SIC
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Diodos (2089)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
MBR2X100A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A060 50.2485
RFQ
 ECAD 3572 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc MBR2X100 Schottky SOT-227 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 52 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 60 v 100a 750 mV @ 100 A 1 mA a 60 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MBR120150CTR GeneSiC Semiconductor MBR120150CTR -
RFQ
 ECAD 8794 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Torre Dupla Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 150 v 60a 880 mV @ 60 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURTA20020 GeneSiC Semiconductor Murta20020 145.3229
RFQ
 ECAD 6574 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 100a 1,3 V @ 100 A 25 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR3530 GeneSiC Semiconductor MBR3530 14.3280
RFQ
 ECAD 4223 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Schottky Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR3530GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 680 mV @ 35 A 1,5 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 35a -
MBRH30030RL GeneSiC Semiconductor MBRH30030RL -
RFQ
 ECAD 2434 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi D-67 Schottky D-67 - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 580 mV @ 300 A 3 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 300A -
150K80A GeneSiC Semiconductor 150K80A 35.5695
RFQ
 ECAD 4285 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano Do-205AA, DO-8, Stud 150K80 Padrão Do-205AA (DO-8) download Rohs Compatível 1 (ilimito) 150K80AGN Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,33 V @ 150 A 32 mA a 800 V -40 ° C ~ 200 ° C. 150a -
MUR40060CT GeneSiC Semiconductor MUR40060CT 132.0780
RFQ
 ECAD 8806 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MUR40060 Padrão Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MUR40060CTGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 200a 1,3 V @ 125 A 180 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FR70B05 GeneSiC Semiconductor FR70B05 17.5905
RFQ
 ECAD 9335 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR70B05GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,4 V @ 70 A 500 ns 25 µA A 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 70A -
1N3297AR GeneSiC Semiconductor 1n3297ar 33.8130
RFQ
 ECAD 9298 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano Do-205AA, DO-8, Stud 1n3297ar Polaridada reversa padrão Do-205AA (DO-8) download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1n3297argn Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1400 v 1,5 V @ 100 A 7 ma @ 1400 V -40 ° C ~ 200 ° C. 100a -
BR66 GeneSiC Semiconductor BR66 0,7425
RFQ
 ECAD 3731 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-6 Padrão BR-6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR66GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA A 600 V 6 a Fase Única 600 v
GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A 5.4000
RFQ
 ECAD 310 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-220-2 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-GD30MPS06A Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 0 ns 175 ° C. 30a -
MBRH24060R GeneSiC Semiconductor MBRH24060R 76.4925
RFQ
 ECAD 3243 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi D-67 MBRH24060 Schottky D-67 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 36 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 780 mV @ 240 A 1 mA a 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 240a -
MBRF12060R GeneSiC Semiconductor MBRF12060R -
RFQ
 ECAD 3060 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 60 v 60a 750 mV @ 60 A 1 mA a 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA60080R GeneSiC Semiconductor MBRTA60080R -
RFQ
 ECAD 7588 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 18 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 80 v 300A 840 mV @ 300 A 1 mA a 80 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRH200200R GeneSiC Semiconductor MBRH200200R 70.0545
RFQ
 ECAD 3613 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi D-67 MBRH200200 Schottky, reversa polaridada D-67 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 36 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 920 mV @ 200 a 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200a -
MBRT20040R GeneSiC Semiconductor MBRT20040R 98.8155
RFQ
 ECAD 4826 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MBRT20040 Schottky, reversa polaridada Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1082 Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 40 v 100a 750 mV @ 100 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRH30040L GeneSiC Semiconductor MBRH30040L -
RFQ
 ECAD 1619 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi D-67 Schottky D-67 - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 600 mV @ 300 A 5 mA a 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 300A -
MURTA60060 GeneSiC Semiconductor Murta60060 188.1435
RFQ
 ECAD 8869 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) Murta60060gn Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 300A 1,7 V @ 300 A 280 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR12080CTR GeneSiC Semiconductor MBR12080CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 2403 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR12080 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR12080CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 120A (DC) 840 mV @ 60 A 3 ma @ 20 V
MBR2X100A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A080 50.2485
RFQ
 ECAD 5385 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc MBR2X100 Schottky SOT-227 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 52 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 80 v 100a 840 mV @ 100 A 1 mA a 80 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MBRT60035R GeneSiC Semiconductor MBRT60035R 140.2020
RFQ
 ECAD 7746 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MBRT60035 Schottky Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRT60035RGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 35 v 300A 750 mV @ 300 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR60040CT GeneSiC Semiconductor MBR60040CT 129.3585
RFQ
 ECAD 9934 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR60040 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1007 Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 300A 750 mV @ 300 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-220 5.3610
RFQ
 ECAD 8973 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 GC15MPS12 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-220-2 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-1335 Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,8 V @ 15 A 0 ns 14 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 82a 1089pf @ 1V, 1MHz
MSRT150140A GeneSiC Semiconductor MSRT150140A 38.5632
RFQ
 ECAD 8008 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MSRT150 Padrão Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1400 v 150a 1,2 V @ 150 A 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR7540R GeneSiC Semiconductor MBR7540R 21.9195
RFQ
 ECAD 7687 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud MBR7540 Schottky, reversa polaridada Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR7540RGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 650 mV @ 75 A 5 mA a 20 V -65 ° C ~ 150 ° C. 75a -
MBRTA50020 GeneSiC Semiconductor MBRTA50020 -
RFQ
 ECAD 9010 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 18 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 20 v 250a 700 mV @ 250 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURF20040R GeneSiC Semiconductor MURF20040R -
RFQ
 ECAD 4729 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Padrão TO-244AB - 1 (ilimito) MURF20040RGN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 400 v 100a 1,3 V @ 100 A 90 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S25MR GeneSiC Semiconductor S25MR 5.2485
RFQ
 ECAD 4469 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud S25M Polaridada reversa padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) S25MRGN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1.1 V @ 25 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 25a -
MBRH15030RL GeneSiC Semiconductor MBRH15030RL -
RFQ
 ECAD 9207 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi D-67 Schottky, reversa polaridada D-67 - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 3 mA a 30 V 150a -
MBRH120150R GeneSiC Semiconductor MBRH120150R 60.0375
RFQ
 ECAD 3634 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi D-67 MBRH120150 Schottky D-67 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 36 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 880 mV @ 120 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 120a -
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    Volume médio diário de RFQ

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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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