SIC
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Diodos (2089)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
S40Y GeneSiC Semiconductor S40Y 8.4675
RFQ
 ECAD 8792 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S40YGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,1 V @ 40 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 160 ° C. 40A -
MBR7545 GeneSiC Semiconductor MBR7545 20.8845
RFQ
 ECAD 9676 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud MBR7545 Schottky Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR7545GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 650 mV @ 75 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 75a -
1N1183AR GeneSiC Semiconductor 1n1183ar 6.3770
RFQ
 ECAD 4662 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1n1183ar Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1n1183argn Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,1 V @ 40 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 40A -
S12D GeneSiC Semiconductor S12d 4.2345
RFQ
 ECAD 1447 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 12 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 12a -
1N2131AR GeneSiC Semiconductor 1n2131ar 11.7300
RFQ
 ECAD 5031 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1n2131ar Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 60 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 60a -
MBRF40030R GeneSiC Semiconductor MBRF40030R -
RFQ
 ECAD 2863 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 30 v 200a 700 mv @ 200 a 1 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT50030R GeneSiC Semiconductor MBRT50030R -
RFQ
 ECAD 9524 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRT50030RGN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 30 v 250a 750 mV @ 250 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR120150CT GeneSiC Semiconductor MBR120150CT -
RFQ
 ECAD 9573 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Torre Dupla Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 60a 880 mV @ 60 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF50060R GeneSiC Semiconductor MBRF50060R -
RFQ
 ECAD 4099 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 60 v 250a 780 mV @ 250 A 1 mA a 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF30040R GeneSiC Semiconductor MBRF30040R -
RFQ
 ECAD 6150 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB MBRF3004 Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 40 v 150a 700 mV @ 150 A 1 mA a 40 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR8040 GeneSiC Semiconductor MBR8040 21.1680
RFQ
 ECAD 9240 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Schottky Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR8040GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 750 mV @ 80 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C. 80a -
MBR80100 GeneSiC Semiconductor MBR80100 21.1680
RFQ
 ECAD 9276 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Schottky Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR80100GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 840 mV @ 80 A 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 80a -
MUR30060CT GeneSiC Semiconductor MUR30060CT 118.4160
RFQ
 ECAD 9429 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MUR30060 Padrão Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MUR30060CTGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 150a 1,7 V @ 100 A 90 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GD2X100MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS12N 82.9100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Genesco semicondutors MSP Tubo Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc GD2X Sic (carboneto de Silíc) Schottky SOT-227 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-GD2X100MPS12N Ear99 8541.10.0080 10 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 2 Independente 1200 v 136a (DC) 1,8 V @ 100 A 0 ns 25 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
FR30J02 GeneSiC Semiconductor FR30J02 13.4000
RFQ
 ECAD 64 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR30J02GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA a 50 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30a -
MBRT50040R GeneSiC Semiconductor MBRT50040R -
RFQ
 ECAD 9641 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRT50040RGN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 40 v 250a 750 mV @ 250 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GKR71/16 GeneSiC Semiconductor GKR71/16 12.8167
RFQ
 ECAD 6710 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud GKR71 Padrão Do-5 - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,5 V @ 60 A 10 mA a 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C. 95a -
FR12J05 GeneSiC Semiconductor FR12J05 6.7605
RFQ
 ECAD 1174 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR12J05GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 800 mV @ 12 A 500 ns 25 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
GBJ35J GeneSiC Semiconductor GBJ35J 1.5132
RFQ
 ECAD 3595 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ35 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ35J Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 17,5 A 10 µA A 600 V 35 a Fase Única 600 v
MBRTA80020RL GeneSiC Semiconductor MBRTA80020RL -
RFQ
 ECAD 5746 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 18 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 20 v 400A 580 mV @ 400 A 3 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA60020L GeneSiC Semiconductor MBRTA60020L -
RFQ
 ECAD 8282 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 18 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 20 v 300A 580 mV @ 300 A 3 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBJ15K GeneSiC Semiconductor GBJ15K 0,7875
RFQ
 ECAD 3176 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ15 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ15K Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 7,5 A 10 µA a 800 V 15 a Fase Única 800 v
GBPC2504T GeneSiC Semiconductor GBPC2504T 4.2000
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, GBPC GBPC2504 Padrão GBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 12,5 A 5 µA A 400 V 25 a Fase Única 400 v
DB107G GeneSiC Semiconductor DB107G 0,1980
RFQ
 ECAD 5022 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) DB107 Padrão DB download Rohs Compatível 1 (ilimito) DB107GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1 A 10 µA A 1000 V 1 a Fase Única 1 kv
MSRT200160AD GeneSiC Semiconductor MSRT200160AD 80.4872
RFQ
 ECAD 2549 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MSRT200 Padrão Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1600 v 200a 1,1 V @ 200 A 10 µA A 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MSRTA300120AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300120AD 113.5544
RFQ
 ECAD 4573 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MSRTA300 Padrão Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 18 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1200 v 300A 1,2 V @ 300 A 25 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MSRTA30080AD GeneSiC Semiconductor MSRTA30080AD 113.5544
RFQ
 ECAD 3891 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MSRTA300 Padrão Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 18 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 800 v 300A 1,1 V @ 300 A 20 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURF10005 GeneSiC Semiconductor Murf10005 -
RFQ
 ECAD 2925 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Padrão To-244 - 1 (ilimito) MURF10005GN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 50a 1,3 V @ 50 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR6035R GeneSiC Semiconductor MBR6035R 21.3105
RFQ
 ECAD 4969 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud MBR6035 Schottky, reversa polaridada Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR6035RGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 35 v 650 mV @ 60 A 5 mA a 20 V -65 ° C ~ 150 ° C. 60a -
GBU4B GeneSiC Semiconductor Gbu4b 0,4725
RFQ
 ECAD 1430 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU4 Padrão GBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 4 A 5 µA A 100 V 4 a Fase Única 100 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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