SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
FR30K05 GeneSiC Semiconductor FR30K05 10.3155
RFQ
ECAD 5312 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR30K05GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1 V @ 30 A 500 ns 25 µA a 800 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30a -
1N5831 GeneSiC Semiconductor 1N5831 14.0145
RFQ
ECAD 8867 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 1N5831 Schottky Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1N5831GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 35 v 580 mV @ 25 A 2 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 25a -
MBRT60030RL GeneSiC Semiconductor MBRT60030RL -
RFQ
ECAD 9219 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 30 v 300A 580 mV @ 300 A 3 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C.
KBPC15005T GeneSiC Semiconductor KBPC15005T 2.1795
RFQ
ECAD 4373 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, KBPC-T KBPC15005 Padrão KBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA a 50 V 15 a Fase Única 50 v
GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-247 9.0525
RFQ
ECAD 7176 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 GC20MPS12 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-2 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-1338 Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,8 V @ 20 A 0 ns 18 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 90A 1298pf @ 1V, 1MHz
1N3210R GeneSiC Semiconductor 1N3210R 7.0650
RFQ
ECAD 6737 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AB, DO-5, Stud 1N3210R Polaridada reversa padrão DO-203AB (DO-5) download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1N3210RGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,5 V @ 15 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a -
MBRT30060 GeneSiC Semiconductor MBRT30060 107.3070
RFQ
ECAD 1378 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRT30060GN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 150a 800 mV @ 150 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S320MR GeneSiC Semiconductor S320MR 62.2080
RFQ
ECAD 7290 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud S320 Polaridada reversa padrão DO-205AB (DO-9) download Rohs Compatível 1 (ilimito) S320MRGN Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,2 V @ 300 A 10 µA A 600 V -60 ° C ~ 180 ° C. 320a -
S150J GeneSiC Semiconductor S150J 35.5695
RFQ
ECAD 4293 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano Do-205AA, DO-8, Stud S150 Padrão Do-205AA (DO-8) download Rohs Compatível 1 (ilimito) S150JGN Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,2 V @ 150 A 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
1N3880R GeneSiC Semiconductor 1N3880R 5.1225
RFQ
ECAD 3019 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 1N3880R Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1N3880RGN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,4 V @ 6 A 200 ns 15 µA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 6a -
MURT40010 GeneSiC Semiconductor MURT40010 132.0780
RFQ
ECAD 5908 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MURT40010GN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 200a 1,3 V @ 200 A 125 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR30045CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30045CTRL -
RFQ
ECAD 6242 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Torre Dupla Schottky Torre Dupla download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 45 v 150a 600 mV @ 150 A 5 mA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR40020CTR GeneSiC Semiconductor MBR40020CTR 98.8155
RFQ
ECAD 3646 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR40020 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR40020CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 20 v 200a 650 mv @ 200 a 5 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GKR240/12 GeneSiC Semiconductor GKR240/12 59.1425
RFQ
ECAD 1015 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud GKR240 Padrão DO-205AB (DO-9) - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,4 V @ 60 A 60 mA a 1200 V -40 ° C ~ 180 ° C. 320a -
1N3891R GeneSiC Semiconductor 1N3891R 6.8085
RFQ
ECAD 7390 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 1N3891R Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1n3891rgn Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,4 V @ 12 A 200 ns 25 µA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
1N1186A GeneSiC Semiconductor 1n1186a 10.3200
RFQ
ECAD 844 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1N1186 Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1078 Ear99 8541.10.0080 100 - 200 v 1,1 V @ 40 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 40A -
MSRT150100AD GeneSiC Semiconductor MSRT150100AD 51.0360
RFQ
ECAD 3366 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MSRT150 Padrão Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1000 v 150a 1,1 V @ 150 A 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H 4.9900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-2 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-GD10MPS12H Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 0 ns 175 ° C. 10a -
GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H 244.8500
RFQ
ECAD 275 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-2 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-GC50MPS33H Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 3300 v 0 ns 175 ° C. 50a -
S320KR GeneSiC Semiconductor S320KR 62.2080
RFQ
ECAD 4488 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud S320 Polaridada reversa padrão DO-205AB (DO-9) download Rohs Compatível 1 (ilimito) S320KRGN Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,2 V @ 300 A 10 µA A 600 V -60 ° C ~ 180 ° C. 320a -
S400K GeneSiC Semiconductor S400K 88.0320
RFQ
ECAD 2658 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud S400 Padrão DO-205AB (DO-9) download Rohs Compatível 1 (ilimito) S400KGN Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,2 V @ 400 A 10 µA a 50 V -60 ° C ~ 200 ° C. 400A -
MBR8030R GeneSiC Semiconductor MBR8030R 22.1985
RFQ
ECAD 6482 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud MBR8030 Schottky, reversa polaridada Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR8030RGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 750 mV @ 80 A 1 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 80a -
MBRT30035 GeneSiC Semiconductor MBRT30035 111.0800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1005 Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 150a 750 mV @ 150 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF12080 GeneSiC Semiconductor MBRF12080 -
RFQ
ECAD 3656 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 60a 840 mV @ 60 A 1 mA a 80 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR600150CTR GeneSiC Semiconductor MBR600150CTR 129.3585
RFQ
ECAD 2637 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR600150 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 150 v 300A 880 mV @ 300 A 3 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MSRT20080D GeneSiC Semiconductor MSRT20080D 110.1030
RFQ
ECAD 2563 0,00000000 Genesco semicondutors * Volume Ativo MSRT200 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 40
MBRH12040 GeneSiC Semiconductor MBRH12040 60.0375
RFQ
ECAD 6397 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo D-67 Schottky download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1046 Ear99 8541.10.0080 36 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 650 mV @ 120 A 4 ma @ 20 V 120a -
GAP3SLT33-220FP GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP 9.1050
RFQ
ECAD 4998 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Não é para desenhos para Novos Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 GAP3SLT33 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220FP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 3300 v 1,7 V @ 300 mA 0 ns 5 µA @ 3300 V -55 ° C ~ 175 ° C. 300mA 42pf @ 1V, 1MHz
FR16GR05 GeneSiC Semiconductor FR16GR05 8.5020
RFQ
ECAD 1907 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR16GR05GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 16 A 500 ns 25 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a -
MSRT150120A GeneSiC Semiconductor MSRT150120A 38.5632
RFQ
ECAD 3557 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MSRT150 Padrão Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 150a 1,2 V @ 150 A 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque