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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Tolerância	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Velocidade	Atual – Máx.	Configuração de diodo	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Corrente - Média Retificada (Io)	Capacitância @ Vr, F	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Máx.)	Tensão - Zener (Nom) (Vz)	Impedância (Máx.) (Zzt)	Resistência @ Se, F
CLS10F40,L3F	0,4800	Solicitação de cotação	93	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	0402 (Métrica 1006)	CLS10F40	Schottky		CL2E	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	10.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			40 V		570 mV por 1 A		25 µA a 40 V	150ºC	1A	130pF a 0 V, 1 MHz
CUS10F30,H3F	0,3400	Solicitação de cotação	43	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SC-76, SOD-323	CUS10F30	Schottky		USC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			30 V		500 mV por 1 A		50 µA a 30 V	125°C (Máx.)	1A	170pF a 0 V, 1 MHz
CUS03(TE85L,Q,M)	-	Solicitação de cotação	8668	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto			Montagem em superfície	SC-76, SOD-323	CUS03	Schottky		US-PLAT (1,25x2,5)	download	Compatível com RoHS			CUS03(TE85LQM)	EAR99	8541.10.0080	4.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			40 V		520 mV a 700 mA		100 µA a 40 V	-40°C ~ 150°C	700mA	45pF a 10 V, 1 MHz
TRS2E65F,S1Q	1.0500	Solicitação de cotação	1763	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Tubo	Ativo			Através do furo	PARA-220-2	TRS2E65	SiC (carboneto de silício) Schottky		TO-220-2L	-					EAR99	8541.10.0080	50	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)			650 V		1,6 V a 2 A	0 ns	20 µA a 650 V	175°C (máx.)	2A	8,7 pF a 650 V, 1 MHz
CUS06(TE85L,Q,M)	-	Solicitação de cotação	6944	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto			Montagem em superfície	SC-76, SOD-323	CUS06	Schottky		US-PLAT (1,25x2,5)	download	Compatível com RoHS			CUS06(TE85LQM)	EAR99	8541.10.0080	4.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			20 V		450 mV a 700 mA		30 µA a 20 V	-40°C ~ 150°C	1A	40pF @ 10V, 1MHz
CLH01(TE16L,Q)	-	Solicitação de cotação	6230	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Volume	Obsoleto			Montagem em superfície	L FLAT®	CLH01	padrão		L-FLAT™ (4x5,5)	download		1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			200 V		980 mV a 3 A	35 ns	10 µA a 200 V	-40°C ~ 150°C	3A	-
CRF03(TE85L,Q,M)	-	Solicitação de cotação	5105	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto			Montagem em superfície	SOD-123F	CRF03	padrão		S-PLANO (1,6x3,5)	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			600V		2 V a 700 mA	100 ns	50 µA a 600 V	-40°C ~ 150°C	700mA	-
1SS378(TE85L,F)	0,3400	Solicitação de cotação	55	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SC-70, SOT-323	1SS378	Schottky		SC-70	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade		1 par de cátodo comum	10V	100mA	500 mV a 100 mA		20 µA a 10 V	125°C (Máx.)
CRS05(TE85L,Q,M)	0,1326	Solicitação de cotação	9706	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SOD-123F	CRS05	Schottky		S-PLANO (1,6x3,5)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			30 V		450 mV por 1 A		200 µA a 30 V	-40°C ~ 150°C	1A	-
CRH01(TE85R,Q,M)	0,5200	Solicitação de cotação	2	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SOD-123F	CRH01	padrão		S-PLANO (1,6x3,5)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			200 V		980 mV por 1 A	35 ns	10 µA a 200 V	-40°C ~ 150°C	1A	-
CUS05(TE85L,Q,M)	-	Solicitação de cotação	2964	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto			Montagem em superfície	SC-76, SOD-323	CUS05	Schottky		US-PLAT (1,25x2,5)	-	Compatível com RoHS			CUS05(TE85LQM)	EAR99	8541.10.0080	4.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			20 V		370 mV a 700 mA		1 mA a 20 V	-40°C ~ 125°C	1A	40pF @ 10V, 1MHz
TBAT54S,LM	0,2100	Solicitação de cotação	95	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TBAT54	Schottky		SOT-23-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade		Conexão em série de 1 par	30 V	200mA	580 mV a 100 mA	1,5ns	2 µA a 25 V	-55°C ~ 150°C
TRS8V65H,LQ	2.7700	Solicitação de cotação	5	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	Almofada exposta 4-VSFN		SiC (carboneto de silício) Schottky		4-DFN-EP (8x8)	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	2.500	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)			650 V		1,35 V a 8 A	0 ns	90 µA a 650 V	175ºC	8A	520pF @ 1V, 1MHz
1SS417CT,L3F	0,3000	Solicitação de cotação	12	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	2-SMD, cabo plano	1SS417	Schottky		FSC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0070	10.000	Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade			40 V		620 mV a 100 mA		5 µA a 40 V	125°C (Máx.)	100mA	15pF a 0 V, 1 MHz
