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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Tolerância	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caixa	Número básico do produto	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Velocidade	Atual – Máx.	Configuração de diodo	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Corrente - Média Retificada (Io)	Capacitância @ Vr, F	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Máx.)	Tensão - Zener (Nom) (Vz)	Impedância (Máx.) (Zzt)	Resistência @ Se, F	Razão de capacitância	Condição da relação de capacitância	Q @ Vr, F
1SS302A,LF	0,2200	Solicitação de cotação	6	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SC-70, SOT-323	1SS302	padrão		SC-70	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade		Conexão em série de 1 par	80 V	100mA	1,2 V a 100 mA	4 ns	500 nA a 80 V	-55°C ~ 150°C
TRS12E65F,S1Q	5.4900	Solicitação de cotação	3	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Tubo	Ativo			Através do furo	PARA-220-2	TRS12E65	SiC (carboneto de silício) Schottky		TO-220-2L	-	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	50	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)			650 V		1,7 V a 12 A	0 ns	90 µA a 650 V	175°C (máx.)	12A	65pF a 650 V, 1 MHz
CMS08(TE12L,Q,M)	0,5300	Solicitação de cotação	2	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SOD-128	CMS08	Schottky		M-PLANO (2,4x3,8)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			30 V		370 mV a 3 A		1,5 mA a 30 V	-40°C ~ 125°C	1A	70pF @ 10V, 1MHz
CBS05F30,L3F	0,3900	Solicitação de cotação	1	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	2-SMD, sem chumbo	CBS05F30	Schottky		CST2B	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	10.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			30 V				50 µA a 30 V	125°C (Máx.)	500mA	118pF a 0 V, 1 MHz
CRZ12(TE85L,Q)	-	Solicitação de cotação	7495	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	±10%	-40°C ~ 150°C	Montagem em superfície	SOD-123F	CRZ12		700 mW	S-PLANO (1,6x3,5)	download		1 (ilimitado)	CRZ12TR-NDR	EAR99	8541.10.0050	3.000						1 V a 200 mA		10 µA a 8 V						12V	30 Ohms
CUS10F40,H3F	0,3300	Solicitação de cotação	6	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SC-76, SOD-323	CUS10F40	Schottky		USC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			40 V		670 mV por 1 A		20 µA a 40 V	150°C (máx.)	1A	74pF a 0 V, 1 MHz
CMS09(TE12L,Q,M)	0,5300	Solicitação de cotação	4497	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SOD-128	CMS09	Schottky		M-PLANO (2,4x3,8)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			30 V		450 mV por 1 A		500 µA a 30 V	-40°C ~ 150°C	1A	70pF @ 10V, 1MHz
TRS12A65F,S1Q	5.4900	Solicitação de cotação	28	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Tubo	Ativo			Através do furo	Pacote completo TO-220-2	TRS12A65	SiC (carboneto de silício) Schottky		TO-220F-2L	-				EAR99	8541.10.0080	50	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)			650 V		1,6 V a 12 A	0 ns	60 µA a 650 V	175°C (máx.)	12A	44pF a 650 V, 1 MHz
1SV307(TPH3,F)	0,4300	Solicitação de cotação	3	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		125°C (TJ)		SC-76, SOD-323	1SV307			USC	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	3.000		50 mA									0,5pF @ 1V, 1MHz	PIN - Único	30V			1,5 Ohm a 10 mA, 100 MHz
TRS10E65F,S1Q	4.5900	Solicitação de cotação	20	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Tubo	Ativo			Através do furo	PARA-220-2	TRS10E65	SiC (carboneto de silício) Schottky		TO-220-2L	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	50	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)			650 V		1,6 V a 10 A	0 ns	50 µA a 650 V	175°C (máx.)	10A	36pF a 650 V, 1 MHz
CCS15F40,L3F	0,4800	Solicitação de cotação	49	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	2-SMD, sem chumbo	CCS15F40	Schottky		CST2C	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	10.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			40 V		640 mV a 1,5 A		25 µA a 40 V	150°C (máx.)	1,5A	130pF a 0 V, 1 MHz
1SS308(TE85L,F	0,4300	Solicitação de cotação	15	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SC-74A, SOT-753	1SS308	padrão		SMV	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade		4 anodo comum	80 V	100mA	1,2 V a 100 mA	4 ns	500 nA a 80 V	125°C (Máx.)
