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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Hs1d | 0,0260 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-HS1DTR | Ear99 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||||
BZT52C22-HE3_A-08 | 0,0533 | ![]() | 9924 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | download | 112-BZT52C22-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 Na @ 17 V | 22 v | 55 ohms | ||||||||||||||||
![]() | 1N3342B | 8.5000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N3342B | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,5 V @ 10 A | 5 µA a 83,6 V | 110 v | 30 ohms | |||||||||||
![]() | Jan1n4488us/tr | 10.6050 | ![]() | 3544 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5A | - | 150-JAN1N4488US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 A | 250 Na @ 72,8 V | 91 v | 200 ohms | ||||||||||||||
![]() | PCDD1065G1_L2_00001 | 4.2700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | PCDD1065 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PCDD1065G1_L2_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 70 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 364pf @ 1V, 1MHz | ||||||||
![]() | HS3B V7G | - | ![]() | 4781 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | HS3B | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 50 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | CD5711V | 1.8900 | ![]() | 8016 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | Schottky | Morrer | - | Alcançar Não Afetado | 150-CD5711V | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 15m | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | MMBZ5234BW-TP | 0,0363 | ![]() | 4376 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | MMBZ5234 | 200 MW | SOT-323 | download | 353-MBZ5234BW-TP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA A 4 V | 6.2 v | 7 ohms | |||||||||||||
![]() | SBR5E60P5-13D | 0,1740 | ![]() | 8846 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Powerdi ™ 5 | SBR5E60 | Super Barreira | Powerdi ™ 5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 520 mV @ 5 A | 220 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||||||||
![]() | EGL34G-E3/98 | 0,4100 | ![]() | 2431 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | Egl34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,35 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 7pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N1186Ra | 2.5000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N1186Ra | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1,2 V @ 30 A | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - | ||||||||||||
![]() | Jantx1n6941utk3as/tr | 506.5350 | ![]() | 9446 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 3 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | Thinkey ™ 3 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx1N6941utk3as/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 50 A | 5 mA a 30 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150a | 7500pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Jantx1n3647.tr | - | ![]() | 6563 | 0,00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/279 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Através do buraco | Axial | Padrão | Axial | download | 600-JANTX1N3647.TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 3000 v | 5 V @ 250 Ma | 2,5 µs | 1 µA A 3000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 600mA | 8pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SBR40U45CT-G-2223 | - | ![]() | 4121 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Última Vez compra | Através do buraco | To-220-3 | Super Barreira | To-220-3 | - | 31-SBR40U45CT-G-2223 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 20a | 520 mV @ 20 A | 600 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||
![]() | Er1b | 0,0675 | ![]() | 60 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC, SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-er1btr | 8541.10.0000 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA A 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||||
![]() | Jan1n497777us/tr | 9.3600 | ![]() | 1131 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - | 150-JAN1N4977US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA a 47,1 V | 62 v | 42 ohms | ||||||||||||||
STPS10L45CT | - | ![]() | 1125 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | STPS10 | Schottky | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 5a | 530 mV @ 5 A | 150 µA A 45 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||
![]() | UX-G5B | - | ![]() | 5984 | 0,00000000 | Sanken | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Axial | Padrão | Axial | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 1261-UX-G5B | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 7500 v | 13,5 V @ 350 Ma | 150 ns | 10 µA @ 7500 V | 120 ° C. | 350mA | - | ||||||||||
![]() | Vss8d3m12-m3/i | 0,4500 | ![]() | 365 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | S8D3 | Schottky | Slimsmaw (DO-221AD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 610 mV @ 1.5 A | 300 µA A 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 310pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SL510B | 0,4500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 700 mv @ 5 a | 50 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 350pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
S1M-KR3G | - | ![]() | 2538 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1M-K | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | WNC3060D45160WQ | 2.2193 | ![]() | 4904 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | WNC3060 | - | 600 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4741A | - | ![]() | 3472 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | ± 5% | 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 8,4 V | 11 v | 8 ohms | |||||||||||||
![]() | GKR26/16 | - | ![]() | 9036 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,55 V @ 60 A | 4 ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 25a | - | |||||||||||||
![]() | SS1040FL-AU_R1_000A1 | 0,3700 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | SS1040 | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 30 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SA159 | 0,0686 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | Padrão | Mell Do-213ab | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-SA159TR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 1 a | 300 ns | 5 µA A 800 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||||||||||
JANS1N4995DUS | - | ![]() | 7532 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA A 274 V | 360 v | 1400 ohms | ||||||||||||||
![]() | VS-32CTQ030-1-M3 | 0,9671 | ![]() | 3603 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | 32CTQ030 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 15a | 490 mV @ 15 A | 1,75 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | Jan1n6305r | - | ![]() | 3800 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 70A | ||||||||||||
![]() | SRA5325T3G | 0,0600 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 |
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