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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRTA60035 | - | ![]() | 4321 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 300A | 700 mV @ 300 A | 1 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
1n1186r | 7.4730 | ![]() | 8738 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1n1186r | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,2 V @ 35 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 35a | - | |||||||||
![]() | MBR300150CT | 94.5030 | ![]() | 1227 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR300150 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 150a | 880 mV @ 150 A | 3 ma @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | Mbrta60035rl | - | ![]() | 5596 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 35 v | 300A | 600 mV @ 300 A | 3 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | FR70DR05 | 17.7855 | ![]() | 2925 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR70DR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,4 V @ 70 A | 500 ns | 25 µA A 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 70A | - | |||||||
![]() | MBR50030CT | - | ![]() | 2893 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Torre Dupla | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR50030CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 250a | 750 mV @ 250 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | S12DR | 4.2345 | ![]() | 6126 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | S12d | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S12DRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 12 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 12a | - | |||||||
![]() | S6br | 3.8625 | ![]() | 5148 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | S6b | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S6BRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 6 A | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - | |||||||
![]() | S85B | 11.8980 | ![]() | 2578 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S85BGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 85 A | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 180 ° C. | 85a | - | ||||||||
1N3879 | 7.1300 | ![]() | 799 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3879 | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1087 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,4 V @ 6 A | 200 ns | 15 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | |||||||
![]() | GKR130/04 | 35.2590 | ![]() | 9386 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | GKR130 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 60 A | 22 mA @ 400 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 165a | - | ||||||||
![]() | MBRT60060R | 140.2020 | ![]() | 5079 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MBRT60060 | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRT60060RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 60 v | 300A | 800 mV @ 300 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | MBRT20035 | 98.8155 | ![]() | 6905 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1103 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 100a | 750 mV @ 100 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | FR6D02 | 4.9020 | ![]() | 7727 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR6D02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,4 V @ 6 A | 200 ns | 25 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | |||||||
![]() | S16gr | 4.5900 | ![]() | 7750 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | S16G | Polaridada reversa padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S16GRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 16 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 16a | - | |||||||
![]() | MBR8080 | 21.1680 | ![]() | 7977 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR8080GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 840 mV @ 80 A | 1 mA a 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 80a | - | ||||||||
![]() | Mbrta80030rl | - | ![]() | 4676 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 30 v | 400A | 580 mV @ 400 A | 3 mA a 30 V | -40 ° C ~ 100 ° C. | ||||||||||
![]() | MBR500100CT | - | ![]() | 8812 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Torre Dupla | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR500100CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 250a | 880 mV @ 250 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | MBR2X060A150 | 46.9860 | ![]() | 3110 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MBR2X060 | Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 150 v | 60a | 880 mV @ 60 A | 3 ma @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | GBPC1506T | 2.4180 | ![]() | 5727 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal de QC | 4 Quadrados, GBPC | GBPC1506 | Padrão | GBPC | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA A 600 V | 15 a | Fase Única | 600 v | |||||||||
![]() | DB156G | 0,2325 | ![]() | 1657 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) | DB156 | Padrão | DB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Db156ggn | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA A 800 V | 1.5 a | Fase Única | 800 v | ||||||||
1N8026-GA | - | ![]() | 2393 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-257-3 | 1N8026 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-257 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,6 V @ 2,5 A | 0 ns | 10 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 250 ° C. | 8a | 237pf @ 1V, 1MHz | ||||||||
![]() | DB151G | 0,2325 | ![]() | 1447 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) | DB151 | Padrão | DB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | DB151GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA a 50 V | 1.5 a | Fase Única | 50 v | ||||||||
![]() | GKR240/04 | 59.1425 | ![]() | 8443 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | GKR240 | Padrão | DO-205AB (DO-9) | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 60 A | 60 mA a 400 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 320a | - | ||||||||
![]() | MBRT40020 | 118.4160 | ![]() | 4122 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRT40020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 20 v | 200a | 750 mv @ 200 a | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | FR6A02 | 7.1300 | ![]() | 37 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR6A02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,4 V @ 6 A | 200 ns | 25 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | |||||||
![]() | MURF10010 | - | ![]() | 3603 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Padrão | To-244 | - | 1 (ilimito) | MURF10010GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 50a | 1,3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
1N1184 | 10.1200 | ![]() | 749 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1184 | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1013 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,2 V @ 35 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 35a | - | ||||||||
![]() | MBRF30080 | - | ![]() | 7730 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | MBRF3008 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 150a | 840 mV @ 150 A | 1 mA a 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | MBR20030CTR | 90.1380 | ![]() | 2533 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR20030 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1023 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 30 v | 200a (DC) | 650 mV @ 100 A | 5 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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