SIC
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Diodos (421)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade ATUAL - MÁX Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Resistência @ se, f Razão de Capacitânncia Condição da Razão de Capacitância Q @ vr, f
CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS05F30, L3F 0,3900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo CBS05F30 Schottky Cst2b - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 50 µA A 30 V 125 ° C (Máximo) 500mA 118pf @ 0V, 1MHz
CMG03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG03 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 2511 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-128 CMG03 Padrão M-flat (2.4x3.8) download Rohs Compatível 1 (ilimito) CMG03 (TE12LQM) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 2 A 10 µA A 600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 2a -
CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 (TE12L, Q, M) 0,5300
RFQ
 ECAD 4497 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 CMS09 Schottky M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 450 mv @ 1 a 500 µA A 30 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1a 70pf @ 10V, 1MHz
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16 (TE12L, Q, M) 0,5400
RFQ
 ECAD 4384 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-128 CMZ16 2 w M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 11 V 16 v 30 ohms
CRZ39(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ39 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 7342 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F CRZ39 700 MW S-flat (1,6x3.5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA A 31,2 V 39 v 35 ohms
CRZ47(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 4033 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F CRZ47 700 MW S-flat (1,6x3.5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA A 37,6 V 47 v 65 ohms
CUS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I30A (TE85L, QM -
RFQ
 ECAD 5115 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 CUS10I30 Schottky US-flat (1,25x2.5) download Rohs Compatível CUS10I30A (TE85LQM Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 390 mV @ 700 mA 60 µA A 30 V 150 ° C (Máximo) 1a 50pf @ 10V, 1MHz
BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Bas316, H3f 0,1800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 Bas316 Padrão USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,25 V @ 150 Ma 3 ns 200 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo) 250mA 0,35pf @ 0V, 1MHz
CRY91(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry91 (Te85L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 2201 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-123F Cry91 700 MW S-flat (1,6x3.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA a 5,5 V 9.1 v 30 ohms
1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage 1ss315 [u/d] -
RFQ
 ECAD 3369 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 USC download 1 (ilimito) 264-1SS315 [u/d] tr Ear99 8541.10.0070 3.000 30 mA 0,06pf @ 200mv, 1MHz Schottky - Solteiro 5V -
CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CuHS20F60, H3F 0,3600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, Chumbo Plano Schottky US2H download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 590 mV @ 2 a 70 µA A 60 V 150 ° C. 2a 300pf @ 0V, 1MHz
CUHS20S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CuHS20S60, H3F 0,3600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, Chumbo Plano Schottky US2H download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 530 mv @ 2 a 650 µA A 60 V 150 ° C. 2a 290pf @ 0V, 1MHz
TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12A65F, S1Q 5.4900
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 TRS12A65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F-2L - Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,6 V @ 12 A 0 ns 60 µA A 650 V 175 ° C (max) 12a 44pf @ 650V, 1MHz
TRS8A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8A65F, S1Q 3.6600
RFQ
 ECAD 139 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 TRS8A65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F-2L - Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,6 V @ 8 A 0 ns 40 µA A 650 V 175 ° C (max) 8a 28pf @ 650V, 1MHz
1SS372(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS372 (TE85L, F) 0,3700
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 1SS372 Schottky USM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA A 10 V 125 ° C (Máximo) 100mA 20pf @ 0V, 1MHz
1SS385,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385, LF (CT 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 1SS385 Schottky SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA A 10 V 125 ° C (Máximo) 100mA 20pf @ 0V, 1MHz
1SS422(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS422 (TE85L, F) 0,4000
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 1SS422 Schottky SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 30 v 100mA 500 mV @ 100 Ma 50 µA A 30 V 125 ° C (Máximo)
HN4D02JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D02JU (TE85L, F) 0,0721
RFQ
 ECAD 5848 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 HN4D02 Padrão USV download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 80 v 100mA 1,2 V @ 100 Ma 1.6 ns 500 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
DSF01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC, L3F -
RFQ
 ECAD 4466 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 0201 (0603 Mética) DSF01S30 Schottky SC2 download Rohs Compatível 1 (ilimito) DSF01S30SCL3F Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 500 mV @ 100 Ma 50 µA A 30 V 125 ° C (Máximo) 100mA 9.3pf @ 0V, 1MHz
1SS403E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1ss403e, l3f 0,3200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 1SS403 Padrão ESC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 8.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 200 v 1,2 V @ 100 Ma 60 ns 1 µA A 200 V 150 ° C (Máximo) 100mA 3pf @ 0V, 1MHz
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H, S1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 395 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220-2L - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 264-TRS8E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,35 V @ 8 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175 ° C. 8a 520pf @ 1V, 1MHz
CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ27 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F CRZ27 700 MW S-flat (1,6x3.5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 19 V 27 v 30 ohms
1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307 (TE85L, F) 0,3700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS307 Padrão S-mini download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 1,3 V @ 100 Ma 10 Na @ 30 V 125 ° C (Máximo) 100mA 6pf @ 0V, 1MHz
1SS389,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS389, H3f -
RFQ
 ECAD 4025 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 1ss389 Schottky ESC download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 4.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 600 mV a 50 mA 5 µA A 10 V 125 ° C (Máximo) 100mA 25pf @ 0V, 1MHz
1SV323,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1Sv323, H3f 0,3800
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 1SV323 ESC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 4.000 7.1pf @ 4V, 1MHz Solteiro 10 v 4.3 C1/C4 -
1SV239TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV239TPH3F 0,4300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 1SV239 USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 2pf @ 10V, 1MHz Solteiro 15 v 2.4 C2/C10 -
JDV2S10FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S10FS (TPL3) 0,4100
RFQ
 ECAD 398 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 2-SMD, Chumbo Plano JDV2S10 fsc download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 3.4pf @ 2.5V, 1MHz Solteiro 10 v 2.55 C0.5/C2.5 -
1SV277TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV277TPH3F 0,3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 1Sv277 USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 2.35pf @ 4V, 1MHz Solteiro 10 v 2.3 C1/C4 -
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I40A (TE85L, QM -
RFQ
 ECAD 1671 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 CUS10I40 Schottky US-flat (1,25x2.5) download Rohs Compatível CUS10I40A (TE85LQM Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 490 mV @ 700 mA 60 µA A 40 V 150 ° C (Máximo) 1a 35pf @ 10V, 1MHz
CLH02(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH02 (TE16L, Q) -
RFQ
 ECAD 5715 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Montagem na Superfície L-FLAT ™ CLH02 Padrão L-Flat ™ (4x5.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,3 V @ 3 A 35 ns 10 µA A 300 V -40 ° C ~ 150 ° C. 3a -
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