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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GKR71/04 | 12.4659 | ![]() | 9140 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | GKR71 | Padrão | Do-5 | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 60 A | 10 mA a 400 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 95a | - | |||||||||
![]() | 1N5826R | 13.3005 | ![]() | 3538 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N5826R | Schottky, reversa polaridada | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N5826RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 440 mV @ 15 A | 10 mA a 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||||||||
![]() | MSRT15060D | 98.8155 | ![]() | 6147 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRT150 | Padrão | Três Torre | download | ROHS3 Compatível | 1242-MSRT15060D | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 600 v | 150a | 1,1 V @ 150 A | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | MUR30020CTR | 118.4160 | ![]() | 1412 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MUR30020 | Padrão | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MUR30020CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 150a | 1,3 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | GKR240/08 | 59.1425 | ![]() | 7890 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | GKR240 | Padrão | DO-205AB (DO-9) | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,4 V @ 60 A | 60 mA a 800 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 320a | - | |||||||||
![]() | 1n2137ar | 8.9025 | ![]() | 1642 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1n2137ar | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1n2137argn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,1 V @ 60 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 60a | - | ||||||||
![]() | KBPC1502W | 2.1795 | ![]() | 4777 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, KBPC-W | KBPC1502 | Padrão | KBPC-W | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA A 200 V | 15 a | Fase Única | 200 v | ||||||||||
![]() | MUR2540R | 10.1910 | ![]() | 3464 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | MUR2540 | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MUR2540RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 25 A | 75 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - | |||||||
![]() | MSRT15080D | 98.8155 | ![]() | 2121 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRT150 | Padrão | Três Torre | download | ROHS3 Compatível | 1242-MSRT15080D | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 800 v | 150a | 1,1 V @ 150 A | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | GBL10 | 0,4230 | ![]() | 8390 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | Padrão | Gbl | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | GBL10GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V @ 4 A | 5 µA A 1000 V | 4 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||
![]() | MBR12040CTR | 68.8455 | ![]() | 2600 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR12040 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1009 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 40 v | 120A (DC) | 650 mV @ 120 A | 3 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | FR12DR05 | 6.8085 | ![]() | 1167 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR12DR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 800 mV @ 12 A | 500 ns | 25 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | ||||||||
![]() | GB2X50MPS17-227 | 98.1200 | ![]() | 116 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | GB2X50 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1242-1350 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 2 Independente | 1700 v | 136a (DC) | 1,8 V @ 50 A | 0 ns | 50 µA A 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
![]() | MURT20060R | 104.4930 | ![]() | 4957 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MURT20060 | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MURT20060RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 600 v | 100a | 1,7 V @ 100 A | 160 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | KBP201G | 0,2280 | ![]() | 9138 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | KBP201 | Padrão | KBP | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | KBP201GGS | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V @ 2 A | 10 µA a 50 V | 2 a | Fase Única | 50 v | |||||||||
![]() | MBRH20020 | 70.0545 | ![]() | 8075 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | D-67 | Schottky | D-67 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRH20020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 650 mv @ 200 a | 5 mA a 20 V | 200a | - | ||||||||||
![]() | FR40D02 | 12.8985 | ![]() | 3748 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR40D02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 40 A | 200 ns | 25 µA A 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 40A | - | ||||||||
![]() | MSRT200140D | 110.1030 | ![]() | 5663 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRT200 | Padrão | Três Torre | download | ROHS3 Compatível | 1242-MSRT200140D | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1400 v | 200a | 1,1 V @ 200 A | 10 µA A 1400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | FR16BR05 | 8.5020 | ![]() | 9708 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR16BR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 16 A | 500 ns | 25 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | ||||||||
![]() | FR70MR05 | 17.7855 | ![]() | 4079 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR70MR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,4 V @ 70 A | 500 ns | 25 µA A 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 70A | - | ||||||||
![]() | MBRT20080R | 98.8155 | ![]() | 9198 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MBRT20080 | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRT20080RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 80 v | 100a | 880 mV @ 100 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | S25M | 5.2485 | ![]() | 7324 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S25MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1.1 V @ 25 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - | |||||||||
![]() | GD20MPS12H | 9.6100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | GD20 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | download | 1 (ilimito) | 1242-GD20MPS12H | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,8 V @ 20 A | 0 ns | 10 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 39a | 737pf @ 1V, 1MHz | ||||||||
![]() | S12gr | 4.2345 | ![]() | 5890 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | S12G | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S12GRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 12 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 12a | - | ||||||||
![]() | MUR2540 | 10.1910 | ![]() | 5493 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MUR2540GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 25 A | 75 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - | ||||||||
![]() | MUR2X120A10 | 51.8535 | ![]() | 1194 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Mur2x120 | Padrão | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 1000 v | 120a | 2,35 V @ 120 A | 25 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
![]() | MBR50020CTR | - | ![]() | 7181 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Torre Dupla | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR50020CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 20 v | 250a | 750 mV @ 250 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | GD2X30MPS12N | 33.8900 | ![]() | 246 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | GD2X | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1242-GD2X30MPS12N | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 2 Independente | 1200 v | 52a (DC) | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
![]() | S16Q | 4.5900 | ![]() | 1153 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,1 V @ 16 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 16a | - | ||||||||||
![]() | GD25MPS17H | 18.0100 | ![]() | 5751 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1242-GD25MPS17H | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1700 v | 1,8 V @ 25 A | 0 ns | 20 µA A 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 56a | 1083pf @ 1V, 1MHz |
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