SIC
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Diodos (421)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade ATUAL - MÁX Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Resistência @ se, f Razão de Capacitânncia Condição da Razão de Capacitância Q @ vr, f
CRZ30(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ30 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 9098 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F CRZ30 700 MW S-flat (1,6x3.5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA A 21 V 30 v 30 ohms
CMS10(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS10 (TE12L, Q, M) 0,4600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 CMS10 Schottky M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 500 µA A 40 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1a 50pf @ 10V, 1MHz
1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage 1ss315 [u/d] -
RFQ
 ECAD 3369 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 USC download 1 (ilimito) 264-1SS315 [u/d] tr Ear99 8541.10.0070 3.000 30 mA 0,06pf @ 200mv, 1MHz Schottky - Solteiro 5V -
1SS387CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1ss387ct, l3f 0,2400
RFQ
 ECAD 129 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-882 1ss387 Padrão CST2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 80 v 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo) 100mA 0,5pf @ 0V, 1MHz
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16 (TE12L, Q, M) 0,5400
RFQ
 ECAD 4384 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-128 CMZ16 2 w M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 11 V 16 v 30 ohms
CMH04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH04 (TE12L, Q, M) 0,4500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 CMH04 Padrão M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 980 mV @ 1 a 35 ns 10 µA A 200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1a -
JDV2S07FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S07FSTPL3 0,0718
RFQ
 ECAD 6225 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) 2-SMD, Chumbo Plano JDV2S07 fsc download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 4.9pf @ 1V, 1MHz Padrão - Único 10V -
1SS301,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS301, lf 0,2100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 1SS301 Padrão SC-70 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 80 v 100mA 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
1SV277TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV277TPH3F 0,3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 1Sv277 USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 2.35pf @ 4V, 1MHz Solteiro 10 v 2.3 C1/C4 -
1SV239TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV239TPH3F 0,4300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 1SV239 USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 2pf @ 10V, 1MHz Solteiro 15 v 2.4 C2/C10 -
CRZ12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ12 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F CRZ12 700 MW S-flat (1,6x3.5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA a 8 V 12 v 30 ohms
CMZ20(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ20 (TE12L, Q, M) 0,5400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-128 CMZ20 2 w M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 14 V 20 v 30 ohms
TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12A65F, S1Q 5.4900
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 TRS12A65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F-2L - Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,6 V @ 12 A 0 ns 60 µA A 650 V 175 ° C (max) 12a 44pf @ 650V, 1MHz
1SV308(TH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1Sv308 (Th3, F) -
RFQ
 ECAD 8277 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Fita de Corte (CT) Obsoleto 125 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 1SV308 ESC download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 4.000 50 MA 0,5pf @ 1V, 1MHz Pino - único 30V 1.5OHM @ 10MA, 100MHz
JDP4P02AT(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage JDP4P02AT (TE85L) -
RFQ
 ECAD 5762 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) 4-smd, sem chumbo JDP4P02 CST4 (1.2x0.8) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 4.000 50 MA 0,4pf @ 1V, 1MHz PIN - 2 Independente 30V 1.5OHM @ 10MA, 100MHz
CRZ12(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ12 (TE85L, Q) -
RFQ
 ECAD 7495 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-123F CRZ12 700 MW S-flat (1,6x3.5) download 1 (ilimito) CRZ12TR-NDR Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA a 8 V 12 v 30 ohms
1SS360(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS360 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 2413 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 1ss360 Padrão SSM download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par ânodo comum 80 v 100mA 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
JDH2S01FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S01FSTPL3 -
RFQ
 ECAD 7312 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) 2-SMD, Chumbo Plano JDH2S01 fsc download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 25 MA 0,6pf @ 0,2V, 1MHz Schottky - Solteiro 4V -
CMS30I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I30A (TE12L, QM 0,5900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 CMS30 Schottky M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 490 mV @ 3 a 100 µA A 30 V 150 ° C (Máximo) 3a 82pf @ 10V, 1MHz
CLS03(TE16L,DNSO,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, DNSO, Q -
RFQ
 ECAD 9888 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Montagem na Superfície L-FLAT ™ CLS03 Schottky L-Flat ™ (4x5.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 580 mV @ 10 A 1 mA a 60 V -40 ° C ~ 125 ° C. 10a 345pf @ 10V, 1MHz
1SS302A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1ss302a, lf 0,2200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 1SS302 Padrão SC-70 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 80 v 100mA 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1SS381,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1ss381, l3f 0,0540
RFQ
 ECAD 6469 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos 125 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 1SS381 ESC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 8.000 100 ma 1.2pf @ 6V, 1MHz Pino - único 30V 900MOHM @ 2MA, 100MHz
CRG02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG02 (TE85L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 1132 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-123F CRG02 Padrão S-flat (1,6x3.5) - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 700 mA 10 µA A 400 V -40 ° C ~ 150 ° C. 700mA -
HN4D02JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D02JU (TE85L, F) 0,0721
RFQ
 ECAD 5848 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 HN4D02 Padrão USV download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 80 v 100mA 1,2 V @ 100 Ma 1.6 ns 500 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
CES520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES520, L3F 0,1800
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 CES520 Schottky ESC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 8.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 600 mV a 200 mA 5 µA A 30 V 125 ° C (Máximo) 200Ma 17pf @ 0V, 1MHz
CMF05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF05 (TE12L, Q, M) 0,5300
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 CMF05 Padrão M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 4 (72 Horas) Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 2,7 V @ 500 mA 100 ns 50 µA A 800 V -40 ° C ~ 125 ° C. 500mA -
CMH02A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH02A (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 2840 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-128 CMH02A Padrão M-flat (2.4x3.8) download Rohs Compatível 1 (ilimito) CMH02A (TE12LQM) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,8 V @ 3 A 100 ns 10 µA A 400 V -40 ° C ~ 150 ° C. 3a -
JDH2S02SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02SL, L3F 0,4200
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo JDH2S02 Schottky SL2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 10 v 25 µA a 500 mV 125 ° C (Máximo) 10mA 0,25pf @ 200mv, 1MHz
BAS516,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Bas516, H3f 0,1800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 Bas516 Padrão ESC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 4.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,25 V @ 150 Ma 3 ns 200 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo) 250mA 0,35pf @ 0V, 1MHz
CRY75(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry75 (Te85L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 7359 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-123F Cry75 700 MW S-flat (1,6x3.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA A 4,5 V 7,5 v 30 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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