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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSRTA50060A | 101.4000 | ![]() | 2810 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRTA50060 | Padrão | Três Torre | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 500A (DC) | 1,2 V @ 500 A | 25 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | MSRT20060AD | 80.4872 | ![]() | 7515 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRT200 | Padrão | Três Torre | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 600 v | 200a | 1,1 V @ 200 A | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | MUR10005CT | - | ![]() | 5416 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Torre Dupla | Padrão | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MUR10005CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 50a | 1,3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | 2W10M | - | ![]() | 4910 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-Circular, WOM | Padrão | Mulher | download | 1 (ilimito) | 2W10MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 2 A | 10 µA A 1000 V | 2 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||||
![]() | MBRF30080R | - | ![]() | 6743 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | MBRF3008 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 80 v | 150a | 840 mV @ 150 A | 1 mA a 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | M3P75A-100 | - | ![]() | 8608 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo 5-SMD | Padrão | 5-SMD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1,15 V @ 75 A | 10 µA A 1000 V | 75 a | Três fase | 1 kv | ||||||||||||
![]() | FR85D05 | 23.1210 | ![]() | 2199 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR85D05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,4 V @ 85 A | 500 ns | 25 µA A 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 85a | - | ||||||||
![]() | MSRTA400120A | 60.2552 | ![]() | 2269 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRTA400120 | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 400A (DC) | 1,2 V @ 400 A | 25 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | GBJ20K | 0,9120 | ![]() | 1418 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBJ | GBJ20 | Padrão | GBJ | download | ROHS3 Compatível | 1242-GBJ20K | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,05 V @ 10 A | 5 µA A 800 V | 20 a | Fase Única | 800 v | ||||||||||
![]() | GKN240/14 | 59.1766 | ![]() | 5389 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | GKN240 | Padrão | DO-205AB (DO-9) | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1400 v | 1,4 V @ 60 A | 60 mA A 1400 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 320a | - | |||||||||
![]() | 1n2133ar | 8.9025 | ![]() | 9934 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1n2133ar | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N2133Argn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,1 V @ 60 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 60a | - | ||||||||
![]() | MBRT40040L | - | ![]() | 6219 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 200a | 600 mv @ 200 a | 3 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MBR6040R | 21.3105 | ![]() | 6648 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR604 | Schottky, reversa polaridada | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR6040RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 650 mV @ 60 A | 5 mA a 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - | ||||||||
![]() | MBR60035CT | 129.3585 | ![]() | 4784 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR60035 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR60035CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 300A | 750 mV @ 300 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | 1N5830R | 14.8695 | ![]() | 5324 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N5830R | Schottky, reversa polaridada | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N5830RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 25 v | 580 mV @ 25 A | 2 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - | ||||||||
![]() | MBR3520R | 15.1785 | ![]() | 4876 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | MBR3520 | Schottky, reversa polaridada | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR3520RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 680 mV @ 35 A | 1,5 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 35a | - | ||||||||
![]() | FR6K05 | 5.0745 | ![]() | 4999 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR6K05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,4 V @ 6 A | 500 ns | 25 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | ||||||||
![]() | M3P75A-80 | - | ![]() | 1180 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo 5-SMD | Padrão | 5-SMD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 10 µA a 800 V | 75 a | Três fase | 800 v | |||||||||||||
![]() | S300DR | 63.8625 | ![]() | 7570 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | S300 | Polaridada reversa padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S300DRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,2 V @ 300 A | 10 µA A 100 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 300A | - | ||||||||
![]() | MBR2X120A100 | 51.8535 | ![]() | 3033 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MBR2X120 | Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 100 v | 120a | 840 mV @ 120 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | GD2X30MPS06N | 24.2385 | ![]() | 2827 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | GD2X | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1242-GD2X30MPS06N | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 2 Independente | 650 v | 42a (DC) | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
![]() | FR30M05 | 10.3155 | ![]() | 3813 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR30M05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1 V @ 30 A | 500 ns | 25 µA a 800 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 30a | - | ||||||||
![]() | MSRT200100AD | 80.4872 | ![]() | 2155 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRT200 | Padrão | Três Torre | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1000 v | 200a | 1,1 V @ 200 A | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | 1N4590R | 35.5695 | ![]() | 9089 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | 1N4590R | Polaridada reversa padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N4590RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 150 A | 9 mA a 400 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | ||||||||
![]() | MURT40020 | 132.0780 | ![]() | 9233 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MURT40020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 200a | 1,3 V @ 200 A | 125 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | 1N2138AR | 11.7300 | ![]() | 179 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N2138AR | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1072 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 60 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 60a | - | ||||||||
![]() | GC08MPS12-252 | 3.1200 | ![]() | 6092 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | GC08MPS12 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252-2 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,8 V @ 8 A | 0 ns | 7 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 40A | 545pf @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | MBRT60030L | - | ![]() | 5731 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 300A | 580 mV @ 300 A | 3 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MBR20040CT | 90.1380 | ![]() | 2790 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR20040 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR20040CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 200a (DC) | 650 mV @ 100 A | 5 mA a 20 V | |||||||||
![]() | MBRTA500200 | - | ![]() | 6348 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 250a | 920 mV @ 250 A | 4 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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