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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAS40-04.215 | 0,0200 | ![]() | 2929 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | Bas40 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAS40-04.215-954 | 13.000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4993us/tr | 19.4446 | ![]() | 6565 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | E, axial | 5 w | E, axial | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx1N4993US/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA @ 228 V | 300 v | 950 ohms | ||||||||||||
![]() | MUR1620CTR | - | ![]() | 8745 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | Mur16 | Padrão | To-220 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 8a | 1,2 V @ 8 A | 85 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
![]() | BZX79-B8V2,133 | 0,0200 | ![]() | 163 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 700 Na @ 5 V | 8.2 v | 15 ohms | |||||||||||||||
![]() | BZX84B11 | 0,0355 | ![]() | 9075 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-BZX84B11TR | 8541.10.0000 | 3.000 | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20 ohms | ||||||||||||||
![]() | BYQ60W-600PT2Q | 2.8400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | BYQ60 | Padrão | To-247-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 1740-BYQ60W-600PT2Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 60 A | 55 ns | 10 µA A 600 V | 175 ° C. | 60a | - |
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