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Diodos (421)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Razão de Capacitânncia | Condição da Razão de Capacitância | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Cry68 (Te85L, Q, M) | 0,4900 |  | 2 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123F | Cry68 | 700 MW | S-flat (1,6x3.5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 mA | 10 µA A 3 V | 6,8 v | 60 ohms | ||||||||||||||||
| CRZ30 (TE85L, Q) | - | | 7496 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRZ30 | 700 MW | S-flat (1,6x3.5) | download | 1 (ilimito) | CRZ30TR-NDR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 mA | 10 µA A 21 V | 30 v | 30 ohms | ||||||||||||||||
 | TRS3E65H, S1Q | 1.6100 | | 400 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220-2L | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 264-TRS3E65H, S1Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,35 V @ 3 A | 0 ns | 45 µA A 650 V | 175 ° C. | 3a | 199pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||
 | HN2D01FTE85LF | 0,4700 | | 201 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-74, SOT-457 | HN2D01 | Padrão | SC-74 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 3 Independente | 80 v | 80mA | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||||||
| CMH05A (TE12L, Q, M) | - | | 6271 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-128 | CMH05A | Padrão | M-flat (2.4x3.8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,8 V @ 1 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||||||||||||
| CRZ33 (TE85L, Q, M) | - | | 7181 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRZ33 | 700 MW | S-flat (1,6x3.5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 mA | 10 µA A 26,4 V | 33 v | 30 ohms | ||||||||||||||||
 | CTS05S40, L3F | 0,3400 | | 62 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-882 | CTS05S40 | Schottky | CST2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 350 mv @ 100 mA | 30 µA a 10 V | 125 ° C (Máximo) | 500mA | 42pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||
 | 1SS424 (TPL3, F) | 0,2200 | | 62 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 1SS424 | Schottky | ESC | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 20 v | 500 mV @ 200 mA | 50 µA a 20 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 20pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||
 | DSF01S30SL, L3F | 0,3500 | | 62 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | DSF01S30 | Schottky | SL2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 500 mV @ 100 Ma | 50 µA A 30 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 9.02pf @ 2V, 1MHz | |||||||||||||||
| CRS15 (TE85L, Q, M) | 0,1462 | | 3 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRS15 | Schottky | S-flat (1,6x3.5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 520 mv @ 3 a | 50 µA A 30 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 90pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||
| CLH01 (TE16R, Q) | - | | 4207 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | L-FLAT ™ | CLH01 | Padrão | L-Flat ™ (4x5.5) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 980 mV @ 3 a | 35 ns | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||
 | Hn1d04fute85lf | - | | 7995 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | HN1D04 | Padrão | US6 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | Conexão de 2 Pares da Série | 80 v | 100mA | 1,2 V @ 100 Ma | 1.6 ns | 500 Na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||
 | TRS20N65D, S1F | - | | 9963 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | TRS20N | Schottky | To-247 | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 650 v | 10a (DC) | 1,7 V @ 10 A | 90 µA @ 650 V | 175 ° C (max) | |||||||||||||||
| CMZ36 (TE12L, Q, M) | 0,5800 | | 2937 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-128 | 2 w | M-flat (2.4x3.8) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 28,8 V | 36 v | 30 ohms | |||||||||||||||||
| CLS01, LFJFQ (o | - | | 1100 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | L-FLAT ™ | CLS01 | Schottky | L-Flat ™ (4x5.5) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 470 mV @ 10 A | 1 mA a 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10a | 530pf @ 10V, 1MHz | ||||||||||||||||
| CRS10I40B (TE85L, QM | 0,4700 | | 3 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRS10I40 | Schottky | S-flat (1,6x3.5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 450 mv @ 1 a | 100 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | 62pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||
| CRS08 (TE85L, Q, M) | 0,5200 | | 29 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRS08 | Schottky | S-flat (1,6x3.5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 360 mV @ 1,5 A | 1 mA a 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 1.5a | 90pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||
| CTS05S30, L3F | 0,3400 | | 15 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-882 | CTS05S30 | Schottky | CST2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 340 mV @ 100 Ma | 150 µA A 10 V | 125 ° C (Máximo) | 500mA | 55pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||
 | 1ss398te85lf | 0,5000 | | 71 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS398 | Padrão | S-mini | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 400 v | 100mA | 1,3 V @ 100 Ma | 500 ns | 100 Na @ 400 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||||||
 | 1ss397te85lf | 0,4100 | | 8305 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 1SS397 | Padrão | SC-70 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 400 v | 1,3 V @ 100 Ma | 500 ns | 1 µA A 400 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 5pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
| CRS04 (TE85L) | - | | 7404 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRS04 | Schottky | S-flat (1,6x3.5) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 510 mV @ 1 a | 100 µA A 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||
 | TRS24N65FB, S1Q | 7.6500 | | 105 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | TRS24N65 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247 | - | 1 (ilimito) | 264 TRS24N65FBS1Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 650 v | 12a (DC) | 1,6 V @ 12 A | 0 ns | 60 µA A 650 V | 175 ° C. | ||||||||||||||
 | Cus357, H3f | 0,1900 | | 96 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | CUS357 | Schottky | USC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 600 mV @ 100 Ma | 5 µA A 40 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 11pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||
 | CuHS15F40, H3F | 0,3700 | | 10 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, Chumbo Plano | CuHS15 | Schottky | US2H | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 630 mV @ 1.5 A | 50 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1.5a | 130pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||
| 1SV305, H3F | - | | 5855 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 1SV305 | ESC | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 6.6pf @ 4V, 1MHz | Solteiro | 10 v | 3 | C1/C4 | - | |||||||||||||||||
 | 1ss402te85lf | 0,3800 | | 25 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-82 | 1SS402 | Schottky | USQ | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 Independente | 20 v | 50mA | 550 mV a 50 mA | 500 Na @ 20 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||
| 1SV281 (TPH3, F) | 0,3800 | | 7 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 1Sv281 | ESC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | 8.7pf @ 4V, 1MHz | Solteiro | 10 v | 2 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||
 | TRS3E65F, S1Q | 1.9400 | | 12 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | TRS3E65 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220-2L | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,6 V @ 3 A | 0 ns | 20 µA A 650 V | 175 ° C (max) | 3a | 12pf @ 650V, 1MHz | ||||||||||||||||
 | TRS6A65F, S1Q | 2.7600 | | 6 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | TRS6A65 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220F-2L | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,6 V @ 6 A | 0 ns | 30 µA A 650 V | 175 ° C (max) | 6a | 22pf @ 650V, 1MHz | ||||||||||||||||
| CuHS15F30, H3F | 0,4800 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, Chumbo Plano | CuHS15 | Schottky | US2H | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 520 mV @ 1,5 A | 50 µA A 30 V | 150 ° C. | 1.5a | 170pf @ 0V, 1MHz |
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