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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MUR5040R | 17.8380 | ![]() | 1062 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | MUR5040 | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MUR5040RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 50 A | 75 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - | ||||
![]() | 150K20A | 35.5695 | ![]() | 1651 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | 150K20 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 150K20AGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,33 V @ 150 A | 35 mA a 200 V | -40 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | |||||
![]() | Murta300120r | 159.9075 | ![]() | 2718 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Murta300120 | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 600 v | 150a | 2,6 V @ 150 A | 25 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | Murta50040 | 174.1546 | ![]() | 2819 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Murta50040gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 250a | 1,5 V @ 250 A | 150 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | FR20B02 | 9.0510 | ![]() | 6338 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR20B02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 20 A | 200 ns | 25 µA a 50 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 20a | - | |||||
![]() | FR85JR02 | 27.9100 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,4 V @ 85 A | 250 ns | 25 µA A 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 85a | - | ||||||
![]() | MBRH20035R | 70.0545 | ![]() | 6782 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | D-67 | MBRH20035 | Schottky, reversa polaridada | D-67 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRH20035RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 650 mv @ 200 a | 5 mA a 20 V | 200a | - | ||||||
![]() | 1N3890R | 6.8085 | ![]() | 6817 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3890R | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N3890RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,4 V @ 12 A | 200 ns | 25 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | ||||
![]() | MBR300100CTR | 94.5030 | ![]() | 6689 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR300100 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR300100CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 100 v | 150a | 840 mV @ 150 A | 8 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | MBRT600100 | 140.2020 | ![]() | 5948 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRT600100GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 300A | 880 mV @ 300 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | FST16080 | 75.1110 | ![]() | 4115 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FST16080GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 160A (DC) | 880 mV @ 160 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | MSRTA30060AD | 113.5544 | ![]() | 3266 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRTA300 | Padrão | Três Torre | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 600 v | 300A | 1,1 V @ 300 A | 20 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | MSRT20080AD | 80.4872 | ![]() | 1220 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRT200 | Padrão | Três Torre | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 800 v | 200a | 1,1 V @ 200 A | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | MBRH240150R | 76.4925 | ![]() | 2288 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | D-67 | MBRH240150 | Schottky | D-67 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 880 mV @ 240 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 240a | - | ||||||
![]() | GD02MPS12E | 1.5400 | ![]() | 8853 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,8 V @ 2 A | 0 ns | 5 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 73pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | FST8335M | - | ![]() | 7632 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D61-3M | Schottky | D61-3M | download | 1 (ilimito) | FST8335MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 80a (DC) | 650 mV @ 80 A | 1,5 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | MBRTA600200 | - | ![]() | 6985 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 300A | 920 mV @ 300 A | 4 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | MUR7010R | 17.7855 | ![]() | 9514 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Mur7010 | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MUR7010RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 70A | - | ||||
![]() | MBRT12030 | 75.1110 | ![]() | 5559 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRT12030GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 60a | 750 mV @ 60 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | MURH7040R | 49.5120 | ![]() | 1317 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | D-67 | MURH7040 | Padrão | D-67 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 70 A | 90 ns | 25 µA A 400 V | -55 ° C ~ 155 ° C. | 70A | - | |||||
![]() | MBRF30020R | - | ![]() | 5665 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | MBRF3002 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 20 v | 150a | 700 mV @ 150 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | 1N5827R | 13.3005 | ![]() | 3746 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N5827R | Schottky, reversa polaridada | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N5827RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 470 mV @ 15 A | 10 mA a 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | |||||
![]() | S300GR | 63.8625 | ![]() | 6829 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | S300 | Polaridada reversa padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S300GRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 300 A | 10 µA A 100 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 300A | - | |||||
1N3883 | 7.1300 | ![]() | 47 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3883 | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1002 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 6 A | 200 ns | 15 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | |||||
![]() | 1N3671A | 4.2345 | ![]() | 7778 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3671 | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N3671AGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 12 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - | |||||
![]() | FR12GR05 | 6.8085 | ![]() | 5856 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR12GR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 800 mV @ 12 A | 500 ns | 25 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | |||||
![]() | MBRT12035 | 75.1110 | ![]() | 5800 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRT12035GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 60a | 750 mV @ 60 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | MBRT30080R | - | ![]() | 7658 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRT30080RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 80 v | 150a | 880 mV @ 150 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | MBR8035R | 22.1985 | ![]() | 9491 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR8035 | Schottky, reversa polaridada | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR8035RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 750 mV @ 80 A | 1 ma @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 80a | - | |||||
![]() | MBRF120150R | - | ![]() | 3804 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 150 v | 60a | 880 mV @ 60 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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