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Diodos (2089)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade ATUAL - MÁX Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Resistência @ se, f
MURF20005R GeneSiC Semiconductor MURF20005R -
RFQ
 ECAD 4184 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Padrão To-244 - 1 (ilimito) MURF20005RGN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 50 v 100a 1,3 V @ 100 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
KBPC5001W GeneSiC Semiconductor KBPC5001W 2.5875
RFQ
 ECAD 5691 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, KBPC-W KBPC5001 Padrão KBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA A 100 V 50 a Fase Única 100 v
MURF20010 GeneSiC Semiconductor MURF20010 -
RFQ
 ECAD 7594 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Padrão To-244 - 1 (ilimito) MURF20010GN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 100a 1,3 V @ 100 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
UFT14010 GeneSiC Semiconductor UFT14010 -
RFQ
 ECAD 7822 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-249AB Padrão TO-249AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 70A 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR40020CTL GeneSiC Semiconductor MBR40020CTL -
RFQ
 ECAD 1361 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Torre Dupla Schottky Torre Dupla download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 20 v 200a 580 mV @ 200 A 3 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
KBL603G GeneSiC Semiconductor KBL603G -
RFQ
 ECAD 4714 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbl Padrão Kbl download 1 (ilimito) KBL603GGN Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 6 A 5 µA A 200 V 6 a Fase Única 200 v
FR12M05 GeneSiC Semiconductor FR12M05 6.9975
RFQ
 ECAD 5296 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 800 mV @ 12 A 500 ns 25 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
1N1190R GeneSiC Semiconductor 1N1190R 6.2320
RFQ
 ECAD 8920 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1N1190R Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1030 Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,2 V @ 35 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 35a -
GBPC5006W GeneSiC Semiconductor GBPC5006W 4.0155
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 ECAD 7989 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC-W GBPC5006 Padrão GBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 A 5 µA A 600 V 50 a Fase Única 600 v
KBPC1504W GeneSiC Semiconductor KBPC1504W 2.1795
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 ECAD 5268 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, KBPC-W KBPC1504 Padrão KBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA A 400 V 15 a Fase Única 400 v
KBPC50005W GeneSiC Semiconductor KBPC50005W 2.5875
RFQ
 ECAD 9569 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, KBPC-W KBPC50005 Padrão KBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA a 50 V 50 a Fase Única 50 v
KBJ2506G GeneSiC Semiconductor KBJ2506G 0,8955
RFQ
 ECAD 9814 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBJ KBJ2506 Padrão KBJ download Rohs Compatível 1 (ilimito) KBJ2506GGN Ear99 8541.10.0080 250 1,05 V @ 12,5 A 10 µA A 600 V 25 a Fase Única 600 v
GBPC50005W GeneSiC Semiconductor GBPC50005W 4.0155
RFQ
 ECAD 7032 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC-W GBPC50005 Padrão GBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 A 5 µA a 50 V 50 a Fase Única 50 v
MUR20020CT GeneSiC Semiconductor MUR20020CT 101.6625
RFQ
 ECAD 4523 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MUR20020 Padrão Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MUR20020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 100a 1,3 V @ 100 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
KBPC3501T GeneSiC Semiconductor KBPC3501T 2.4720
RFQ
 ECAD 9697 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, KBPC-T KBPC3501 Padrão KBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17,5 A 5 µA A 100 V 35 a Fase Única 100 v
S70YR GeneSiC Semiconductor S70YR 10.2225
RFQ
 ECAD 8638 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud S70Y Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S70yrgn Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,1 V @ 70 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 70A -
MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor MSRTA6001 109.2000
RFQ
 ECAD 8289 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Módulo 3-SMD - Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) MSRTA6001GN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) - 1600 v 600A (DC) -55 ° C ~ 150 ° C.
GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201 561.0000
RFQ
 ECAD 5655 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Do-201D, axial GA01PNS150 DO-201 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1347 Ear99 8541.10.0080 10 1 a 22pf @ 1V, 1MHz Pino - único 15000V -
MURTA200120 GeneSiC Semiconductor Murta200120 145.3229
RFQ
 ECAD 8517 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 100a 2,6 V @ 100 A 25 µA A 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBU10G GeneSiC Semiconductor GBU10G 1.6300
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU10 Padrão GBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) GBU10GGN Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 10 A 5 µA A 400 V 10 a Fase Única 400 v
BR31 GeneSiC Semiconductor BR31 0,5700
RFQ
 ECAD 5959 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-3 Padrão BR-3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR31GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 1,5 A 10 µA A 100 V 3 a Fase Única 100 v
GBPC15005T GeneSiC Semiconductor GBPC15005T 2.4180
RFQ
 ECAD 7711 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, GBPC GBPC15005 Padrão GBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA a 50 V 15 a Fase Única 50 v
MBR12030CTR GeneSiC Semiconductor MBR12030CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 9899 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR12030 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1052 Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 30 v 120A (DC) 650 mV @ 60 A 3 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF50035 GeneSiC Semiconductor MBRF50035 -
RFQ
 ECAD 1963 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 250a 750 mV @ 250 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR20020CTR GeneSiC Semiconductor MBR20020CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 9966 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR20020 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR20020CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 20 v 200a (DC) 650 mV @ 100 A 5 mA a 20 V
MBRH200200 GeneSiC Semiconductor MBRH200200 70.0545
RFQ
 ECAD 1699 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi D-67 Schottky D-67 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 36 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 920 mV @ 200 a 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200a -
MSRT200120A GeneSiC Semiconductor MSRT200120A 48.2040
RFQ
 ECAD 5487 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MSRT200 Padrão Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 200a (DC) 1,2 V @ 200 A 10 µA A 600 V -40 ° C ~ 175 ° C.
MBRTA50030 GeneSiC Semiconductor MBRTA50030 -
RFQ
 ECAD 7293 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 18 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 30 v 250a 700 mV @ 250 A 1 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT30030 GeneSiC Semiconductor MBRT30030 107.3070
RFQ
 ECAD 3535 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRT30030GN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 30 v 150a 750 mV @ 150 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FR30B02 GeneSiC Semiconductor FR30B02 10.4070
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 ECAD 1814 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR30B02GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA a 50 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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