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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) | Razão de capacitância | Condição da relação de capacitância | Q @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRS20I30A(TE85L,QM | 0,5100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123F | CRS20I30 | Schottky | S-PLANO (1,6x3,5) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 490 mV a 2 A | 60 µA a 30 V | 150°C (máx.) | 2A | 50pF @ 10V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | HN2S02FU(TE85L,F) | 0,4900 | ![]() | 35 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | HN2S02 | Schottky | EUA6 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 3 Independente | 40 V | 100mA | 600 mV a 100 mA | 5 µA a 40 V | 125°C (Máx.) | |||||||||||
![]() | CLH07(TE16L,NMB,Q) | - | ![]() | 5501 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | Montagem em superfície | L FLAT® | CLH07 | padrão | L-FLAT™ (4x5,5) | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400V | 1,8 V a 5 A | 35 ns | 10 µA a 400 V | -40°C ~ 150°C | 5A | - | |||||||||||
![]() | 1SS416,L3M | 0,2700 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-923 | 1SS416 | Schottky | SOD-923 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 30 V | 500 mV a 100 mA | 50 µA a 30 V | 125°C (Máx.) | 100mA | 15pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | CUS10S30,H3F | 0,3500 | ![]() | 195 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-76, SOD-323 | CUS10S30 | Schottky | USC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 230 mV a 100 mA | 500 µA a 30 V | 125°C (Máx.) | 1A | 135pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 1SS404,H3F | 0,2000 | ![]() | 55 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-76, SOD-323 | 1SS404 | Schottky | USC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 20 V | 450 mV a 300 mA | 50 µA a 20 V | 125°C (Máx.) | 300mA | 46pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | CMG03A,LQ(M | - | ![]() | 7420 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Caixa | Ativo | Montagem em superfície | SOD-128 | padrão | M-PLANO (2,4x3,8) | download | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,1 V a 2 A | 5 µA a 600 V | 150ºC | 2A | - | ||||||||||||||
![]() | 1SS193,LF | 0,2200 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS193 | padrão | Mini | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 80 V | 1,2 V a 100 mA | 4 ns | 500 nA a 80 V | 125°C (Máx.) | 100mA | 3pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | U1GWJ49(TE12L,F) | - | ![]() | 1338 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | TO-243AA | U1GWJ49 | Schottky | PW-MINI | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 550 mV por 1 A | 500 µA a 40 V | -40°C ~ 125°C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | 1SS184S,LF(D | - | ![]() | 3056 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS184 | padrão | Mini | download | 1 (ilimitado) | 1SS184SLF(D | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 1 par de cátodo comum | 80 V | 100mA | 1,2 V a 100 mA | 4 ns | 500 nA a 80 V | 125°C (Máx.) | ||||||||||
![]() | TRS16N65FB,S1F(S | - | ![]() | 5763 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | TRS16N65 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247 | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TRS16N65FBS1F(S | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 650 V | 8A (CC) | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 90 µA a 650 V | 175°C (máx.) | |||||||||
![]() | TRS6E65C,S1AQ | - | ![]() | 2406 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | Através do furo | PARA-220-2 | TRS6E65 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220-2L | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 90 µA a 650 V | 175°C (máx.) | 6A | 35pF a 650 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | DSR01S30SL,L3F | 0,3500 | ![]() | 49 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | 2-SMD, sem chumbo | DSR01S30 | Schottky | SL2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 30 V | 620 mV a 100 mA | 700 nA a 30 V | 125°C (Máx.) | 100mA | 8,2 pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | CUHS15S60,H3F | 0,4900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | 2-SMD, cabo plano | Schottky | US2H | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 670 mV a 1,5 A | 450 µA a 60 V | 150ºC | 1,5A | 130pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | CTS521,L3F | 0,2000 | ![]() | 191 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-882 | CTS521 | Schottky | CST2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 500 mV a 200 mA | 30 µA a 30 V | 125°C (Máx.) | 200mA | 25pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | CLS03(TE16R,Q) | - | ![]() | 7771 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | Montagem em superfície | L FLAT® | CLS03 | Schottky | L-FLAT™ (4x5,5) | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 580 mV a 10 A | 1 mA a 60 V | -40°C ~ 125°C | 10A | 345pF a 10 V, 1 MHz | ||||||||||||
