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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | ATUAL - MÁX | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Resistência @ se, f |
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![]() | 2EZ11D5E3/TR8 | - | ![]() | 3622 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 2Ez11 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 8,4 V | 11 v | 4 ohms | |||||||||||||||
Jan1n983c-1/tr | 5.2402 | ![]() | 5188 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N983C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 500 Na @ 62 V | 82 v | 330 ohms | |||||||||||||||||
![]() | SK510AFL-TP-HF | - | ![]() | 8472 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | SK510 | Schottky | DO-221AC (SMA-FL) | download | 353-SK510AFL-TP-HF | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 200 µA a 100 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 5a | 170pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C9V1,115 | 0,2400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | BZX84J-C9V1 | 550 MW | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 Ma | 500 Na @ 6 V | 9.1 v | 10 ohms | |||||||||||||||
MSC050SDA170B | 42.6000 | ![]() | 7814 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | MSC050 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSC050SDA170B | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1700 v | 1,8 V @ 50 A | 0 ns | 200 µA A 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 136a | 4450pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | HSMS-2823-TR1G | - | ![]() | 2506 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 a | 1pf @ 0V, 1MHz | Schottky - 1 par ânodo comum | 15V | 12OHM @ 5MA, 1MHZ | |||||||||||||||||||
![]() | SF2005GH | 0,7689 | ![]() | 1403 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SF2005 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SF2005GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 20a | 1,3 V @ 10 A | 35 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
![]() | MSRD620CTT4RG | 1.1700 | ![]() | 1958 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MSRD620 | Padrão | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 3a | 1,15 V @ 3 A | 75 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||
![]() | BZT52C30S | 0,0170 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 200 MW | SOD-323 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZT52C30STR | Ear99 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 21 V | 30 v | 80 ohms | |||||||||||||||||
![]() | 1N5369B/TR8 | - | ![]() | 3871 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5369 | 5 w | T-18 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 36,7 V | 51 v | 27 ohms | |||||||||||||||
![]() | Vs-40ctq045pbf | - | ![]() | 9367 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | 40CTQ045 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 20a | 530 mV @ 20 A | 3 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | SB05-03C-TB-E | - | ![]() | 9460 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SB05 | Schottky | 3-cp | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV a 500 mA | 10 ns | 30 µA A 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500mA | 16pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||
Sznz8f10vsmx2wt5g | 0,0818 | ![]() | 1234 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101, NZ8F | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2,3% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-xdfn | 250 MW | 2-x2dfnw (1x0.6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-SZNZ8F10VSMX2WT5GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 7 V | 10 v | 30 ohms | ||||||||||||||||
1N4753A TR PBFREE | 0,0522 | ![]() | 3591 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 27,4 V | 36 v | 50 ohms | |||||||||||||||||
![]() | 1N6013B_T50R | - | ![]() | 8383 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N6013 | 500 MW | DO-35 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 100 Na @ 27 V | 36 v | 95 ohms | ||||||||||||||||
![]() | Jantx1n5542dur-1/tr | 42.0014 | ![]() | 5575 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTX1N5542DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 10 Na @ 21,6 V | 24 v | 100 ohms | ||||||||||||||||
![]() | 1N4148 | 0,1000 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N4148 | Padrão | DO-204AH (Vidro Do-35) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C. | 150mA | 4pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | MM3Z15VT1GX | 0,2200 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Mm3z | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 300 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 11 V | 15 v | 15 ohms | ||||||||||||||||
![]() | SD103AW-E3-08 | 0,3500 | ![]() | 91 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | SD103 | Schottky | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 600 mV a 200 mA | 10 ns | 5 µA A 30 V | 125 ° C (Máximo) | - | 50pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
Rsfmlhrqg | - | ![]() | 4324 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rsfml | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 500 mA | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | MSE07PG-M3/89A | 0,3200 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | MicroSMP | MSE07 | Padrão | MicroSMP (DO-219AD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,08 V @ 700 mA | 780 ns | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 700mA | 5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | ZMM5240B-13 | - | ![]() | 9350 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ZMM5240B-13GI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 3 µA a 8 V | 10 v | 17 ohms | |||||||||||||||
![]() | CZRT5240B-G | 0,0476 | ![]() | 6558 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CZRT5240 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 3 µA a 8 V | 10 v | 17 ohms | |||||||||||||||
![]() | MMSZ5266B-G3-18 | 0,0409 | ![]() | 6548 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123 | MMSZ5266 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 52 V | 68 v | 230 ohms | ||||||||||||||||
![]() | TSP3H150S | 0,3216 | ![]() | 7386 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | TSP3 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSP3H150STR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 860 mv @ 3 a | 20 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 150pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | GSGC151BS | 0,7400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | To-277 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 470 mV @ 5 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 1780pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | S3280 | 49.0050 | ![]() | 1971 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-S3280 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs1pdhm3_a/h | 0.1002 | ![]() | 2242 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | Rs1p | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX384C3V6-HE3-08 | 0,2600 | ![]() | 2111 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BZX384C3V6 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | ||||||||||||||||
BZD27C6V8P MTG | - | ![]() | 2942 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 3 V | 6,8 v | 3 ohms |
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