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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Sml4739ahe3_a/h | 0,5600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SML4739 | 1 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 10 µA a 7 V | 9.1 v | 5 ohms | ||||||||||||||
![]() | GBU806 | 1.3900 | ![]() | 56 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU806 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | GBU806DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 4 a | 5 µA A 400 V | 8 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||
![]() | NTE6092 | 8.0000 | ![]() | 336 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | To-247 | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE6092 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 650 mV @ 20 A | 100 mA a 60 V | -65 ° C ~ 250 ° C. | 20a | - | ||||||||||||||
![]() | FST153100 | - | ![]() | 4761 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do parafuso | TO-249-9, TO-249AA Variante | Schottky | To-249 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 75a | 940 mV @ 75 A | 1,5 mA a 100 V | ||||||||||||||||
![]() | 13 PMT4121CE3/TR7 | 0,4950 | ![]() | 4932 | 0,00000000 | Microchip Technology | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-216AA | 1pmt4121 | 1 w | DO-216 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 200 mA | 10 Na @ 25,08 V | 33 v | 200 ohms | |||||||||||||
![]() | GL1G-CT | 0,3935 | ![]() | 9131 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tira | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Padrão | DO-213AA, Mini-Melf | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2721-GL1G-CT | 8541.10.0000 | 30 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 1 A | 1,5 µs | 5 µA A 400 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||||||||||
![]() | 2W005m | - | ![]() | 2325 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-Circular, WOM | Padrão | Mulher | download | 1 (ilimito) | 2W005MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 2 A | 10 µA a 50 V | 2 a | Fase Única | 50 v | |||||||||||||||
![]() | GBPC1506-E4/51 | 3.9033 | ![]() | 5329 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal de QC | 4 Quadrados, GBPC | GBPC1506 | Padrão | GBPC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA A 600 V | 15 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||||
Jantxv1N4463CUS | 30.8850 | ![]() | 8844 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5A | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jantxv1N4463CUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 500 Na @ 4,92 V | 8.2 v | 3 ohms | ||||||||||||||||
BAV23C, 215 | 0,3900 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV23 | Padrão | TO-236AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 225mA (DC) | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||
![]() | VS-92MT80KPBF | 96.1787 | ![]() | 7236 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo MT-K | 92MT80 | Padrão | Mt-k | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs92mt80kpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 90 a | Três fase | 800 v | ||||||||||||||
![]() | BZD27B15P-M3-18 | 0.1155 | ![]() | 6618 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZD27B-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 11 V | 15 v | 10 ohms | |||||||||||||
![]() | 1n938bur-1/tr | 21.0300 | ![]() | 5019 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcançar Não Afetado | 150-1N938bur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 9 v | 20 ohms | |||||||||||||||||
![]() | VS-8CSH01-M3/86A | 0,7500 | ![]() | 118 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | 8csh01 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 4a | 950 mV @ 4 a | 25 ns | 2 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
![]() | BZX79-C8V2,113 | 0,1600 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX79-C8V2 | 400 MW | ALF2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mV a 10 mA | 700 Na @ 5 V | 8.2 v | 15 ohms | |||||||||||||
![]() | BZG05B9V1-HM3-18 | 0,2079 | ![]() | 9482 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG05B-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 1,98% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG05B9V1 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 6,8 V | 9.1 v | 5 ohms | |||||||||||||
![]() | 1N5993CE3 | 3.8437 | ![]() | 6279 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N5993CE3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 50 ohms | ||||||||||||||
DF04S1 | 0,6600 | ![]() | 696 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DF04 | Padrão | 4-SDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V @ 1 A | 3 µA A 400 V | 1 a | Fase Única | 400 v | ||||||||||||||
![]() | Jantx1N4371Cur-1 | 15.4650 | ![]() | 6904 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | 1N4371 | 500 MW | DO-213AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 60 µA @ 1 V | 2,7 v | 30 ohms | |||||||||||||
![]() | MP502W | - | ![]() | 8097 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, MP-50W | MP502 | Padrão | MP-50W | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | MP502WMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 V @ 25 A | 10 µA A 200 V | 50 a | Fase Única | 200 v | ||||||||||||
![]() | Mbrs2045ct-y mng | - | ![]() | 2673 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS2045 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 20a | 700 mv @ 10 a | 100 µA A 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | 52MT160KB | - | ![]() | 4241 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Mtk | 52MT160 | Padrão | Mtk | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *52MT160KB | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 55 a | Três fase | 1,6 kV | ||||||||||||||
![]() | Jantxv1n6323dus/tr | 71.5350 | ![]() | 4713 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | 500 MW | B, Sq-Melf | - | 150-JANTXV1N6323DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 A | 1 µA a 7 V | 9.1 v | 6 ohms | ||||||||||||||||
![]() | SBR3U40S1F-7 | 0,4800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | SBR3U40 | Super Barreira | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 490 mV @ 3 a | 180 µA A 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||||||||
1N4571A | 6.5800 | ![]() | 9475 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-1N4571A | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6,4 v | 100 ohms | |||||||||||||||
![]() | VS-40CTQ150STRR-M3 | 1.2713 | ![]() | 4505 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 40CTQ150 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 20a | 930 mV @ 20 A | 50 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
![]() | 1N4741AP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 7060 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4741 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 8,4 V | 11 v | 8 ohms | |||||||||||||
JANS1N6311C | 280.2750 | ![]() | 9871 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Bandeja | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N6311 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 A | 30 µA A 1 V | 3 v | 29 ohms | |||||||||||||||
![]() | B130LB-13-F | 0,4600 | ![]() | 93 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | B130 | Schottky | SMB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 445 mV @ 2 a | 1 mA a 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 90pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
CMR3U-01M TR13 PBFREE | 0,5213 | ![]() | 7792 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | CMR3U-01 | Padrão | SMB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - |
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