| CRS08(TE85L,Q,M) | 0,5200 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123F | CRS08 | Schottky | S-PLANO (1,6x3,5) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 360 mV a 1,5 A | 1 mA a 30 V | -40°C ~ 125°C | 1,5A | 90pF @ 10V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | CLH03(TE16L,Q) | - | ![]() | 2672 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | Montagem em superfície | L FLAT® | CLH03 | padrão | L-FLAT™ (4x5,5) | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400V | 35 ns | - | 3A | - | |||||||||||||
| CRH02(TE85L,Q,M) | 0,3600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123F | CRH02 | padrão | S-PLANO (1,6x3,5) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 950 mV a 500 mA | 35 ns | 10 µA a 200 V | 150°C (máx.) | 500mA | - | |||||||||||
![]() | CUS05F30,H3F | 0,3100 | ![]() | 70 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-76, SOD-323 | CUS05F30 | Schottky | USC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 450 mV a 500 mA | 50 µA a 30 V | 500mA | 120pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1SV281(TPH3,F) | 0,3800 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 125°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-79, SOD-523 | 1SV281 | ESC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 4.000 | 8,7pF @ 4V, 1MHz | Solteiro | 10V | 2 | C1/C4 | - | ||||||||||||
| CMS11(TE12L) | - | ![]() | 4213 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita Cortada (CT) | Obsoleto | Montagem em superfície | SOD-128 | CMS11 | Schottky | M-PLANO (2,4x3,8) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 550 mV a 2 A | 500 µA a 40 V | -40°C ~ 150°C | 2A | - | ||||||||||||
| CRS15I40A(TE85L,QM | 0,4500 | ![]() | 8628 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123F | CRS15I40 | Schottky | S-PLANO (1,6x3,5) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 550 mV a 1,5 A | 60 µA a 40 V | 150°C (máx.) | 1,5A | 35pF @ 10V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | CUS15S30,H3F | 0,3500 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-76, SOD-323 | CUS15S30 | Schottky | USC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 400 mV por 1 A | 500 µA a 30 V | 125°C (Máx.) | 1,5A | 200pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | TBAS16,LM | 0,2100 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | Cabos planos SOT-23-3 | TBAS16 | padrão | SOT-23-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 80 V | - | 215mA | - | |||||||||||||
![]() | CTS05S30,L3F | 0,3400 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-882 | CTS05S30 | Schottky | CST2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 340 mV a 100 mA | 150 µA a 10 V | 125°C (Máx.) | 500mA | 55pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | HN2S03FE(TE85L,F) | - | ![]() | 8154 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | SOT-563, SOT-666 | HN2S03 | Schottky | ES6 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 3 Independente | 20 V | 50mA | 550 mV a 50 mA | 500 nA @ 20 V | 125°C (Máx.) | ||||||||||||
![]() | 1SS370TE85LF | - | ![]() | 2146 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-70, SOT-323 | 1SS370 | padrão | SC-70 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 200 V | 1,2 V a 100 mA | 60 ns | 1 µA a 200 V | 125°C (Máx.) | 100mA | 3pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1SS384TE85LF | 0,4200 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-82 | 1SS384 | Schottky | USQ | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 2 Independente | 10V | 100mA | 500 mV a 100 mA | 20 µA a 10 V | 125°C (Máx.) | |||||||||||
![]() | 1SS301SU,LF | - | ![]() | 1998 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-70, SOT-323 | 1SS301 | padrão | SC-70 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 1 par de cátodo comum | 80 V | 100mA | 1,2 V a 100 mA | 4 ns | 500 nA a 80 V | 125°C (Máx.) |

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