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Diodos (421)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade ATUAL - MÁX Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Resistência @ se, f Razão de Capacitânncia Condição da Razão de Capacitância Q @ vr, f
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H, S1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 395 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220-2L - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 264-TRS8E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,35 V @ 8 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175 ° C. 8a 520pf @ 1V, 1MHz
1SV307(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV307 (TPH3, F) 0,4300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 1SV307 USC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 50 MA 0,5pf @ 1V, 1MHz Pino - único 30V 1.5OHM @ 10MA, 100MHz
1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307 (TE85L, F) 0,3700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS307 Padrão S-mini download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 1,3 V @ 100 Ma 10 Na @ 30 V 125 ° C (Máximo) 100mA 6pf @ 0V, 1MHz
TRS10E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65C, S1Q -
RFQ
 ECAD 8191 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 TRS10E65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220-2L - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175 ° C (max) 10a -
CLH02(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH02 (TE16L, Q) -
RFQ
 ECAD 5715 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Montagem na Superfície L-FLAT ™ CLH02 Padrão L-Flat ™ (4x5.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,3 V @ 3 A 35 ns 10 µA A 300 V -40 ° C ~ 150 ° C. 3a -
1SV324TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV324TPH3F 0,4200
RFQ
 ECAD 972 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 1Sv324 USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 12pf @ 4V, 1MHz Solteiro 10 v 4.3 C1/C4 -
CMG06A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG06A, LQ (m -
RFQ
 ECAD 9033 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - CAIXA Ativo Montagem na Superfície SOD-128 Padrão M-flat (2.4x3.8) download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1 A 5 µA A 600 V 150 ° C. 1a -
1SS374(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS374 (Te85L, F) 0,3700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS374 Schottky SC-59 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 10 v 100mA 500 mV @ 100 Ma 20 µA A 10 V 125 ° C (Máximo)
JDP2S02AFS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S02AFS (TPL3) 0,4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) 2-SMD, Chumbo Plano JDP2S02 fsc download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 50 MA 0,4pf @ 1V, 1MHz Pino - único 30V 1.5OHM @ 10MA, 100MHz
1SS389,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS389, H3f -
RFQ
 ECAD 4025 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 1ss389 Schottky ESC download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 4.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 600 mV a 50 mA 5 µA A 10 V 125 ° C (Máximo) 100mA 25pf @ 0V, 1MHz
JDV2S10FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S10FS (TPL3) 0,4100
RFQ
 ECAD 398 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 2-SMD, Chumbo Plano JDV2S10 fsc download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 3.4pf @ 2.5V, 1MHz Solteiro 10 v 2.55 C0.5/C2.5 -
1SV323,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1Sv323, H3f 0,3800
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 1SV323 ESC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 4.000 7.1pf @ 4V, 1MHz Solteiro 10 v 4.3 C1/C4 -
1SV239TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV239TPH3F 0,4300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 1SV239 USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 2pf @ 10V, 1MHz Solteiro 15 v 2.4 C2/C10 -
1SV277TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV277TPH3F 0,3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 1Sv277 USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 2.35pf @ 4V, 1MHz Solteiro 10 v 2.3 C1/C4 -
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I40A (TE85L, QM -
RFQ
 ECAD 1671 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 CUS10I40 Schottky US-flat (1,25x2.5) download Rohs Compatível CUS10I40A (TE85LQM Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 490 mV @ 700 mA 60 µA A 40 V 150 ° C (Máximo) 1a 35pf @ 10V, 1MHz
CRZ18(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ18 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F CRZ18 700 MW S-flat (1,6x3.5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA A 13 V 18 v 30 ohms
CMS30I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I30A (TE12L, QM 0,5900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 CMS30 Schottky M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 490 mV @ 3 a 100 µA A 30 V 150 ° C (Máximo) 3a 82pf @ 10V, 1MHz
CRG02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG02 (TE85L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 1132 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-123F CRG02 Padrão S-flat (1,6x3.5) - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 700 mA 10 µA A 400 V -40 ° C ~ 150 ° C. 700mA -
CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ36 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F CRZ36 700 MW S-flat (1,6x3.5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA A 28,8 V 36 v 30 ohms
BAV99,LM Toshiba Semiconductor and Storage BAV99, LM 0,1900
RFQ
 ECAD 687 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bav99 Padrão SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 100 v 215mA 1,25 V @ 150 Ma 3 ns 200 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
CMS16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS16 (TE12L, Q, M) 0,6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 CMS16 Schottky M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 200 µA a 40 V -40 ° C ~ 150 ° C. 3a -
HN1D02F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02F (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 9292 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 HN1D02 Padrão SM6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 par cátodo comum 80 v 100mA 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V -55 ° C ~ 125 ° C.
HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03T (TE85L) -
RFQ
 ECAD 3763 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 4-SMD, FIOS Planos HN2S03 Schottky Tesq - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 4.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 Independente 20 v 50mA 550 mV a 50 mA 500 Na @ 20 V 125 ° C (Máximo)
CLH05(T6L,NKOD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH05 (T6L, NKOD, Q) -
RFQ
 ECAD 1913 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Montagem na Superfície L-FLAT ™ CLH05 Padrão L-Flat ™ (4x5.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 980 mV @ 5 A 35 ns 10 µA A 200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 5a -
TRS10E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65F, S1Q 4.5900
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 TRS10E65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220-2L download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,6 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V 175 ° C (max) 10a 36pf @ 650V, 1MHz
CMS10(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS10 (TE12L, Q, M) 0,4600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 CMS10 Schottky M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 500 µA A 40 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1a 50pf @ 10V, 1MHz
1SV279,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1Sv279, H3f 0,4800
RFQ
 ECAD 1082 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 1Sv279 ESC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 4.000 6.5pf @ 10V, 1MHz Solteiro 15 v 2.5 C2/C10 -
CUS520,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS520, H3F 0,2000
RFQ
 ECAD 707 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 CUS520 Schottky USC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 280 mV a 10 mA 5 µA A 30 V 125 ° C (Máximo) 200Ma 17pf @ 0V, 1MHz
CMF05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF05 (TE12L, Q, M) 0,5300
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 CMF05 Padrão M-flat (2.4x3.8) download ROHS3 Compatível 4 (72 Horas) Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 2,7 V @ 500 mA 100 ns 50 µA A 800 V -40 ° C ~ 125 ° C. 500mA -
CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ13 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 3970 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F CRZ13 700 MW S-flat (1,6x3.5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 10 µA a 9 V 13 v 30 ohms
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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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