SIC
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Diodos (421)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade ATUAL - MÁX Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Resistência @ se, f Razão de Capacitânncia Condição da Razão de Capacitância Q @ vr, f
CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ36 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F CRZ36 700 MW S-flat (1,6x3.5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA A 28,8 V 36 v 30 ohms
CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40, H3F 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 CUS10F40 Schottky USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 670 mV @ 1 a 20 µA A 40 V 150 ° C (Máximo) 1a 74pf @ 0V, 1MHz
TRS12E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65F, S1Q 5.4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 TRS12E65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220-2L - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 12 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175 ° C (max) 12a 65pf @ 650V, 1MHz
CRS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30A (TE85L, QM 0,3800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123F CRS10I30 Schottky S-flat (1,6x3.5) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 390 mV @ 700 mA 60 µA A 30 V 150 ° C. 1a 50pf @ 10V, 1MHz
1SV282TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV282TPH3F 0,0886
RFQ
 ECAD 1657 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 1SV282 ESC - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 4.000 3pf @ 25V, 1MHz Solteiro 34 v 12.5 C2/C25 -
1SS427,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1ss427, l3m 0,2700
RFQ
 ECAD 55 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-923 1SS427 Padrão SOD-923 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 80 v 1,2 V @ 100 Ma 1.6 ns 500 Na @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C. 100mA 0,3pf @ 0V, 1MHz
CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CuHS20F60, H3F 0,3600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, Chumbo Plano Schottky US2H download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 590 mV @ 2 a 70 µA A 60 V 150 ° C. 2a 300pf @ 0V, 1MHz
1SS385,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385, LF (CT 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 1SS385 Schottky SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA A 10 V 125 ° C (Máximo) 100mA 20pf @ 0V, 1MHz
CCS15S30,L3QUF Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30, L3quf -
RFQ
 ECAD 1834 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo CCS15S30 Schottky CST2C download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 400 mv @ 1 a 500 µA A 30 V 125 ° C (Máximo) 1.5a 200pf @ 0V, 1MHz
JDV2S09FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S09FSTPL3 0,0766
RFQ
 ECAD 7473 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 2-SMD, Chumbo Plano JDV2S09 fsc - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 11.1pf @ 1V, 1MHz Solteiro 10 v 2.1 C1/C4 -
TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12A65F, S1Q 5.4900
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 TRS12A65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F-2L - Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,6 V @ 12 A 0 ns 60 µA A 650 V 175 ° C (max) 12a 44pf @ 650V, 1MHz
CMS10(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS10 (TE12L, Q, M) 0,4600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 CMS10 Schottky M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 500 µA A 40 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1a 50pf @ 10V, 1MHz
1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage 1ss315 [u/d] -
RFQ
 ECAD 3369 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 USC download 1 (ilimito) 264-1SS315 [u/d] tr Ear99 8541.10.0070 3.000 30 mA 0,06pf @ 200mv, 1MHz Schottky - Solteiro 5V -
CRS08(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS08 (TE85L) -
RFQ
 ECAD 9469 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-123F CRS08 Schottky S-flat (1,6x3.5) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 360 mV @ 1,5 A 1 mA a 30 V -40 ° C ~ 125 ° C. 1.5a -
CLS02(T6L,CLAR,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (T6L, Clar, Q) -
RFQ
 ECAD 2894 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Montagem na Superfície L-FLAT ™ CLS02 Schottky L-Flat ™ (4x5.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 10 A 1 mA a 40 V -40 ° C ~ 125 ° C. 10a 420pf @ 10V, 1MHz
CRZ30(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ30 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 9098 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F CRZ30 700 MW S-flat (1,6x3.5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA A 21 V 30 v 30 ohms
1SS387CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1ss387ct, l3f 0,2400
RFQ
 ECAD 129 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-882 1ss387 Padrão CST2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 80 v 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo) 100mA 0,5pf @ 0V, 1MHz
CRZ12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ12 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F CRZ12 700 MW S-flat (1,6x3.5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA a 8 V 12 v 30 ohms
CMZ20(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ20 (TE12L, Q, M) 0,5400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-128 CMZ20 2 w M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 14 V 20 v 30 ohms
1SV324TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV324TPH3F 0,4200
RFQ
 ECAD 972 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 1Sv324 USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 12pf @ 4V, 1MHz Solteiro 10 v 4.3 C1/C4 -
JDP4P02AT(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage JDP4P02AT (TE85L) -
RFQ
 ECAD 5762 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) 4-smd, sem chumbo JDP4P02 CST4 (1.2x0.8) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 4.000 50 MA 0,4pf @ 1V, 1MHz PIN - 2 Independente 30V 1.5OHM @ 10MA, 100MHz
HN2D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn2d02fu, lf 0,4000
RFQ
 ECAD 310 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2D02 Padrão US6 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 3 Independente 80 v 80mA 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
1SS372(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS372 (TE85L, F) 0,3700
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 1SS372 Schottky USM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA A 10 V 125 ° C (Máximo) 100mA 20pf @ 0V, 1MHz
CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS05F30, L3F 0,3900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo CBS05F30 Schottky Cst2b - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 50 µA A 30 V 125 ° C (Máximo) 500mA 118pf @ 0V, 1MHz
CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ13 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 3970 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F CRZ13 700 MW S-flat (1,6x3.5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA a 9 V 13 v 30 ohms
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16 (TE12L, Q, M) 0,5400
RFQ
 ECAD 4384 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-128 CMZ16 2 w M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 11 V 16 v 30 ohms
1SV279,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1Sv279, H3f 0,4800
RFQ
 ECAD 1082 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 1Sv279 ESC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 4.000 6.5pf @ 10V, 1MHz Solteiro 15 v 2.5 C2/C10 -
HN1D02F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02F (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 9292 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 HN1D02 Padrão SM6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 par cátodo comum 80 v 100mA 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V -55 ° C ~ 125 ° C.
1SS374(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS374 (Te85L, F) 0,3700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS374 Schottky SC-59 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 10 v 100mA 500 mV @ 100 Ma 20 µA A 10 V 125 ° C (Máximo)
CLH06(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH06 (TE16L, Q) -
RFQ
 ECAD 9941 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Montagem na Superfície L-FLAT ™ CLH06 Padrão L-Flat ™ (4x5.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 35 ns - 5a -
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