CMH05(TE12L,Q,M)	-	Solicitação de cotação	7589	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto			Montagem em superfície	SOD-128	CMH05	padrão		M-PLANO (2,4x3,8)	download	Compatível com RoHS			CMH05(TE12LQM)	EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			400V		1,3 V a 1 A	100 ns	10 µA a 400 V	-40°C ~ 150°C	1A	-
CBS10S30,L3F	0,4300	Solicitação de cotação	9	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	2-SMD, sem chumbo	CBS10S30	Schottky		CST2B	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	10.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			20 V		450 mV por 1 A		500 µA a 30 V	125°C (Máx.)	1A	135pF a 0 V, 1 MHz
TRS12N65FB,S1F(S	-	Solicitação de cotação	3099	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Tubo	Ativo			Através do furo	PARA-247-3	TRS12N65	SiC (carboneto de silício) Schottky		PARA-247	-	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		TRS12N65FBS1F(S	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1 par de cátodo comum	650 V	6A (CC)	1,7 V a 6 A	0 ns	90 µA a 650 V	175°C (máx.)
CMG05(TE12L,Q,M)	-	Solicitação de cotação	3727	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto			Montagem em superfície	SOD-128	CMG05	padrão		M-PLANO (2,4x3,8)	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		CMG05(TE12LQM)	EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)			400V		1,1 V a 1 A		10 µA a 400 V	-40°C ~ 150°C	1A	-
CUS551V30,H3F	0,2700	Solicitação de cotação	13	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SC-76, SOD-323	CUS551	Schottky		USC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0070	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			30 V		470 mV a 500 mA		100 µA a 20 V	125°C (Máx.)	500mA	-
TBAT54A,LM	0,2100	Solicitação de cotação	5743	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TBAT54	Schottky		SOT-23-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade		1 par de anodo comum	30 V	100mA	580 mV a 100 mA	1,5ns	2 µA a 25 V	150°C (máx.)
JDP2S08SC(TPL3)	0,4800	Solicitação de cotação	10	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		150°C (TJ)		0201 (métrica 0603)	JDP2S08			SC2	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0070	10.000		50 mA									0,4pF @ 1V, 1MHz	PIN - Único	30V			1,5 Ohm a 10 mA, 100 MHz
1SS295(TE85L,F)	-	Solicitação de cotação	8878	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		125°C (TJ)		TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	1SS295			SC-59-3	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0070	3.000		30 mA									0,9pF a 0,2V, 1MHz	Schottky - 1 par de cátodo comum	4V			-
CUHS20S40,H3F	0,3700	Solicitação de cotação	14	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	2-SMD, cabo plano	CUHS20	Schottky		US2H	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			40 V		470 mV a 2 A		300 µA a 40 V	150°C (máx.)	2A	290pF a 0 V, 1 MHz
CUHS15F60,H3F	0,4900	Solicitação de cotação	9628	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	2-SMD, cabo plano		Schottky		US2H	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			60 V		730 mV a 1,5 A		50 µA a 60 V	150ºC	1,5A	130pF a 0 V, 1 MHz
CRZ20(TE85L,Q,M)	0,4900	Solicitação de cotação	2	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	SOD-123F	CRZ20		700 mW	S-PLANO (1,6x3,5)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	3.000						1 V a 200 mA		10 µA a 14 V						20 V	30 Ohms
TBAW56,LM	0,2100	Solicitação de cotação	20	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	Cabos planos SOT-23-3	TBAW56	padrão		SOT-23-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0070	3.000	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)		1 par de anodo comum	80 V	215mA				-
CMS05(TE12L,Q,M)	0,7800	Solicitação de cotação	192	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SOD-128	CMS05	Schottky		M-PLANO (2,4x3,8)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			30 V		450 mV a 5 A		800 µA a 30 V	-40°C ~ 150°C	5A	330pF @ 10V, 1MHz
TRS2E65H,S1Q	1.5500	Solicitação de cotação	300	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Tubo	Ativo			Através do furo	PARA-220-2		SiC (carboneto de silício) Schottky		TO-220-2L	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		264-TRS2E65H,S1Q	EAR99	8541.10.0080	50	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)			650 V		1,35 V a 2 A	0 ns	40 µA a 650 V	175ºC	2A	135pF @ 1V, 1MHz
1SS383(TE85L,F)	0,4000	Solicitação de cotação	31	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	SC-82	1SS383	Schottky		USQ	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade		2 Independente	40 V	100mA	600 mV a 100 mA		5 µA a 40 V	125°C (Máx.)
CUHS15S30,H3F	0,3700	Solicitação de cotação	50	Semicondutores e armazenamento Toshiba	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo			Montagem em superfície	2-SMD, cabo plano	CUHS15	Schottky		US2H	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	3.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)			30 V		430 mV a 1,5 A		500 µA a 30 V	150ºC	1,5A	200pF a 0 V, 1 MHz

2.000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
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Diodos(421)

2.000+

30.000.000

2.800+

15.000 m2

15.000 m²