1978 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície DO-213AA (Vidro) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-JANS1N4620CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 mA 3,5 µA A 1,5 V 3,3 v 1,65 ohms
AFU4 SURGE AFU4 0,2100
RFQ
 ECAD 6428 0,00000000 Surto Automotivo, AEC-Q101 Bolsa Ativo Montagem NA Superfície SOD-123F Padrão SOD-123fl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2616-AFU4 3A001 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 35 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 0,75pf @ 4V, 1MHz
BZD27C12PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C12PH 0,2933
RFQ
 ECAD 6614 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SOD-123 BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZD27C12PHTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 3 µA A 9,1 V 12.05 v 7 ohms
1N4959 Microchip Technology 1N4959 6.6150
RFQ
 ECAD 4513 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco E, axial 1N4959 5 w download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 A 10 µA a 8,4 V 11 v 2,5 ohms
JANTXV1N983B-1/TR Microchip Technology Jantxv1n983b-1/tr 2.7664
RFQ
 ECAD 9141 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-JANTXV1N983B-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 mA 500 Na @ 62 V 82 v 330 ohms
ES1GE-TP Micro Commercial Co ES1GE-TP -
RFQ
 ECAD 2429 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita de Corte (CT) Descontinuado no sic Montagem NA Superfície DO-214AC, SMA Es1g Padrão DO-214AC (SMAE) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,35 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 400 V -50 ° C ~ 150 ° C. 1a 45pf @ 4V, 1MHz
VB20202C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20202C-M3/4W 2.2500
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tubo Ativo Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab VB20202 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 10a 900 mV @ 10 A 150 µA @ 200 V -40 ° C ~ 175 ° C.
JAN1N6341DUS/TR Microchip Technology Jan1n6341dus/tr 49.8300
RFQ
 ECAD 5265 0,00000000 Microchip Technology MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Ativo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SQ-Melf, b 500 MW B, Sq-Melf - 150-JAN1N6341DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1,4 V @ 1 A 50 Na @ 39 V 51 v 85 ohms
GBJ1008 SMC Diode Solutions GBJ1008 0,6973
RFQ
 ECAD 3892 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 -SIP GBJ1008 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 15 1,1 V @ 10 A 5 µA A 800 V 10 a Fase Única 800 v
R2000F SMC Diode Solutions R2000F 0,2700
RFQ
 ECAD 225 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial R2000 Padrão DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0070 5.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2000 v 4 V @ 200 mA 500 ns 5 µA @ 2000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200Ma -
HER308GT-G Comchip Technology HER308GT-G 0,2463
RFQ
 ECAD 7220 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201aa, DO-27, axial HER308 Padrão DO-27 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.200 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,7 V @ 3 A 75 ns 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
SMBD001030 SMC Diode Solutions SMBD001030 0,2300
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMBD001030 Schottky SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 700 mV a 10 mA 200 Na @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C. 10mA 2pf @ 15V, 1MHz
SK12B M4G Taiwan Semiconductor Corporation SK12B M4G -
RFQ
 ECAD 1348 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem NA Superfície DO-214AA, SMB SK12 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
BZT52C24-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C24-G3-08 0,0409
RFQ
 ECAD 6922 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos BZT52-G Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem NA Superfície SOD-123 BZT52C24 410 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 15.000 100 Na @ 18 V 24 v 28 ohms
HS3JB Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd HS3JB 0,4200
RFQ
 ECAD 1499 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície DO-214AA, SMB Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 3 A 75 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
UF1GLWH Taiwan Semiconductor Corporation Uf1glwh 0,4100
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície SOD-123W Uf1g Padrão SOD-123W download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,25 V @ 1 A 20 ns 1 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 25pf @ 4V, 1MHz
SS24A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SS24A 0,2300
RFQ
 ECAD 9507 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 500 mv @ 2 a 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 2a -
MURS1060L-BP Micro Commercial Co MURS1060L-BP 0,4148
RFQ
 ECAD 7003 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 MURS1060 Padrão TO-220AC download 353-MURS1060L-BP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 10 A 75 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 115pf @ 4V, 1MHz
ZGL41-200-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZGL41-200-E3/97 -
RFQ
 ECAD 4508 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem NA Superfície Do-213ab, Mell ZGL41 1 w GL41 (DO-213AB) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 mA 1 µA A 152 V 200 v 1200 ohms
TZM5237F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5237F-GS18 -
RFQ
 ECAD 1115 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto - 175 ° C. Montagem NA Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 TZM5237 500 MW SOD-80 MINIMELL - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 3 µA A 6,5 V 8.2 v 500 ohms
2M200Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M200Z A0G -
RFQ
 ECAD 9458 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 2m200 2 w DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.500 500 Na @ 152 V 200 v 900 ohms
1PGSMA120ZH Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA120ZH 0.1156
RFQ
 ECAD 4410 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície DO-214AC, SMA 1PGSMA120 1,25 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA a 91,2 V 120 v 550 ohms
1N4742A_R2_00001 Panjit International Inc. 1N4742A_R2_00001 0,0270
RFQ
 ECAD 3207 0,00000000 Panjit International Inc. 1N4728A Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4742 1 w DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-1N4742A_R2_00001CT Ear99 8541.10.0050 500.000 100 Na @ 9,1 V 12 v 9 ohms
V12PM45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12pm45-m3/i 0,3267
RFQ
 ECAD 9121 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície TO-277, 3-POWERDFN V12pm45 Schottky TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 600 mV @ 12 A 500 µA @ 45 V -40 ° C ~ 175 ° C. 12a 2350pf @ 4V, 1MHz
BZX79-B6V2,133 Nexperia USA Inc. BZX79-B6V2,133 0,2100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Fita de Corte (CT) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79-B6V2 400 MW ALF2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mV a 10 mA 3 µA A 4 V 6.2 v 10 ohms
DZ23C22-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C22-E3-18 0,0415
RFQ
 ECAD 4367 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Dz23 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Dz23 300 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1 par cátodo comum 100 Na @ 17 V 22 v 55 ohms
JANS1N4956DUS Microchip Technology JANS1N4956DUS 577.5900
RFQ
 ECAD 6115 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/356 Volume Ativo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SQ-Melf, b 5 w E-Melf - Alcançar Não Afetado 150-JANS1N4956DUS Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 A 50 µA A 6,2 V 8.2 v 1,5 ohms
BZX84-C30,215 Nexperia USA Inc. BZX84-C30,215 0,1700
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C30 250 MW TO-236AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 50 Na @ 21 V 30 v 80 ohms
BZT52B2V7-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B2V7-G3-08 0,3800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos BZT52-G Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem NA Superfície SOD-123 BZT52B2V7 410 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 2,7 v 75 ohms
SFAF2005GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2005GHC0G -
RFQ
 ECAD 6131 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SFAF2005 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,3 V @ 20 A 35 ns 10 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a 150pf @ 4V, 1MHz
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