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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMB2EZ68D5-TP | - | ![]() | 6932 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | DO-214AA, SMB | SMB2EZ68 | 2 w | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Compatível | 353-SMB2EZ68D5-TPTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 mA | 500 Na @ 51,7 V | 68 v | 75 ohms | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n980dur-1/tr | 21.6258 | ![]() | 7503 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem NA Superfície | DO-213AA (Vidro) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N980DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 500 Na @ 47 V | 62 v | 185 ohms | ||||||||||||
![]() | BZG03B10TR3 | - | ![]() | 2102 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG03B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1,25 w | DO-214AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 10 µA a 7,5 V | 10 v | 4 ohms | ||||||||||||
![]() | HZ30-3L-E | 0,1000 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | ER3D-TP-HF | - | ![]() | 3614 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-214AB, SMC | ER3D | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | 353-ER3D-TP-HF | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA A 200 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5388BE3/TR8 | - | ![]() | 8467 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5388 | 5 w | T-18 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 144 V | 200 v | 480 ohms | ||||||||||||
![]() | VS-MBR2035CT-M3 | 0,6613 | ![]() | 5498 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR2035 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 10a | 840 mV @ 20 A | 100 µA A 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | MBRS20H200CTH | 0,8193 | ![]() | 8316 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS20 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRS20H200CTHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 20a | 970 mV @ 20 A | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
![]() | BZX585-B30,115 | 0,3800 | ![]() | 5048 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem NA Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX585-B30 | 300 MW | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 21 V | 30 v | 80 ohms | |||||||||||
![]() | HER306GH | 0,2527 | ![]() | 5432 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HER306GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 35pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | ED306S_S2_00001 | 0,6000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | ED306S | Padrão | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-ED306S_S2_00001TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 3 A | 35 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||||
![]() | SBR40100CTFP-JT | - | ![]() | 9367 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | SBR® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SBR40100 | Super Barreira | ITO-220AB | download | 1 (ilimito) | 31-SBR40100CTFP-JT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 820 mV @ 20 A | 100 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
![]() | TPMR10J | 0,4680 | ![]() | 4097 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | TPMR10 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TPMR10JTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,8 V @ 10 A | 40 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 140pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | Ss1h10he3_b/i | 0,4300 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-214AC, SMA | SS1H10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 860 mV @ 2 a | 1 µA A 100 V | 175 ° C (max) | 1a | - | |||||||||||
BZT52B39-G RHG | 0,0461 | ![]() | 2508 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 27,3 V | 39 v | 130 ohms | ||||||||||||
![]() | Janhca1n978b | 8.5785 | ![]() | 8698 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204aa, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANHCA1N978B | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA a 38,8 V | 51 v | 125 ohms | ||||||||||||
![]() | 13 PMT5922BE3/TR7 | - | ![]() | 3277 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem NA Superfície | DO-216AA | 1pmt5922 | 3 w | DO-216AA | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 6 V | 7,5 v | 3 ohms | ||||||||||||
![]() | BZT52C6V8-13-G | - | ![]() | 4699 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | BZT52 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | BZT52C6V8-13-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX384C24-HE3-08 | 0,2600 | ![]() | 7353 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem NA Superfície | SC-76, SOD-323 | BZX384C24 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 Na @ 16,8 V | 24 v | 70 ohms | ||||||||||||
![]() | BZX85B75-TR | 0,3800 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BZX85B75 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 Na @ 56 V | 75 v | 135 ohms | ||||||||||||
![]() | RD10ES-T1-AZ | 0,0500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5355 V7G | - | ![]() | 6817 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | DO-214AB, SMC | 1pgsmc | 5 w | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-1PGSMC5355V7GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 Na @ 13,7 V | 18 v | 3 ohms | |||||||||||
![]() | BZT52-B3V9X | 0,0417 | ![]() | 8578 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2,05% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | SOD-123 | BZT52 | 590 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 1 V | 3,9 v | 95 ohms | |||||||||||
![]() | CDBMH2100-HF | - | ![]() | 5766 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem NA Superfície | SOD-123T | Schottky | SOD-123T | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 2 a | 200 µA a 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 160pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | Jantx1n4992dus/tr | 69.8400 | ![]() | 7577 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - | 150-Jantx1n4992dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA @ 206 V | 270 v | 800 ohms | ||||||||||||||
![]() | SF2002G C0G | - | ![]() | 4581 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SF2002 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 975 mV @ 10 A | 35 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
BZX84B22W | 0,0180 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZX84B22WTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PZS528V2BCH_R1_00001 | 0,3200 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-90, SOD-323F | PZS528V2 | 500 MW | Sod-323He | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PZS528V2BCH_R1_00001CT | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 100 Na @ 6 V | 8.2 v | 7 ohms | |||||||||||
![]() | Jantxv1n2979b | - | ![]() | 7777 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 A | 10 µA A 11,4 V | 15 v | 3 ohms | |||||||||||||
![]() | Jan1n985cur-1/tr | 10.2410 | ![]() | 9348 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem NA Superfície | DO-213AA (Vidro) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N985CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 500 Na @ 76 V | 100 v | 500 ohms |
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