SIC
close

Diodos (2089)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade ATUAL - MÁX Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Resistência @ se, f
MSRTA300160D GeneSiC Semiconductor MSRTA300160D 159.9075
RFQ
 ECAD 7548 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Módlo MSRTA300 Padrão - download ROHS3 Compatível 1242-MSRTA300160D Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1600 v 300A 1,1 V @ 300 A 20 µA A 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FST6360M GeneSiC Semiconductor Fst6360m -
RFQ
 ECAD 3705 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi D61-3M Schottky D61-3M - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 30a 750 mV @ 30 A 1 mA a 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
DB103G GeneSiC Semiconductor DB103G 1.3000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) DB103 Padrão DB download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1 A 10 µA A 200 V 1 a Fase Única 200 v
GB05MPS33-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS33-263 30.3000
RFQ
 ECAD 162 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA GB05MPS33 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-263-7 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-1351 Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 3300 v 3 V @ 5 A 0 ns 10 µA A 3000 V -55 ° C ~ 175 ° C. 14a 288pf @ 1V, 1MHz
FR20D02 GeneSiC Semiconductor Fr20d02 9.0510
RFQ
 ECAD 3677 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR20D02GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA a 50 V -40 ° C ~ 125 ° C. 20a -
MBRT200100R GeneSiC Semiconductor MBRT200100R 98.8155
RFQ
 ECAD 7603 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MBRT200100 Schottky, reversa polaridada Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRT200100RGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 100 v 100a 880 mV @ 100 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
2W005M GeneSiC Semiconductor 2W005m -
RFQ
 ECAD 2325 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4-Circular, WOM Padrão Mulher download 1 (ilimito) 2W005MGN Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 2 A 10 µA a 50 V 2 a Fase Única 50 v
MURT10010R GeneSiC Semiconductor MURT10010R -
RFQ
 ECAD 9699 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MURT10010RGN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 100 v 50a 1,3 V @ 50 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BR102 GeneSiC Semiconductor BR102 0,9555
RFQ
 ECAD 7689 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-10 Padrão BR-10 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR102GN Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 5 A 10 µA A 200 V 10 a Fase Única 200 v
GB10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-220 -
RFQ
 ECAD 1093 0,00000000 Genesco semicondutors - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 GB10SLT12 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-220-2 - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,8 V @ 10 A 0 ns 40 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 520pf @ 1V, 1MHz
MSRT15060AD GeneSiC Semiconductor MSRT15060AD 71.6012
RFQ
 ECAD 2154 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MSRT150 Padrão Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 600 v 150a 1,1 V @ 150 A 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S300G GeneSiC Semiconductor S300G 63.8625
RFQ
 ECAD 2879 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud S300 Padrão DO-205AB (DO-9) download Rohs Compatível 1 (ilimito) S300GGN Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,2 V @ 300 A 10 µA A 100 V -60 ° C ~ 200 ° C. 300A -
FST100200 GeneSiC Semiconductor FST100200 65.6445
RFQ
 ECAD 6424 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi TO-249AB Schottky TO-249AB download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 50a 920 mV @ 50 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S150KR GeneSiC Semiconductor S150KR 35.5695
RFQ
 ECAD 9943 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano Do-205AA, DO-8, Stud S150 Polaridada reversa padrão Do-205AA (DO-8) download Rohs Compatível 1 (ilimito) S150KRGN Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,2 V @ 150 A 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
GKR240/18 GeneSiC Semiconductor GKR240/18 73.7988
RFQ
 ECAD 1600 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud GKR240 Polaridada reversa padrão DO-205AB (DO-9) - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1800 v 1,5 V @ 60 A 22 mA @ 1800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 165a -
KBPC1501W GeneSiC Semiconductor KBPC1501W 2.1795
RFQ
 ECAD 4456 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, KBPC-W KBPC1501 Padrão KBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA A 1000 V 15 a Fase Única 100 v
1N1188AR GeneSiC Semiconductor 1n1188ar 6.3770
RFQ
 ECAD 1366 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1n1188ar Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1n1188argn Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 40 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 40A -
GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H 15.7700
RFQ
 ECAD 398 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-GD50MPS12H Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,8 V @ 50 A 0 ns 15 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 92a 1835pf @ 1V, 1MHz
GBPC2502W GeneSiC Semiconductor GBPC2502W 4.2000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC-W GBPC2502 Padrão GBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1289 Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 12,5 A 5 µA A 200 V 25 a Fase Única 200 v
GKR71/14 GeneSiC Semiconductor GKR71/14 12.4659
RFQ
 ECAD 9732 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud GKR71 Padrão Do-5 - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1400 v 1,5 V @ 60 A 10 mA A 1400 V -40 ° C ~ 180 ° C. 95a -
FR30JR02 GeneSiC Semiconductor FR30JR02 10.5930
RFQ
 ECAD 2177 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR30JR02GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA a 50 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30a -
KBPC5008W GeneSiC Semiconductor KBPC5008W 2.5875
RFQ
 ECAD 5375 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, KBPC-W KBPC5008 Padrão KBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA A 800 V 50 a Fase Única 800 v
GBJ25B GeneSiC Semiconductor GBJ25B 0,9795
RFQ
 ECAD 1534 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ25 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ25B Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 12,5 A 10 µA A 100 V 25 a Fase Única 100 v
GBJ30M GeneSiC Semiconductor GBJ30M 1.1205
RFQ
 ECAD 4017 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ30 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ30M Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 15 A 5 µA A 1000 V 30 a Fase Única 1 kv
GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220 561.0000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Genesco semicondutors - Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Axial GA01PNS150 - download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1258 Ear99 8541.10.0080 10 1 a 7pf @ 1000V, 1MHz Pino - único 15000V -
KBPM210G GeneSiC Semiconductor KBPM210G -
RFQ
 ECAD 2438 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBPM Padrão KBPM download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBPM210GGN Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 2 A 5 µA a 50 V 2 a Fase Única 1 kv
GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E 2.0500
RFQ
 ECAD 6948 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Fita de Corte (CT) Descontinuado no sic Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 GE06MPS06 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252-2 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v -55 ° C ~ 175 ° C. 17a 279pf @ 1V, 1MHz
GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263 -
RFQ
 ECAD 3661 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA GB05MPS17 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-263-7 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-GB05MPS17-263 Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C. 18a 470pf @ 1V, 1MHz
S12QR GeneSiC Semiconductor S12QR 4.2345
RFQ
 ECAD 9111 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud S12Q Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S12QRGN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,1 V @ 12 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 12a -
2W08M GeneSiC Semiconductor 2W08M -
RFQ
 ECAD 7436 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4-Circular, WOM Padrão Mulher download 1 (ilimito) 2W08MGN Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 2 A 10 µA a 800 V 2 a Fase Única 800 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

Lista de RFQ (0 itens)
Lista de carrinhos (0 itens)
WishlistLista de desejos (0 itens)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Pad exposto de 196-LFBGA

Quantidade: 1

Lista de comparação (0 itens)
Bata Enter para pesquisar ou ESC para fechar