1SS367,H3F	0,2000	Solicitação de cotação	63	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SC-76, SOD-323	1SS367	Schottky		USC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade			10V		500 mV a 100 mA		20 µA a 10 V	125°C (Máx.)	100mA	40pF a 0 V, 1 MHz
1SS427,L3M	0,2700	Solicitação de cotação	55	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SOD-923	1SS427	padrão		SOD-923	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	10.000	Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade			80 V		1,2 V a 100 mA	1,6ns	500 nA a 80 V	-55°C ~ 150°C	100mA	0,3pF a 0V, 1MHz
1SV279,H3F	0,4800	Solicitação de cotação	1082	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		125°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-79, SOD-523	1SV279			ESC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	4.000											6,5pF @ 10V, 1MHz	Solteiro	15V				2,5	C2/C10	-
CCS15S30,L3QUF	-	Solicitação de cotação	1834	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	2-SMD, sem chumbo	CCS15S30	Schottky		CST2C	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	10.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			20 V		400 mV por 1 A		500 µA a 30 V	125°C (Máx.)	1,5A	200pF a 0 V, 1 MHz
CRS15I30A(TE85L,QM	0,4500	Solicitação de cotação	4972	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SOD-123F	CRS15I30	Schottky		S-PLANO (1,6x3,5)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			30 V		460 mV a 1,5 A		60 µA a 30 V	150°C (máx.)	1,5A	50pF @ 10V, 1MHz
JDV2S10FS(TPL3)	0,4100	Solicitação de cotação	398	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		150°C (TJ)	Montagem em superfície	2-SMD, cabo plano	JDV2S10			FSC	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	10.000											3,4 pF a 2,5 V, 1 MHz	Solteiro	10V				2,55	C0,5/C2,5	-
HN4D02JU(TE85L,F)	0,0721	Solicitação de cotação	5848	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	HN4D02	padrão		USV	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade		1 par de cátodo comum	80 V	100mA	1,2 V a 100 mA	1,6ns	500 nA a 80 V	150°C (máx.)
CRS14(TE85L,Q,M)	0,1462	Solicitação de cotação	3	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SOD-123F	CRS14	Schottky		S-PLANO (1,6x3,5)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			30 V		490 mV a 2 A		50 µA a 30 V	-40°C ~ 150°C	2A	90pF @ 10V, 1MHz
CLS03(TE16L,PCD,Q)	-	Solicitação de cotação	5355	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Volume	Obsoleto			Montagem em superfície	L FLAT®	CLS03	Schottky		L-FLAT™ (4x5,5)	download		1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	1	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			60 V		580 mV a 10 A		1 mA a 60 V	-40°C ~ 125°C	10A	345pF a 10 V, 1 MHz
CRG01(TE85L,Q,M)	-	Solicitação de cotação	9551	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto			Montagem em superfície	SOD-123F	CRG01	padrão		S-PLANO (1,6x3,5)	-	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)			100V		1,1 V a 700 mA		10 µA a 100 V	-40°C ~ 150°C	700mA	-
1SS381,L3F	0,0540	Solicitação de cotação	6469	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Não para novos designs		125°C (TJ)		SC-79, SOD-523	1SS381			ESC	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	8.000		100 mA									1,2pF @ 6V, 1MHz	PIN - Único	30V			900mOhm @ 2mA, 100MHz
1SS360(T5L,F,T)	-	Solicitação de cotação	2413	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto			Montagem em superfície	SC-75, SOT-416	1SS360	padrão		MES	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade		1 par de anodo comum	80 V	100mA	1,2 V a 100 mA	4 ns	500 nA a 80 V	125°C (Máx.)
BAS516,H3F	0,1800	Solicitação de cotação	1	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SC-79, SOD-523	BAS516	padrão		ESC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	4.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			100V		1,25 V a 150 mA	3 ns	200 nA @ 80 V	150°C (máx.)	250mA	0,35pF a 0V, 1MHz
JDP4P02AT(TE85L)	-	Solicitação de cotação	5762	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)		4-SMD, sem chumbo	JDP4P02			CST4 (1,2x0,8)	download		1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	4.000		50 mA									0,4pF @ 1V, 1MHz	PIN - 2 Independentes	30V			1,5 Ohm a 10 mA, 100 MHz
CBS10F40,L3F	0,4300	Solicitação de cotação	10	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SOD-882	CBS10F40	Schottky		CST2B	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	10.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			40 V		700 mV por 1 A		20 µA a 40 V	150°C (máx.)	1A	74pF a 0 V, 1 MHz
CUS05F40,H3F	0,3000	Solicitação de cotação	2	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SC-76, SOD-323	CUS05F40	Schottky		USC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			40 V		810 mV a 500 mA		15 µA a 40 V	150°C (máx.)	500mA	28pF a 0 V, 1 MHz
CRS13(TE85L,Q,M)	0,4500	Solicitação de cotação	3	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SOD-123F	CRS13	Schottky		S-PLANO (1,6x3,5)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			60 V		550 mV por 1 A		50 µA a 60 V	150°C (máx.)	1A	40pF @ 10V, 1MHz
CMZ16(TE12L,Q,M)	0,5400	Solicitação de cotação	4384	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	SOD-128	CMZ16		2W	M-PLANO (2,4x3,8)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0050	3.000						1,2 V a 200 mA		10 µA a 11 V						16V	30 Ohms

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