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Diodos (421)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HN2D01FU (TE85L, F) | - |  | 6360 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | HN2D01 | Padrão | US6 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 3 Independente | 80 v | 80mA | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||
 | 1ss272te85lf | 0,4900 | | 11 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-61AA | 1SS272 | Padrão | SC-61B | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 Independente | 80 v | 100mA | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||
 | CRZ22 (TE85L, Q) | - | | 5653 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRZ22 | 700 MW | S-flat (1,6x3.5) | download | 1 (ilimito) | CRZ22TR-NDR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 mA | 10 µA A 16 V | 22 v | 30 ohms | ||||||||||||
 | CRG09 (TE85L, Q, M) | - | | 9954 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRG09 | Padrão | S-flat (1,6x3.5) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | CRG09 (TE85LQM) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 700 mA | 10 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||||||||
 | 1ss184, lf | 0,2400 | | 26 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS184 | Padrão | S-mini | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 80 v | 100mA | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||
 | 1SS423 (Te85L, F) | 0,4400 | | 6 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | 1SS423 | Schottky | SSM | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 40 v | 100mA | 620 mV @ 100 Ma | 5 µA A 40 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||
 | CBS10S30, L3F | 0,4300 | | 9 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | CBS10S30 | Schottky | Cst2b | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 450 mv @ 1 a | 500 µA A 30 V | 125 ° C (Máximo) | 1a | 135pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
 | 1SS378 (TE85L, F) | 0,3400 | | 55 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 1SS378 | Schottky | SC-70 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 10 v | 100mA | 500 mV @ 100 Ma | 20 µA A 10 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||
| CMS04 (TE12L) | - | | 1186 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-128 | CMS04 | Schottky | M-flat (2.4x3.8) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 370 mV @ 5 A | 8 mA a 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 5a | - | |||||||||||
| CUS05 (TE85L, Q, M) | - | | 2964 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | CUS05 | Schottky | US-flat (1,25x2.5) | - | Rohs Compatível | CUS05 (TE85LQM) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 370 mV @ 700 Ma | 1 mA a 20 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 40pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||
 | CUS08F30, H3F | 0,3300 | | 362 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | CUS08F30 | Schottky | USC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 220 mV a 10 mA | 50 µA A 30 V | 125 ° C (Máximo) | 800mA | 170pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
| Hn1d01fu, lf (t | 0,4600 | | 137 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | HN1D01 | Padrão | US6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 par ânodo comum | 80 v | 100mA | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||
 | TRS24N65FB, S1F (S. | - | | 9125 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | TRS24N65 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247 | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | TRS24N65FBS1F (s | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 650 v | 12a (DC) | 1,7 V @ 12 A | 0 ns | 90 µA @ 650 V | 175 ° C (max) | |||||||||
| CMH08A (TE12L, Q, M) | - | | 7466 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-128 | CMH08A | Padrão | M-flat (2.4x3.8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,8 V @ 2 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||
| CMS10I30A (TE12L, QM | 0,5700 | | 1159 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | CMS10 | Schottky | M-flat (2.4x3.8) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 360 mV @ 1 a | 100 µA A 30 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | 82pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||
| TRS6V65H, LQ | 2.3200 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 4-VSFN PAD EXPOSTO | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | 4-DFN-EP (8x8) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,35 V @ 6 A | 0 ns | 70 µA A 650 V | 175 ° C. | 6a | 392pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||
| CMS14 (TE12L, Q, M) | 0,5900 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | CMS14 | Schottky | M-flat (2.4x3.8) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 580 mV @ 2 a | 200 µA A 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||||||||
| TRS10V65H, LQ | 2.8900 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 4-VSFN PAD EXPOSTO | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | 4-DFN-EP (8x8) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,35 V @ 10 A | 0 ns | 100 µA A 650 V | 175 ° C. | 10a | 649pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||
 | TRS10A65F, S1Q | 4.5900 | | 4279 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | TRS10A65 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220F-2L | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,6 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | 175 ° C (max) | 10a | 36pf @ 650V, 1MHz | ||||||||||||
| CLS02 (TE16L, HIT, Q) | - | | 7549 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | L-FLAT ™ | CLS02 | Schottky | L-Flat ™ (4x5.5) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 10 A | 1 mA a 40 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10a | 420pf @ 10V, 1MHz | ||||||||||||
 | 1SS352, H3f | 0,1800 | | 236 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76A | 1SS352 | Padrão | SC-76-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 3pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||
| CRZ47 (TE85L, Q) | - | | 3679 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRZ47 | 700 MW | S-flat (1,6x3.5) | download | 1 (ilimito) | CRZ47TR-NDR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 mA | 10 µA A 37,6 V | 47 v | 65 ohms | ||||||||||||
| CRG09A, LQ (m | - | | 8559 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRG09 | Padrão | S-flat (1,6x3.5) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | CRG09ALQ (m | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 700 mA | 5 µA A 400 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | - | ||||||||||
| CMZ24 (TE12L, Q, M) | 0,5400 | | 8 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-128 | CMZ24 | 2 w | M-flat (2.4x3.8) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 17 V | 24 v | 30 ohms | ||||||||||||
| CRS05 (TE85L, Q, M) | 0,1326 | | 9706 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRS05 | Schottky | S-flat (1,6x3.5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 450 mv @ 1 a | 200 µA a 30 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||||
| TRS4V65H, LQ | 1.8500 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 4-VSFN PAD EXPOSTO | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | 4-DFN-EP (8x8) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,34 V @ 4 A | 0 ns | 55 µA @ 650 V | 175 ° C. | 4a | 263pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||
| 1ss181, lf | 0,2000 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS181 | Padrão | S-mini | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 80 v | 100mA | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||
| CRF03 (TE85L, Q, M) | - | | 5105 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRF03 | Padrão | S-flat (1,6x3.5) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 700 mA | 100 ns | 50 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 700mA | - | |||||||||
 | U20DL2C48A (TE24L, q | - | | 3820 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | U20DL2 | Padrão | TO-220SM | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 20a | 980 mV @ 10 A | 35 ns | 50 µA A 200 V | - | |||||||||||
| CMG02 (TE12L, Q, M) | - | | 8363 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-128 | CMG02 | Padrão | M-flat (2.4x3.8) | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | CMG02 (TE12LQM) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 2 A | 10 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - |
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