SIC
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Diodos (421)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Razão de Capacitânncia Condição da Razão de Capacitância Q @ vr, f
1SV311(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1Sv311 (TPH3, F) 0,0886
RFQ
 ECAD 4129 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 1Sv311 ESC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 4.000 5.45pf @ 4V, 1MHz Solteiro 10 v 2.1 C1/C4 -
CRG04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG04 (TE85L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 3321 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-123F CRG04 Padrão S-flat (1,6x3.5) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1 A 10 µA A 600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1a -
CLH05(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH05 (TE16R, Q) -
RFQ
 ECAD 3564 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Montagem na Superfície L-FLAT ™ CLH05 Padrão L-Flat ™ (4x5.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 980 mV @ 5 A 35 ns 10 µA A 200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 5a -
CMZ13(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ13 (TE12L, Q, M) 0,5400
RFQ
 ECAD 4806 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-128 CMZ13 2 w M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 10 µA a 9 V 13 v 30 ohms
CMF01A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMF01A, LQ (m -
RFQ
 ECAD 5318 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - CAIXA Ativo Montagem na Superfície SOD-128 Padrão M-flat (2.4x3.8) download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2 V @ 2 A 100 ns 50 µA A 600 V 150 ° C. 2a -
1SS196(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS196 (TE85L, F) 0,3200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS196 Padrão SC-59-3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 80 v 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 125 ° C (Máximo) 100mA 3pf @ 0V, 1MHz
1SS424(TPL3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS424 (TPL3, F) 0,2200
RFQ
 ECAD 62 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 1SS424 Schottky ESC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 8.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 20 v 500 mV @ 200 mA 50 µA a 20 V 125 ° C (Máximo) 200Ma 20pf @ 0V, 1MHz
CRS15I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I40A (TE85L, QM 0,4500
RFQ
 ECAD 8628 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123F CRS15I40 Schottky S-flat (1,6x3.5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 1,5 A 60 µA A 40 V 150 ° C (Máximo) 1.5a 35pf @ 10V, 1MHz
HN1D03FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03FTE85LF 0,4200
RFQ
 ECAD 66 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 HN1D03 Padrão SC-74 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 par ca + cc 80 v 100mA 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
1SS361CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361CT (TPL3) 0,3400
RFQ
 ECAD 242 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 1ss361 Padrão Cst3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 80 v 100mA 1,2 V @ 100 Ma 1.6 ns 500 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
CUS10S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S30, H3F 0,3500
RFQ
 ECAD 195 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 CUS10S30 Schottky USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 230 mV @ 100 Ma 500 µA A 30 V 125 ° C (Máximo) 1a 135pf @ 0V, 1MHz
CRG04A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CRG04A, LQ (m -
RFQ
 ECAD 4458 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - CAIXA Ativo Montagem na Superfície SOD-123F Padrão S-flat (1,6x3.5) download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1 A 5 µA A 600 V 150 ° C. 1a -
CUHS15F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CuHS15F30, H3F 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, Chumbo Plano CuHS15 Schottky US2H download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 520 mV @ 1,5 A 50 µA A 30 V 150 ° C. 1.5a 170pf @ 0V, 1MHz
TRS3E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS3E65F, S1Q 1.9400
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 TRS3E65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220-2L - Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,6 V @ 3 A 0 ns 20 µA A 650 V 175 ° C (max) 3a 12pf @ 650V, 1MHz
1SS321,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1ss321, lf 0,3200
RFQ
 ECAD 41 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS321 Schottky S-mini download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 10 v 1 V @ 50 Ma 500 Na @ 10 V 125 ° C (Máximo) 50mA 3.2pf @ 0V, 1MHz
CMF01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF01 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 3559 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-128 CMF01 Padrão M-flat (2.4x3.8) - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2 V @ 2 A 100 ns 50 µA A 600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 2a -
TRS3E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS3E65H, S1Q 1.6100
RFQ
 ECAD 400 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220-2L - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 264-TRS3E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,35 V @ 3 A 0 ns 45 µA A 650 V 175 ° C. 3a 199pf @ 1V, 1MHz
1SS406,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS406, H3F 0,2000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 1SS406 Schottky USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 20 v 550 mV a 50 mA 500 Na @ 20 V 125 ° C (Máximo) 50mA 3,9pf @ 0V, 1MHz
TBAT54C,LM Toshiba Semiconductor and Storage Tbat54c, lm 0,2100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tbat54 Schottky SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 30 v 140mA 580 mV @ 100 Ma 1,5 ns 2 µA A 25 V 150 ° C (Máximo)
CLS01(T6LSONY,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS01 (T6lSony, Q) -
RFQ
 ECAD 6695 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Montagem na Superfície L-FLAT ™ CLS01 Schottky L-Flat ™ (4x5.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 470 mV @ 10 A 1 mA a 30 V -40 ° C ~ 125 ° C. 10a 530pf @ 10V, 1MHz
TRS6E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65H, S1Q 2.3200
RFQ
 ECAD 400 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220-2L - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 264-TRS6E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,35 V @ 6 A 0 ns 70 µA A 650 V 175 ° C. 6a 392pf @ 1V, 1MHz
CMZ36(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ36 (TE12L, Q, M) 0,5800
RFQ
 ECAD 2937 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-128 2 w M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 28,8 V 36 v 30 ohms
CLS03(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16R, Q) -
RFQ
 ECAD 7771 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Montagem na Superfície L-FLAT ™ CLS03 Schottky L-Flat ™ (4x5.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 580 mV @ 10 A 1 mA a 60 V -40 ° C ~ 125 ° C. 10a 345pf @ 10V, 1MHz
CLS03(T6L,CANO-O,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (T6L, Cano-O, q -
RFQ
 ECAD 8132 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Montagem na Superfície L-FLAT ™ CLS03 Schottky L-Flat ™ (4x5.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 580 mV @ 10 A 1 mA a 60 V -40 ° C ~ 125 ° C. 10a 345pf @ 10V, 1MHz
HN1D04FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1d04fute85lf -
RFQ
 ECAD 7995 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1D04 Padrão US6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade Conexão de 2 Pares da Série 80 v 100mA 1,2 V @ 100 Ma 1.6 ns 500 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
1SS393,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1ss393, lf 0,3800
RFQ
 ECAD 347 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 1SS393 Schottky SC-70 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA A 40 V -40 ° C ~ 100 ° C.
1SS301SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1ss301su, lf -
RFQ
 ECAD 1998 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 1SS301 Padrão SC-70 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 80 v 100mA 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
CLH01(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH01 (TE16R, Q) -
RFQ
 ECAD 4207 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Montagem na Superfície L-FLAT ™ CLH01 Padrão L-Flat ™ (4x5.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 980 mV @ 3 a 35 ns 10 µA A 200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 3a -
CRS04(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS04 (TE85L) -
RFQ
 ECAD 7404 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-123F CRS04 Schottky S-flat (1,6x3.5) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 510 mV @ 1 a 100 µA A 40 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1a -
HN2D01FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01FTE85LF 0,4700
RFQ
 ECAD 201 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 HN2D01 Padrão SC-74 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 3 Independente 80 v 80mA 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
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