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Diodos (2089)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
MBRTA600150R GeneSiC Semiconductor MBRTA600150R -
RFQ
 ECAD 7109 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 18 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 150 v 300A 880 mV @ 300 A 4 mA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S40JR GeneSiC Semiconductor S40JR 6.3770
RFQ
 ECAD 6074 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud S40J Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S40JRGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 40 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 190 ° C. 40A -
MBRT60080R GeneSiC Semiconductor MBRT60080R 140.2020
RFQ
 ECAD 4847 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MBRT60080 Schottky Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRT60080RGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 80 v 300A 880 mV @ 300 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR3520 GeneSiC Semiconductor MBR3520 14.3280
RFQ
 ECAD 1221 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Schottky Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR3520GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 680 mV @ 35 A 1,5 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 35a -
GBPC5010W GeneSiC Semiconductor GBPC5010W 4.0155
RFQ
 ECAD 6532 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC-W GBPC5010 Padrão GBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 A 5 µA A 1000 V 50 a Fase Única 1 kv
S12MR GeneSiC Semiconductor S12MR 4.2345
RFQ
 ECAD 1370 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud S12M Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S12MRGN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 12 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 12a -
BR68 GeneSiC Semiconductor BR68 0,7425
RFQ
 ECAD 3583 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-6 Padrão BR-6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR68GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA a 800 V 6 a Fase Única 800 v
MBRT30040RL GeneSiC Semiconductor MBRT30040RL -
RFQ
 ECAD 9587 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 40 v 150a 600 mV @ 150 A 3 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR20035CTR GeneSiC Semiconductor MBR20035CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 8159 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR20035 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR20035CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 35 v 200a (DC) 650 mV @ 100 A 5 mA a 20 V
MSRTA300140D GeneSiC Semiconductor MSRTA300140D 159.9075
RFQ
 ECAD 2740 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Módlo MSRTA300 Padrão - download ROHS3 Compatível 1242-MSRTA300140D Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1400 v 300A 1,1 V @ 300 A 20 µA @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBU4G GeneSiC Semiconductor Gbu4g 1.4500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU4 Padrão GBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 4 A 5 µA A 400 V 4 a Fase Única 400 v
GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H 11.8000
RFQ
 ECAD 291 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-GD15MPS17H Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1700 v 1,8 V @ 15 A 0 ns 20 µA A 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 36a 1082pf @ 1V, 1MHz
GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D 17.3000
RFQ
 ECAD 170 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 GD2X Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-GD2X30MPS12D Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 55a (DC) 1,8 V @ 30 A 20 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MBR60020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTRL -
RFQ
 ECAD 7338 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Torre Dupla Schottky Torre Dupla - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 20 v 300A 580 mV @ 300 A 3 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT12020 GeneSiC Semiconductor MBRT12020 75.1110
RFQ
 ECAD 9986 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRT12020GN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 20 v 60a 750 mV @ 60 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT40045DL GeneSiC Semiconductor MBRT40045DL 88.1588
RFQ
 ECAD 2897 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MBRT40045 Schottky Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 45 v 200a (DC) 580 mV @ 200 A 5 mA @ 45 V -40 ° C ~ 100 ° C.
MUR2X030A10 GeneSiC Semiconductor MUR2X030A10 -
RFQ
 ECAD 4565 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc Padrão SOT-227 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1307 Ear99 8541.10.0080 13 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 1000 v 30a 2,35 V @ 30 A 85 ns 25 µA A 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C.
1N3671AR GeneSiC Semiconductor 1n3671ar 4.2345
RFQ
 ECAD 3922 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 1n3671ar Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1036 Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 12 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a -
FR16K05 GeneSiC Semiconductor FR16K05 8.2245
RFQ
 ECAD 6816 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 16 A 500 ns 25 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a -
MUR7040R GeneSiC Semiconductor MUR7040R 17.7855
RFQ
 ECAD 2508 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud MUR7040 Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MUR7040RGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 70 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 70A -
1N1184AR GeneSiC Semiconductor 1n1184ar 6.3770
RFQ
 ECAD 4538 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1n1184ar Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1n1184argn Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 40 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 40A -
MURF40010 GeneSiC Semiconductor MURF40010 -
RFQ
 ECAD 6036 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Padrão To-244 - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 200a 1 V @ 200 A 150 ns 25 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FR40GR02 GeneSiC Semiconductor FR40GR02 13.8360
RFQ
 ECAD 6032 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1054 Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1 V @ 40 A 200 ns 25 µA A 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 40A -
MURT30005R GeneSiC Semiconductor MURT30005R -
RFQ
 ECAD 4624 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MURT30005RGN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 50 v 150a 1,3 V @ 150 A 100 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N3208 GeneSiC Semiconductor 1N3208 7.0650
RFQ
 ECAD 3482 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1N3208 Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1N3208GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,5 V @ 15 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a -
FR30A02 GeneSiC Semiconductor FR30A02 10.4070
RFQ
 ECAD 1833 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR30A02GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA a 50 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30a -
GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12-220 1.3770
RFQ
 ECAD 2249 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 GC02MPS12 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-220-2 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-1323 Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,8 V @ 2 A 0 ns 2 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 12a 127pf @ 1V, 1MHz
MUR30060CTR GeneSiC Semiconductor MUR30060CTR 118.4160
RFQ
 ECAD 2020 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MUR30060 Padrão Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MUR30060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 600 v 150a 1,7 V @ 100 A 90 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FR30MR05 GeneSiC Semiconductor FR30MR05 10.5930
RFQ
 ECAD 7891 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR30MR05GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1 V @ 30 A 500 ns 25 µA a 800 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30a -
FST16030 GeneSiC Semiconductor FST16030 75.1110
RFQ
 ECAD 4188 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi TO-249AB Schottky TO-249AB download Rohs Compatível 1 (ilimito) FST16030GN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 30 v 160A (DC) 750 mV @ 160 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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