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Diodos (166326)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | ATUAL - MÁX | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Resistência @ se, f | Razão de Capacitânncia | Condição da Razão de Capacitância | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KBPC2506i | 3.2932 |  | 1136 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | CAIXA | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-Quadrado, KBPC25 | Padrão | KBPC25 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2721-KBPC2506i | 8541.10.0000 | 240 | 1,2 V @ 12,5 A | 10 µA A 600 V | 25 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||||||||||||
 | SB220-BP | 0.1143 | | 1979 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SB220 | Schottky | DO-15 | download | 353-SB220-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 500 µA A 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 170pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
 | MT5016A | 7.8100 | | 5086 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | CAIXA | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 5-Quadrado, Mt | Padrão | Mt | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 50 | 1,2 V @ 25 A | 10 µA A 1600 V | 50 a | Três fase | 1,6 kV | |||||||||||||||||||||
 | MSAT-P25 | 11.3900 | | 3 | 0,00000000 | Macom Technology Solutions | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 175 ° C (TJ) | 0805 (2012 Mética) | 2012 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 200 MA | - | Pino - único | 200V | 3KOHM @ 10µA, 500MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | HSMS-286P-TR1G | - | | 6843 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SOT-363 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 0,25pf @ 0V, 1MHz | Schottky - Conexão da Série de 2 Pares | 4V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | 1N5730D | 4.6800 | | 4755 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5730 | 500 MW | DO-35 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 2 V | 5,6 v | 25 ohms | |||||||||||||||||||
 | BBY51-03W | 1.0000 | | 4860 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 125 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-2 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 3.7pf @ 4V, 1MHz | Solteiro | 7 v | 2.2 | C1/C4 | - | |||||||||||||||||||||||
| GC15009-450A/TR | - | | 3986 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 125 ° C. | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | GC15009 | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-GC15009-450A/TR | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0,9pf @ 20V, 1MHz | Solteiro | 22 v | 13 | C0/C20 | 800 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||||||
 | DBL102G | - | | 1537 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Padrão | Dbl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-DBL102G | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA A 100 V | 1 a | Fase Única | 100 v | |||||||||||||||||||
 | BBY5603WE6327HTSA1 | - | | 5757 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BBY56 | PG-SOD323-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 12.1pf @ 4V, 1MHz | Solteiro | 10 v | 3.3 | C1/C3 | - | ||||||||||||||||||||
 | BBY 57-02W E6127 | - | | 8923 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-80 | BBY 57 | SCD-80 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | 5.5pf @ 4V, 1MHz | Solteiro | 10 v | 4.5 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||||||
 | NTE5335 | 96.0500 | | 60 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4-retangular | Padrão | - | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE5335 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,35 V @ 60 A | 60 a | Três fase | 600 v | ||||||||||||||||||||||
 | MURSD860B-TP | 0,6300 | | 2 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MURSD860 | FERD (Retificador Diodo de Efeito de Campo) | DPAK (TO-252) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 3,6 V @ 8 a | 40 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
 | FR3MBFL-TP | 0,0569 | | 3147 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Do-221aa, SMB plat do | FR3M | Padrão | SMBF | download | 353-FR3MBFL-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 3 A | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
 | GBP210S | 0,4500 | | 3637 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 -SIP, GBP | Padrão | GBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 2.100 | 1 V @ 1 A | 5 µA A 1000 V | 2 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||||||||||||||
 | MBRD10100CT-TP | 0,2249 | | 6150 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRD10100 | Schottky | D-Pak | download | 353-MBRD10100CT-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 500 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
 | DF100LB80 | 52.3500 | | 5955 | 0,00000000 | Sanrex Corporation | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 4076-DF100LB80 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,3 V @ 100 A | 12 mA a 800 V | 100 a | Três fase | 800 v | ||||||||||||||||||||
| UM4310B | - | | 3740 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Axial | Axial | - | Alcançar Não Afetado | 150-UM4310BTR | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 10 w | 2.2pf @ 100V, 1MHz | Pino - único | 1000V | 1.5OHM @ 100MA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||
 | Pzu22b1a-qx | 0,3000 | | 2 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 µA A 17 V | 21.33 v | 25 ohms | ||||||||||||||||||||
 | 1N4148XHE3-TP | 0,2000 | | 18 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 1N4148 | Padrão | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 353-1N4148XHE3-TPTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA A 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||
| Hzs7.5nb1ta-e | 0,1100 | | 15 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n4985cus/tr | 34.0950 | | 1365 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - | 150-JAN1N4985CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA a 98,8 V | 130 v | 190 ohms | ||||||||||||||||||||||
 | W08M-BP | - | | 3683 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-Circular, WOM | W08 | Padrão | Mulher | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1 V @ 1,5 A | 5 µA A 800 V | 1.5 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||||||||||
 | GBJ2010-BP | 1.7600 | | 1 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBJ | GBJ2010 | Padrão | GBJ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | GBJ2010-BPMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,05 V @ 10 A | 10 µA A 1000 V | 20 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||||||||||
| NZX4V7D, 133 | 0,0200 | | 21 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | NZX4 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | DF06S | 0,1600 | | 4802 | 0,00000000 | Surto | - | Bolsa | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | Padrão | Dfs | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2616-DF06S | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 V @ 500 mA | 5 µA A 600 V | 1 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||||||||||
 | 1N5355BG | 0,4900 | | 5190 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5355 | 5 w | Axial | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 13,7 V | 18 v | 2,5 ohms | |||||||||||||||||||
| KBPC5012FP | 4.0813 | | 480 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | CAIXA | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4-Quadrado, KBPC | Padrão | KBPC | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2721-KBPC5012FP | 8541.10.0000 | 240 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA A 1200 V | 50 a | Fase Única | 1,2 kV | |||||||||||||||||||||
 | B125C5000A | 1.5309 | | 1 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | CAIXA | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip | Padrão | 4-sip | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-B125C5000A | 8541.10.0000 | 500 | 1 V @ 5 A | 5 µA A 250 V | 4 a | Fase Única | 250 v | |||||||||||||||||||||
| PDA7R7S01216 | - | | 9990 | 0,00000000 | Powerex Inc. | * | Volume | Ativo | PDA7R7 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 10 |
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