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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBU15B | 0,6120 | ![]() | 4357 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBU | GBU15 | padrão | GBU | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | GBU15BGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 15 A | 5 µA a 100 V | 15A | Monofásico | 100V | |||||||||
![]() | GBU15M | 0,6120 | ![]() | 3489 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBU | GBU15 | padrão | GBU | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | GBU15MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 15 A | 5 µA a 1000 V | 15A | Monofásico | 1kV | |||||||||
![]() | KBPM304G | - | ![]() | 8131 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, KBPM | padrão | KBPM | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | KBPM304GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | 1,1 V a 3 A | 5 µA a 50 V | 3A | Monofásico | 400V | ||||||||||
![]() | GB01SLT12-252 | 1.3500 | ![]() | 5379 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | SiC Schottky MPS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | GB01SLT12 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,8 V a 1 A | 0 ns | 2 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 69pF @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | KBU8M | 1.8200 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, KBU | KBU8 | padrão | KBU | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 8 A | 10 µA a 1000 V | 8A | Monofásico | 1kV | ||||||||||
![]() | M3P75A-80 | - | ![]() | 1180 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo 5-SMD | padrão | 5-SMD | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 10 µA a 800 V | 75A | Trifásico | 800V | |||||||||||||
![]() | MBR8080R | 22.1985 | ![]() | 7315 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | MBR8080 | Schottky, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBR8080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 80 V | 840 mV a 80 A | 1 mA a 80 V | -55°C ~ 150°C | 80A | - | ||||||||
![]() | MBRTA80040 | - | ![]() | 3010 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 40 V | 400A | 720 mV a 400 A | 1 mA a 40 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | MBRH15045RL | - | ![]() | 8770 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | D-67 | Schottky, inversão de polaridade | D-67 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 600 mV a 150 A | 5 mA a 45 V | 150A | - | ||||||||||||
![]() | MBR8040R | 22.1985 | ![]() | 8534 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | MBR8040 | Schottky, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBR8040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 750 mV a 80 A | 1 mA a 35 V | -55°C ~ 150°C | 80A | - | ||||||||
![]() | MBRT50035 | - | ![]() | 2985 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBRT50035GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 35V | 250A | 750 mV a 250 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
![]() | MBR200200CTR | 90.1380 | ![]() | 5931 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Torre Gêmea | MBR200200 | Schottky | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 200 V | 100A | 920 mV a 100 A | 3 mA a 200 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
![]() | MBR50035CT | - | ![]() | 3595 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Torre Gêmea | Schottky | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBR50035CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 35V | 250A | 750 mV a 250 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
![]() | S12JR | 4.2345 | ![]() | 5517 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | S12J | Padrão, inversão de polaridade | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | S12JRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,1 V a 12 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 12A | - | ||||||||
![]() | 1N3297A | 33.8130 | ![]() | 7080 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AA, DO-8, pino | 1N3297 | padrão | DO-205AA (DO-8) | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N3297AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1400 V | 1,5 V a 100 A | 7 mA a 1400 V | -40°C ~ 200°C | 100A | - | ||||||||
![]() | MUR30005CT | - | ![]() | 6108 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Torre Gêmea | padrão | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MUR30005CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 50 V | 150A | 1,3 V a 100 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MBRT60030R | 140.2020 | ![]() | 7277 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MBRT60030 | Schottky | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBRT60030RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 30 V | 300A | 750 mV a 300 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
| 1N3768 | 6.2320 | ![]() | 6923 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 1N3768 | padrão | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1025 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,2 V a 35 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 190°C | 35A | - | |||||||||
![]() | MBR40020CTRL | - | ![]() | 7809 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Torre Gêmea | Schottky | Torre Gêmea | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 20 V | 200A | 580 mV a 200 A | 3 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
| 1N4595R | 35.5695 | ![]() | 7086 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AA, DO-8, pino | 1N4595R | Padrão, inversão de polaridade | DO-205AA (DO-8) | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,5 V a 150 A | 4 mA @ 1200 V | -60°C ~ 200°C | 150A | - | ||||||||||
![]() | MBR60040CTRL | - | ![]() | 2096 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Torre Gêmea | Schottky | Torre Gêmea | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 40 V | 300A | 600 mV a 300 A | 5 mA a 40 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | MBRT20040 | 102.9600 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1018 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 40 V | 100A | 750 mV a 100 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
![]() | KBP208G | 0,2280 | ![]() | 3867 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, KBP | KBP208 | padrão | KBP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | KBP208GGS | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 2 A | 10 µA a 50 V | 2A | Monofásico | 800V | |||||||||
![]() | MBRH20060R | 70.0545 | ![]() | 4676 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | D-67 | MBRH20060 | Schottky, inversão de polaridade | D-67 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBRH20060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 750 mV a 200 A | 5 mA a 20 V | 200A | - | |||||||||
![]() | MBR2X050A200 | 43.6545 | ![]() | 4119 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MBR2X050 | Schottky | SOT-227 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1299 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 200 V | 100A | 920 mV a 50 A | 3 mA a 200 V | -40°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | GKR130/14 | 35.4765 | ![]() | 6687 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AA, DO-8, pino | GKR130 | padrão | DO-205AA (DO-8) | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1400 V | 1,5 V a 60 A | 22 mA a 1400 V | -40°C ~ 180°C | 165A | - | |||||||||
![]() | MBR8060R | 22.1985 | ![]() | 9797 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | MBR8060 | Schottky, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBR8060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 750 mV a 80 A | 1 mA a 60 V | -55°C ~ 160°C | 80A | - | ||||||||
![]() | MBRF40030R | - | ![]() | 2863 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 30 V | 200A | 700 mV a 200 A | 1 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | MBRH12040R | 65.2300 | ![]() | 45 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | D-67 MEIO PAK | MBRH12040 | Schottky, inversão de polaridade | D-67 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1067 | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 700 mV a 120 A | 1 mA a 40 V | -55°C ~ 150°C | 120A | - | ||||||||
![]() | MBR60100 | 20.2695 | ![]() | 8156 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | MBR60100 | Schottky | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBR60100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 840 mV a 60 A | 5 mA a 20 V | -65°C ~ 150°C | 60A | - |

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